Мощный биполярный генераторный свч-транзистор

Мощный биполярный генераторный свч-транзистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к элекг роииой технике, в частности к конструкции мосщых биполярных генератор иых СВЧ-траняисторов, Целью иэобрете ния является увеличение выходной мост ности путем обеспечения равномерного распределения выходной мощности между кристаллами. В мощном биполярном генераторном СЕЧ-транзисторе с параллельным сложением выходной мощ-- ности отдельных транзисторных структур , с внутренним коллекторным электродом , разделенным по длине на нзоли-i рованные участки, с элементами объеди нения этих участков, содержащими резисторы , часть элементов объединения содержат конденсаторы, причем злементы объединения, содержащие резисторы, чередуются с элемента и объединения, содержащими конденсаторы, а номинал конденсаторов соответствует резонансу емкости конденсаторов каждого такого элемента объединения с индуктивность объединяемых ими участков внутреннего коллекторного электрода на частоте fp,лежащей в пределах от нижней гран ицы рабочего диапазона частот f,, до «/3. 2 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

119) ИИ

А1 (51) 5 EE 01 L 29(73

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

М ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 с

"» = (46) 23.06.93. Ввл. Р 23 (21) 4127920/25 (22) 30»10»86 (72) В.И,Янковский

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

О0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТЖ (56) E.F.Belohoubek at а1 "Improved

Circuits Device. Interface for Microwave Bipolar Transistors" IEEE J.Sî1И State Circuits, )976, v. 11, Р 2, рр. 256 263

Авторское свидетельство СССР

Р !!53767, кл. Н 01 1. 29/72, 1981.

» (54) МОЩНЙЙ ВИПОЛЯРН))Н ГЕНЕРАТОРН) )Й

СВЧ» ТРАНЗИСТОР. (57) Изобретение относится к элект ровной технике, в частности к конст

- рукции мощных биполярных генератор+ ных СВЧ»транзисторов. Целью иэобрете» ния является увеличение выходной мощ» ности путем обеспечения равномерно го распределения выходной мощности

Ф „ между кристаллами. В моцном биполярном генераторном СВЧ транзисторе с параллельным сложением выходной мощности отдельных транзисторных структур,. с внутренним коллекторным электродом, разделенным по длине на изоли-r. рованные участки, с элементами объединения этих. участков, содержащими резисторы, часть элементов объединения содержат конденсаторы, причем элемен« ты объединения, содержащие резисторы чередуются с элементами объединения, содержацими конденсаторы, а номинал конденсаторов соответствует резонансу емкости конденсаторов каждого такоГо элемента объединения с индуктивностьи объединяемых нми участков внут- Ж реннего коллекторного электрода на час- р тоте Ер,лежащей в пределах от нижней границы рабочего диапазона частот f.„ до Кя/3. 2 ил»

14177

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструк ции Мощных биполярных генераторных

СВЧ транзисторов.

5 Цельв изобрЕтения яцляется увели чение выходной мощности путеи обеспе чения равномерного распределения вы хаднай мощности между - кристаллаии.

На Фиг.l изображен. транзистор без 10 гериетизируищей крышжи, вид в плане на вериг.2 « разрез А-А на Фиг.1.

Мощный биполярный:. генераторный

СВЧ«транзистор изготовлен с использо ванием при создании: транзисторных структур эпитаксиальных пп+ пленок кремния с удельным сопротивлением п-слоя равныи 1 Ом см, и толщиной этого слоя, равной 6 мкм.

На базовом металлическом элеектро 20 де 1, роль которого выполнял сланец корпуса транзистора, смонтировав дер жатель 2 иэ окиси.беррилия. На внут реннеи коллекторнаи электроде, разде ленном на четыре- изолированных участ» 25 ка 3 ° расположенных иа поверхности держателя, смонтированы транзисторные кристаллы 4. В таких транзисторных . кристаллах длиной по 1 8 ми содержат по четыре транзисторные структуры 5. 30

На изолированных участках внутренне- го коллектариога электрода размещены также кристаллы б кремния, покрытые ,двуокисьи кремния, в середине которых размещены блокировачные ИОПканден».

35 саторы 7 ° ивалировавшие коллектор транзистора fI0 постоянному таку от эамьпсания на базовый электрод. На тех же кремниевых кристаллах, где расположены блокировочные конденса

4ц тары с одного. края созданы ЙОП-конденсаторы 8 с плащадьш электрода каж» ф .1. дага конденсатора, равной х10 4 см», а с другого. края тойкапленачные нихромовые резисторы 9 с сопротивлени+ еи каждого резистора, равным 4 Ои.

Четыре кристалла с ИОП-конденсатораии и резисторами смонтированы так, что средние элементы объединейия вкгпоча ит в себя последовательно выпочеиные резисторы, а крайние элементы объеди пения - последовательна вкличеиные конденсаторы. Объединение выполнено с памощьи абъединямцих индуктивных элементов 10 длиной не более 0,4 мм иэ алюминиевой ленты сечением 240»

«30 мкм, Внутренняя цепь согласования выходного нипедаиса транзистора вклв« чает в себя наряду с блокнровочными

21 2 кондеисатораин 7 индуктивные элемен» я4 11 первого звена согласования вы хода, индуктивные элементы 12 второ . г1 звена согласования выхода, ИОПконденсаторы 13 второго звена согласо вания выхода и выходные индуктивные элементы 14, присоединенные к внешне.му коллекторноиу электроду 15. Внутренняя цепь согласования входного ,иипеданса транзистора включает в се бя наряду с базовыми индуктивными элеиентаии 1б индуктивные элементы 17 первого звена согласования входа, ИОП-конденсаторы 1В первого звена сог ласовання входа и входные индуктив .ные элементы 19, присоединенные к внещнему эйиттерному электроду 20

Биполярный транзистор выполняется с помощьв известных технологических приемов, при этом выходная мощность транзистора повышается по сравнении с протатипои примерно в 1,4 раза.

Формула изобретения

1, Мощный биполярный генератарный СВЧ-транзистор, содержащий отдель» ные транзисторные структуры иа креи ниевых кристаллах с диэлектрическим покрытием с внутренним каллекториым электродом, разделенным по длине., на изолированные участки, с элемента ми объединения этих участков, содер»

Жащими резисторы, о т л и ч а в щ и и с я теи, что, с цельи повышения выходной мощности путем обеспечения равномерного распределения выходной мощности между кристаллами, дополни тельно введены элементы объедияения, содержащие конденсаторы, причем эле менты, объединения, содержащие ре зистары, чередуится с элементами объединения, содержащими конденсата ры а величина емкости конденсаторов выбирается из услоВия f„-/3 4 f р 4 f где f< " ""нижняя граница рабочего диапазона частот, f " -частота ре зонаиса Колебательного контура, об раэоваинаго конденсатором .каждого такого элемента объединения с индук тнвностьв объединяемых им участков внутреннего каллекторного перехода:.

2. Геиератьриый СВЧ транзистор па п.1, а т л и ч а и шийся тем,. что конденсатор элемента объединения выполнен в виде ИОПконденсатора на

E . .1

Составитель И.Идина

Texpex H.ÌîðãåHòàë

Редактор Ъ.Трубчеико

Корректор М.Нароши.Заказ 2377

Тираж

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

° е

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 1 одном краи кремниевогг кристалла, а резистор элемента пъединенин выполнен в виде тонкопленочного резистора, расположенного иа диэлектрике, пок» рывжччем кремниевый кристалл, на дру гом краи этого кристалла.

Ъ