Амплитудный детектор

Амплитудный детектор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к радиотехнике . Цель изобретения - увеличение чувствительности. Амплитудный детектор содержит транзисторы 1 и 2, резисторы 3,4 и 5, резистивный делитель напряжения 6 к конденсаторы 7 и 8. Входной сигнал через конденсатор 8 поступает на базу транзистора , выполняющего ф-цию усиления и температурной компенсации изменения по рогового напряжения детектирования. За счет одинакового дрейфа по постоянному току напряжений на коллекторе транзистора 1 и на переходе база-змиттер транзистора 2, выполняющего ф-цию амплитудного детектирования , обеспечивается высокая стабильность чувствительности детектора при изменении температуры окружающей среды . 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (191 (И1 (51) 4 Н 03 0 1 18

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4093290/24-09 (22) 07..05.86 (46) 15.08.88. Бюл. У 30 (72) Е.А.Попов и И.И.Черный (53) 621.376.23(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

II 564?07, кл. Н 03 D I/18, 1976. (54) АИШП1ТУДН11И ДЕТЕКТОР (57) Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - увеличение чувствительности. Амплитудный детектор содержит транзисторы 1 и 2, резисторы 3,4 и 5, резистивный делитель напряжения 6 и конденсаторы 7 и 8. Входной сигнал через конденсатор 8 поступает на базу транзистора

1, выполняющего ф-цию усиления и тем. пературной компенсации изменения по" рогового напряжения детектирования.

За счет одинакового дрейфа по постоянному току напряжений на коллекторе транзистора I и на переходе ба-. за-эмиттер транзистора 2, выполняющего ф-цию амплитудного детектирования, обеспечивается высокая стабильность чувствительности детектора при изменении температуры окружающей среды. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

14171б7

Изобретение относится к радиотех. нике и может быть использовано в радиоприемных устройствах.

Цель изобретения — увеличение чувствительности.

На фиг.l приведена структурная электрическая схема амплитудного детектора; на фиг.2 — схема- амплитудного детектора с регулируемым автоматическим смещением.

Амплитудный детектор (фиг.1) содержит первый и второй транзисторы

1 и 2, первый, второй и третий резисторы 3, 4 и 5, резистивный делитель

6 напряжения и первый и второй кон., денсаторы 7 и 8.

Амплитудный детектор, показанный на фиг.2, содержит полевой транзистор 9, дополнительный конденсатор 10 и дополнительный резистор 11.

Амплитудный детектор работает следующим образом.

Входной сигнал через второй конденсатор 8 поступает на базу первого транзистора l. Первый и второй транзисторы 1 и 2 включены по схеме с общим эмиттером. Второй транзистор 2 выполняет .функцию амплитудного детектирования, а первый транзистор 1 функцию усиления и температурной компенсации изменения порогового напряжения детектирования.

Использование детектирующего второго транзистора 2 в режиме усиления с учетом коэффициента усиления первого транзистора 1 по переменному току позволяет иметь коэффициент передачи амплитудного детектора равным 4050 дб, что дает возможность детектировать, сигналы с амплитудой единицы милливольт.

За счет одинакового дрейфа по постоянному току напряжений на коллек» торе первого транзистора 1 и переходе база-эмиттер второго транзистора

2 обеспечивается высокая стабильность чувствительности амплитудного детектора при изменении температуры окружающей среды.

Предложенная структура связи транзисторов позволяет обеспечить работоспособность амплитудного детектора вплоть до напряжений питания, близких к напряжению 1В. Верхний предел питающего напряжения ограничивается максимально допустимым напряжением для транзисторов.

35 формула изобретения

5, 10

Для расширения диапазона входных напряжений и сохранения при этом стабильности режима работы нижнее плечо резистивного делителя Ь напряжения может быть выполнено управляемым, например в виде полевого транзистора (фиг.2).

Управляемое плечо делителя выполнено на полевом транзисторе 9, затвор которого через дополнительный резистор соединен с выходом детектора. Дополнительный конденсатор 10 обеспечивает управление полевым транзистором 9 только по постоянному токую

При увеличении амплитуды несущей частоты входного сигнала уменьшается напряжение на коллекторе второго транзистора 2. Отфильтрованное цепью конденсатор 10 — резистор 11 это напряжение передается на затвор полевого транзистора 9. В результате омическое сопротивление канала полевого транзистора и амплитуда на входе (базе) второго транзистора 2 уменьшаются.

Таким образом, амплитудный детектор обладает более высокой чувствительностью, стабильностью и сохраняет работоспособность при уменьшении напряжения питания до малых значений (1В).

1 ° Амплитудный детектор, содержащий первый транзистор, между коллектором и базой которого включен первый резистор, а эмиттер соединен с общей шиной, второй резистор, один из выводов которого подключен к шине питания, резистивный делитель напряжения, включенный между коллектором первого транзистора и общей шиной, второй транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к отводу резистинного делителя напряжения, третий резистор, включенный между шиной питания и коллектором второго транзистора, и конденсатор, включенный между общей шиной и коллектором второго транзистора, который является выходом амплитудного детектора, о т л и ч а ю— шийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, введен, второй конденсатор, один из выводов которого подключен к базе первого транэис141

Огня

Составитель А.Осипович

Техред М.Ходанич

Редактор А.Лежнина

Корректор С.Черни

Заказ 4077/56

Тираж 928

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предпри гие, r ° Ужгород, ул. Проектная, 4 тора, другой вывод второго конденсатора является входом амплитудного детектора, а другой вывод второго резистора соединен с коллектором первого транзистора.

2. Детектор по п.1, о т л и ч а ю.шийся тем, что резисторный эле7167 мент реэистивного делителя напряжения, включенный между базой второго транзистора и общей шиной, выполнен в ви"

5 де полевого транзистора, между затвором и общей шиной которого включен дополнительный конденсатор, а между затвором и коллектором второго транзистора — дополнительный резистор.