Устройство для моделирования температурных режимов гибридных микросхем

Устройство для моделирования температурных режимов гибридных микросхем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для моделирования температурных режимов элементов гибридных микросхем и оценочных температурных измерений при выборе средств теплоотвода , необходимых для обеспечения их нормальной работы. Цель изобретения - повышение точности моделирования . Устройство содержит бескорпусные транзисторы 1, выводы 3, 7 и 9 корпуса 12, пары пленочных терморезисторов 8, подложку 10, пленочные проводники 11, крышку 13 корпуса. Достижение поставленной цели обеспечивается благодаря введению в устройство пар терморезисторов 8, обеспечивающих возможность дифференцированного определения температур электрорадиоизделий и злементов конструкции путем перебора вариантов вьщеляемой мощности и размещения тепловыделяющих элементов на плате с возможностью предварительного моделирования на ЭВМ.. 2 ил. fO i 7 iiit: (Л

СОЮЗ СОВЕтСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„„Я1.1 „„1 41 6971

А2 (51)4 G 06 G 7/56 ф Я ъ г г .

Тг

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (61) 819812 (21) 4152761/24-24 (22) 28.11.86 (46) 15.08.88. Бюл. N- 30 (72) А.В.Ворошко, В.Д.Бобков и И.Г.Руденко (53) 681.3(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 819812, кл. С 06 G 7/56, 1976 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ

ТЕМПЕРАТУРНЫХ РЕЖИМОВ ГИБРИДНЫХ

МИКРОСХЕМ (57) Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для моделирования температурных режимов элементов гибридных микросхем и оценочных температурных измерений при выборе средств теплоотвода, необходимых для обеспечения их нормальной работы, Цель изобретения — повышение точности моделирования. Устройство содержит бескорпусные транзисторы 1, выводы 3, 7 и 9 корпуса 12, пары пленочных термореэисторов 8, подложку 10, пленочные проводники 11, крышку 13 корпуса.

Достижение поставленной цели обеспечивается благодаря введению в устройство пар терморезисторов 8, обеспечивающих возможность дифференцированного определения температур электрорадиоизделий и элементов конструкции путем перебора вариантов выделяемой мощности и размещения тепловыделяющих элементов на плате с возможностью

9 предварительного моделирования на

ЭВМ. 2 ил.

С:

1416971

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для . моделирования температурных режимов элементов гибридных микросхем.

Цель изобретения — повышение точности моделирования.

На фиг. 1 изображена конструктивная схема устройства; на фиг. 2— электрическая схема устройства. 10

Устройство содержит бескорпусные транзисторы 1, которые являются од-, новременно источниками тепла и датчиками температуры и включены по схеме с общей базой. Коллекторы 2 транзисторов 1 объединены и выведены на вывод 3 для подключения к шине источника питания (+Е), базы 4 транзисторов тоже объединены и через вывод 5 подключены к шине нулевого потенциа- 20 ла. Эмиттеры 6 каждого транзистора подключены к отдельным выводам 7 кор пуса, обеспечивая установку режима разогрева и измерения температуры каждого транзистора 1 ° Каждый тран- 25 зистор 1 снабжен парой пленочных терморезисторов 8, размещенных с двух сторон транзистора 1. Одни выводы терморезисторов 8 каждой пары подключены к шине +Е, а вторые к отдельным 30 выводам 9 корпуса. Этим обеспечивается установка режима разогрева ке- рамической подложки 10 в зоне, окружающей транзистор 1, и возможность измерения ее температуру. Группы из

35 бескорпусных транзисторов 1 и пар пленочных .терморезисторов 8 образуют модуль теплового эквивалента и размещены на подложке 10 в виде регулярной структуры (топологии) в максимально возможном количестве, Коммутация производится пленочными провод-никами 11, нанесенными на керамическую подложку 10 со штатной защитой в виде изоляционного слоя, Подложка

10 установлена в корпус микросхемы

12. Корпус закрыт герметично крышкой

13. Таким образом, конструкция подложки и заполнение внутреннего объема устройства для моделирования максимально приближены к: конструкции

50 моделируемых гибридных микросхем.

Существующие конструкции корпусов микросхем позволяют разместить и выполнить на подложке размером i6 х

55 х 30 мм до 16, а на подложке 30 х х 48 мм до 30 групп модулей теплового эквивалента — бескорпусных транзисторов 1 с парами пленочных терморезисторов, Процесс моделирования теплового режима исследуемых гибридных микросхем (микросборок) производится следующим образом.

Подложка моделируемой микросхемы разбивается на количество зон, соответствующее количеству тепловых эквивалентов устройства для моделирования, имеющего тот же размер подложек. Определяется мощность, выделяемая в каждой зоне (в каждом тепловом эквиваленте), и источник ее выделения (транзистор, микросхема или пленочный резистор). Эти параметры служат исходными данными для предварительного исследования температурного режима тепловой модели микросхемы с использованием 3ВМ, т.е. проведения математического моделирования.

При этом выполняется оптимизация вы-. деляемой мощности и места расположения источников тепла на подложке.

Затем выполняется этап физического моделирования. Устройство для моделирования через контактор (подключающее устройство) подключается к технологическому пульту, который обеспечивает подачу необходимого напряжения питания на транзисторы 1 и терморезисторы 8, контроль подаваемых токов и напряжений, их регулировку

D соответствии с данными математического моделирования и переключение из режима разогрева в режим индикации. Для этих целей на передней панели пульта имеются органы управления и индикации.

Аналогичным образом осуществляется моделирование микросхем в составе микроэлектронных блоков. При этом может выполняться перебор вариантов размещения микросхем на платах и в объеме блока, в результате обеспечивается оптимизация назначения выделяемых мощностей электрорадиоизделий, т.е. повышается точность моделирования температурных режимов в составе микроэлектронных блоков.

В процессе физического моделирования осуществляется проверка и уточнение расчетных параметров моделируемой гибридной. микросхемы. При этом в связи с возможностью измерения температур транзисторов 1 и подложки .0 в зоне установки транзистора 1 обеспечивается возможность учета

Составитель А.Маслов

Техред Л.Олийнык Корректор С.Черни

Редактор Л.Пчолинская

Заказ 4065/46

Тираж 704

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 з !4 влияния применяемых для установки и крепления транзисторов клеев и компаундов. Степень их влияния характеризуется величиной разности температур транзистора 1 и подложки 10. Это также повышает точность моделирования температурных режимов электрорадиоизделий и элементов конструкции.

Формула из о бре тения

Устройство для моделирования температурных режимов гибридных микро1 6971 ф схем по авт. св. N - 819812, о т л ичающе е ся тем, что, сцелью

-повышения точности, оно дополнитель5 но содержит пары пленочных терморезисторов по числу транзисторов, причем пленочные терморезисторы каждой пары размещены с двух сторон от со" ответствующего транзистора и соединены одними из выводов с шиной нулевого потенциала, а другими выводами с соответствующими выводами корпуса.