Стекло для резисторов

Стекло для резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к составам стекол для резистивных композиций на основе оксида олова (IV) и может быть использовано для изготовления толстопленочных резисторов в дискретном исполнении. С целью уменьшения уровня шумов и коэффициента напряжения (К) толстопленочных резисторов (ТПР) на основе SnO стекло содержит, мас.%: ВаО 30,0-45,0; ,0-30,0; , 20,0-30,0; СаО 8,0-12,0; SnO 5,0-12,0; МпО 0,1-3,0; СиО 0,1-3,0. ТПР обладают уровнем.шумов 3 мкВ/В и Kni:K)0 10 l/B. 3 табл.

со)оз советсних социАлистичесни в

РЕСПУБЛИН

„„Я0„„14183

А1 (59 4 С 03 С 3/064

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

Ilo делАм изоБРетений и QTHpblTHA (21) 4186252/3)-33 (22) 06.0).87 (46) 23.08.88, Бюл. В 31

{71) Московский институт электронной техники (72) В.3, Петрова, Р,Ф. Шутова, Т.М. Морозова и А.В. Писляков

{53) 666.1)7.4(088,8) (56) Авторское свидетельство СССР

У )239)07, кл. С 03 С 3/064, 1985.

Авторское свидетельство СССР

Ф 1046209, кл. C 03 С 3/091» 1982

I (54) СТЕКЛО ДЛЯ РЕЗИСТОРОВ (57) Изобретение относится к составам стекол для реэистивных композиций на основе оксида олова (IV) и может быть использовано для изготовления толстопленочных резисторов в дискретном исполнении. C целью уменьшения уровня шумов и коэффициента напряже" ния (К„) толстопленочных резисторов (ТПР) на основе SnO стекло содержит, мас.Ж: Вао 30,0- 45,0; SiO 20,0-30,0;

B 0э 20,0-30,0; СаО 8,0-12,0; SnO

5,0-12,0; МпО 0,1-3,0; СиО 0,1-3,0.

ТПР обладают уровнем. шумов с3 мкВ/В и Кн<100 10 1>

14!8301 тность пред- Стекло для резисторов на основе

Sn0, включающее ВаО, SiO, В Оэ, о предлагае-35 СаО, SnO, о т л и ч а ю щ е е с. я тавлив ать тем, что, с целью уменьшения уровня шумов и коэффициента напряжения толстопленочных резисторов на основе, Sn0, оно дополнительно содержит

МпО и СиО при следующем соотношении компонентов, мас.Я: . ВаО 30,0-45,0

SiO 20,0-30,0

Во 20, 0-30,0

Са0 8,0-12,0

Sn0 5,0-!2,0

МпО 0,1-3,0

Си0 0,1-3,0

Таблица 1 ов, мас.Ж

Содержание компонент

Я .О В Оз СаО

Состав стекла

ВаО SnO< MnO< CuO

30 25 25 12 5 1,5 5

45 20 20 8 6,8 0,1 О, I

30 30 20 IO 8 1,0 1,0

Изобретение относится к составам стекол для резистивных композиций на основе оксида олова (ЕЧ) и может быть использовано для изготовления толстопленочных резисторов в дискретном .исполнении,. а также в составе

ГИС и БГИС для радио- и электронной техники, в частности наиболее эффективно использование в резисторах, к которым предъявляются повышенные требования по уровню шумов и стабильности к воздействию электрического напряжения.

Цель изобретения — уменьшение 15 уровня шумов и коэффициента напряже Ния толстопленочных резисторов на

Основе SnO, Дпя получения стекла в качестве сырьевых материалов используют хими- 20 ческие реактивы марок x.r.,г,r.g.a.

В О вводят через борную кислоту, остальные ингредиенты — через оксиды соответствующих элементов, стекло варят в корундизовых тиглях емкостью 25

200 мл в силитовых печах при !450+ о

+10 С, выдержка 30 мин.

Конкретные составы предлагаемого стекла представлены в табл. l.

Свойства стекол — коэффициент ли- 30 нейного термического расширения (КЛТР), дилатометрическая температура размягчения (t:>) и пло ставлены в табл. 2.

В отличие от иэвестног мое стекло позволяет изго толстопленочные резисторы на основе

Sn0 с согласованным КЛТР с материа.-. лом подложки (высокоглиноэемистая керамика) марки ВК-94-1, что обуславли- 40 вает повышение надежности резистивных микросборок и ГИС.

Синтезированные стекла измельчают на планетарной мельнице до удельной поповерхности 7500-8500 см /r, На каждом стекле изготавливают резистивные пасты с использованием органического связующего на основе. этилцеллюлозы.

В качестве проводящей фазы используют мелкодисперсный порошок, легированный

Sb O

Резистивные пасты наносят методом шелкографии на подложки из высокоглиноземистой керамики и вжигают в конвейерной печи с максимальной температурой 800-825 С (выдержка при этой . температуре 15+1 мин). Общий цикл вжигання 55-65 мин, среда вжигания— воздух. В качестве контактов исполь" эуют проводники на основе Ag-Pd.

Резистивные пленки, изготовленные на керамической подложке, имеют параметры, представленные в табл. 3.

Таким обраэом, использование предлагаемого сч екла в качестве стеклосвязки толстопленочных резисторов (ТПР) на основе SnO позволяет улучшить электрофизические параметры резисторов: уменьшить уровень шумов до

«с3 мкВ/В и коэффициент напряжений

6 до « -100 ° 10 1/В при электрической на-. грузке 5 Вт/см . При этом получены резисторы с широким диапазоном удельного поверхностного сопротивления от 5,1 кОм/О до 4„8 МОм!П с ТКС

«<890-10 град

Формула изобретения

1418301

Состав стекла

ВаО SiO В 08 I s

СцО

Таблица 2

Состав стекла

Св ойств а. стекла е, С

Плотность г/см

3,35

675

3,50

680

3,37

690

3,4,5

665

3,40

685

Таблнца3

ТКС, )О град-, в интервале С

Х, 10 Уровень

/S ув, в/в

Состав стекла

Толиииа ТПР от +20 до +IS5 от +20 до -60

-860

-6Щ6

1,2! 50:50 800

2 . 50:50 800

110+9

I

0,46

6825

-820

-8!О

3 50:50

825

56+5

- 80!

-828

-801

0,32

-4214 . 1 О

4 50:50 800

5 50:50 . 825

96+7

-816

-56+5 1,2

0,51

0,42

-40+3 1,0

52+3

-800

-790

l 60:40 800

-890

-880

-88+8

-5110

О., 33

2,8

0,45

0,8

1 40:60

800

-760

-808

-? 70

-45p4 0,7

1 35:65 800 ° 20-680

0,46

3 60:40

0,28

825

-820

-780

-72+$

2,6.

Э .. 40:60 825

3 35:65 825

-760

-40+3

)2@0,8 -800

0,7

0,35

6,!й3

-750

0,7

-650

0,37

-3312

Тираж 425 Подписное

ВНИИПИ Заказ 4120/25

Произв.-полигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Соотноыение стекла к $пО, мас.й

Температура вкигания

ТПР, С вЂ Продолжен табл.!

Содержание компонентов, мас.X

T J

35 20 30 9 5 0,5 0,5

32 21 21 8 12 3,0, 3,0

КЛТР"

«10 ! град

Удельное поверхностное сопротив- ление, кОи/О

4800+310

21+1,5

8,2+О, 5

2900+230

&««/В (после влаги

30 сУт), й.