Фотоноситель для одноступенчатой записи оптической информации

Фотоноситель для одноступенчатой записи оптической информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„ЯУ„„И18641

5И 4 С 03 С 5/О

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,13

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4100212/31-12 (22) 29.07,86 (46) 23.08.88. Бюл. ¹ 31 (71) Харьковский политехнический институт им. В.И.Ленина и Харьковский государственный университет им. А.И.Горького (72) Е.А.Лупашко, В.В.Иуссил и А.П.Овчаренко (53) 772.93(088.8) (56) Регистрирующие среды для голографии. /Под ред. Н.И.Брачевского и Н.И.Кириллова. — Л.: Наука, 1975, с. 143-147. (54) ФОТОНОСИТЕЛЬ ДЛЯ ОДНОСТУПЕНЧАТОЙ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМЖЯИ (57) Изобретение относится к фотоносителям для одноступенчатой записи информации и позволяет повысить качество фотоносителя путем увеличения его чувствительности и контрастности.

Для этого в фотсносителе между метал-, лическим слоем 2 и фоточувствительным слоем 4 расположена диэлектрическая прокладка 3, состоящая из одного или нескольких диэлектрических слоев.

Фоточувствительный слой 4 выполнен из халькогенидного стеклообразного полупроводника. 1 .ногослойное отражающее покрытие 5 фотоносителя и диэлектрическая прокладка 3 удовлетворяют условию I > 1- п, где R — коэффициент оптического отражения на границах фоточувствительного слоя; dn— фотоиндуцированное в результате записи изменение показателя преломления стеклообразнсго полупроводника на длине волны считывающего излучения.

4 ил.

Изобретение относится к регистрирующим материалам, содержащим полупроводниковый слой, для одноступенчатой фотографии и может быть использовано в устройствах записи — считывания оптической информации, голографии и др.

Целью изобретения является повы-. шение качества путем увеличения 10

его чувствительности и контрастности, На фиг. 1 схематически изображена конструкция предлагаемого фоточувствительного материала; на фиг. 2— расчетная зависимость фотоиндуциро- 15 ванного изменения коэффициента отражения Rc на длине волны считывающего излучения распри различных значениях коэффициентов отражения К на границах фоточувствительного слоя (йп ?О равно 0,1); на фиг. 3 — спектр оптического отражения; на фиг. 4 — зави,симость контраста фотозаписи от времени экспозиции.

Фотоноситель имеет подложку 1, металлический электронагревательный слой 2, диэлектрическую прокладку 3, состоящую из одного или нескольких диэлектрических слоев. Прокладка 3 30 расположена между металлическим слоем 2 и фоточувствительным слоем 4 из халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП). Фотоноситель имеет также многослойное отражающее покрытие 5 из чередующихся диэлектрических слоев с большим и меньшим показателями преломления на длине волны считывающего информационного излучения. Диэлектрическая прокладка 3 40 и многослойное покрытие 5 удовлетворяют условию

R 1 — дп, где R — - коэффициент оптического отражения на границах фоточувст- 45 вительного слоя;

dn — фотоиндуцированное в результате записи изменение показателя преломления стеклообразного полупроводника на. длине волны считывающего излучения.

При выводе соотношения учитывают необходимость фотоиндуцированного смещения полосы отражения на расстояние, превьппающее ее полуширину. Верхний предел R ограничивают реально достижимыми значениям- R 0,995, обусловленными потерями вета в слоях.

Значение Лп для выбранной длины волны считывающего излучения находят из изменений спектров оптического пропускания пленки ХСП и по известному дп выбирают структуру слоев 3 и 4.

Пример. Фотоноситель содержит стеклянную подложку из стекла К8, непрозрачный слой алюминия, слой криолита, слой сульфида мышьяка Аз Из и шесть чередующихся сдоев .из криолита и сернистого цинка. Слои приготавливают термическим напылением в вакууме 5 10 Па, при этом осуществляют

-1 фотометрический контроль коэффициента отражения на длине волны 1 =0,725 мкм из области прозрачности сульфида мышьяка, На фиг. 3 (кривая ) представлен спектр отражения фотоносителя вблизи указанной длины волны (aMплитуда полосы отражения Л Н=0,82, ее полуширина аА =7,5 нм).

В результате воздействия на фотоноситель активного излучения лазера с =0,44 мкм и интенсивностью

0,35 Вт/см2 полоса в спектре отражения смещается в длинноволновую область на 15 нм (фиг. ";, кривая 2), а коэффициент отражения на длине волны считывающего излучения (Дс=0,7?5 мкм) возрастает (примерно в 10 раз), что соответствует позитивному контрасту изображения. При этом значение показателя преломления As увеличивается на 0,07.

На фиг. 4 (кривая 1) приведена зависимость изменения контраста AQTO записи, определенного из отношения

Rñ от времени облучения. Поскольку

Нос с расположена вдали от края фундаментального поглощения сульфида мышьяка, контраст изображения при считывании не разрушается. При нагреве фотоносителя до 160+10 С в течение

15 мин путем пропускания электротока через слой алюминия полоса в спектре отражения смещается в коротковолновую область и контраст фотозаписи исчезает. В дальнейшем возможны циклы запись — стирание с высокой степенью реверсивности.

Для сравнения на фиг. 4 (кривая 2)

Rc изображена зависимость — — — от времеР„ ни светового воздействия на пленку

AsgSg приготовленную на высокоотражающем алюминиевом слое без дополни1418641 тельных диэлектрических слоев. Оптическую запись и считывание осуществляют светом с Л =0,44 мкм.

Из фиг. 4 (кривая 1) видно, что

5 при малых экспозициях и, следовательно, малых изменениях показателя преломления слоя полупроводника, несмотря на значительное увеличение чувст-. вительности (примерно на порядок), значение контраста записи меньшей максимально достижимого для данного образца.

Формула изобретения 15

Фотоноситель для одноступенчатой записи оптической информации, содержащий подложку, металлический электронагревательный слой и фоточувстви- gp тельный слой из халькогенидного стеклообразного полупроводника, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повьппения качества путем увеличения его чувствительности и контрастности, сн дополнительно содержит диэлектрическую прокладку, состоящую из одного или нескольких диэлектрических слоев, при этом прокладка расположена между металлическим и фоточувствительным слоями, и многослойное отражающее покрытие из чередующихся диэлектрических слоев с большим и меньшим показателями преломления на длине волны считывающего информацию излучения, при этом диэлектрическая прокладка и многослойное покрытие удовлетворяют условию

R) 1 — dn, где R — коэффициент оптического отражения на границах фоточувствительного слоя; ап — фотоиндуцированное в результате записи изменение показателя преломления стеклообразного полупроводника на длине волны считывающего излучения.

1418641

R,%

Составитель В.Аксенов

Pедактор С.Пекарь Техред Л.Олийнык Корректор М.Шароши

Заказ 4149/42

Тираж 442 Подписное

ВПИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно †графическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4