Постоянное запоминающее устройство

Постоянное запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых ПЗУ с многоразрядной организацией. Цель изобретения - упрощение устройства. Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит элемент ИЛИ 15, блок переадресации 17, группу элементов ИЛИ 18, дешифратор неисправных разрядов на элементах И 19 с соответствующими связями. Строка резервного накопителя 5 разбита на несколько частей, каждая из которых соответствует одному разряду устройства . Указанное соответствие устанавливается блоком переадресации 17. В результате одна резервная строка может занять несколько дефектных элементов памяти в разных строках основного накопителя 1. 2 нл. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) (51) 4. G 11 С 29/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

0m 23

Жа,1

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4175196/24-24 (22) 05.01.87 (46) 23.08.88. Бюл. 1(31 (71) Минский радиотехнический институт (72) Н.И.Урбанович (53) 681.327.6(088.8) (56) Электроника, 1981, т. 54,У 15, с. 26-40.

Патент Великобритании У 2129585, кл. G 11 С 29/00, опублик, 1984. (54) ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОйСТВО (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых ПЗУ с многоразрядной организацией. Цель изобретения — упрощение устройства.

Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит элемент ИЛИ

15, блок переадресации 17, группу элементов ИПИ 18, дешифратор неисправных разрядов на элементах И 19 с соответствукщими связями. Строка резервного накопителя 5 разбита на несколько частей, каждая из которых соответствует одному разряду устройства. Указанное соответствие устанавливается блоком переадресации 17. В результате одна резервная строка может занять несколько дефектных элементов памяти в разных строках основ- с ного накопителя 1. 2 ил. ф

14)8816

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупроводниковых ПЗУ с многоразрядной организацией.

Целью изобретения является упрощение устройства.

На фиг. 1 представлена структурная схема ПЗУ; на фиг. 2 — структурная схема блока переадресации.

ПЗУ содержит основной накопитель

1 со словарными 2 и разрядными 3 шинами и тактовыми входами 4, резервный накопитель 5, со словарной шиной

6 и разрядными шинами 7, резервный 15 усилитель 8 считывания, информацион ные входы 9 резервного накопителя 5, основные усилители 10 считывания с адресными входами 11, дешифратор 12 разрядов, блоки 13 сравнения, элемен- 20 ты И 14, элемент ИЛИ 15, выходы 16 элементов И 14, блок 17 переадресации, группу элементов ИЛИ 18 дешифратор неисправных разрядов, выполненных на элементах И 19, выходы 20 де- 25 шифратора неисправных разрядов, муль— типлексоры 21 с первыми и вторыми информационными входами 22 и 23, адресные входы 24 первой группы устройства, дешифратор 25 слов, адресные 30 входы 26 второй группы устройства, выходы 27 устройства.

Блок 17 переадресации (фиг.2) состоит иэ f групп 17, 17,...,17 г программируемых элементов, которые могут представлять собой транзисторные ключи, один иэ выводов которых через пережигаемую перемычку соединен с соответствующими элементами устройства (необходимые для пережи- 40 гания перемычек цепИ элементы не показаны). Количество групп программируемых элементов определяется разрядностью накопителя, т.е. числом одновременно опрашиваемых элементов 45 памяти. Фактически, в определенной группе элементов 17 должен храниться двоичный адрес чисел от 1 до

Следует подчеркнуть, что здесь рассматривается, как отмечапось, случай, когда дефекты появляются в отдельных (в любой строке может быть неисправной одна иэ f частей) группах элементов памяти, При появлении единичного сигнала на одном из вхо55 дов 16 программируемых элементов 17 на выходах элементов соответствующей группы будут логические сигнялы, соответствующие двоичному представлению числа, которое было запрограммировано.

Блоки 13 сравнения также состоят из аналогичных элементов и предназначены для хранения адреса дефектной строки.

Резервный накопитель 5 может представлять собой как отдельную строку элементов постоянной, так и оперативной памяти. Во втором случае занесение в накопитель 5 необходимой информации может осуществляться и в процессе работы устройства (необходимый для этого управляющий сигнал не показан). Однако возобновление состояния ячеек этого накопителя должно осуществляться сразу после включения устройства через информационные входы 9. При этом можно устранить не только дефекты производства элементов памяти (кристалла), но и отказы, появляющиеся в процессе эксплуатации устройства °

Предполагается, что в накопителе 5 дефекты не появляются. Единичный сигнал на выходе 20 элемента И 19 соответствует случаю, когда опрашиваемая часть строки является дефектной и считывание соответствующеro символа должно осуществляться не из накопителя 1, а из аналогичной части строки (точный адрес элемента задается сигналами на шинах 11) накопителя 5.

Дефектные элементы памяти основного накопителя 1 обнаруживаются в процессе функционального контроля устройства (кристалла памяти) ° При этом первым может быть обнаружен дефект (или несколько дефектов) в одной из частей строки. Адрес этой строки программируется в первом из блоков 13, а двоичный номер — в соответствующей группе программируемых элементов 17, . Соответствующие адреса обнаруженных в последующем дефектных элементов идентифицируются с состоянием следующих блоков 13 и групп элементов в блоке 17. При обнаружении дефектов часть строки с дефектными элементамн заменяется соответствующей частью строки накопителя 5, т.е. в эту часть строки 5 заносится информация, которая должна храниться в строке накопителя 1. Ясно, что при испо: ьзовании только одной резервной стпоь.и,допускается появление не более едпого дефекта в

1418816 строке в каждом из поднакопителей в накопителе 1. По схожему принципу можно испольэовать сколько угодно ре зе рв ных с тро к.

Устройство работает следующим образом.

Адрес опрашиваемой для чтения ячейки накопителя 1 задается адресом 26 столбца и адресом 24 строки накопителя 1 ° Если в опрашиваемой строке накопителя 1 нет ни одного неисправного элемента (по крайней мере, ранее обнаруженного), то ни на одном из выходов элементов И 14 не будет единичного сигнала, которого не будет и на словарной шине 6 строки накопителя 5> а также ни на одном из выходов 20 элементов и 19.

Вместе с тем, единичные сигналы установятся на одной из словарных шин

2 на соответствующих упранляющих шинах 11 (разрядных шинах 3 накопителя) усилителей 10 считывания (а также на соответствующих шинах усилителей 8 считывания). В соответствии с этим на выходах 22 усилителей 10 считывания установятся считанные информационные символы, которые по нулевому сигналу 20 через мультиплексоры

2I попадут на информационные выходы устройства.

Если же при обращении к строке накопителя 1 в одной из ее частей ранее были обнаружены неисправные элементы памяти, то наряду с выборкой оснонной ячейки в накопителе 1 происходит обращение и к строке накопителя 5. Последнее обеспечивается тем, что в одном из блоков 13 происходит совпадение адреса 24 с запрограммированным в этом блоке адресом дефектной строки, в результате чего на выходе соответствующего элемента И 14 будет единичный сигнал, который через элемент ИЛИ 15 разрешит обращение к строке накопителя 5. Параллельно с этим единичный сигнал с выхода элемента И 14 поступит на вход соответствующей группы программируемых элементов блока 17, где запрограммирован двоичный номер части строки с дефектами. Этот двоичный номер установится и на выходах элементов ИЛИ

18, а также на выходе 20 одного из элементов И 19. В соответствии с этим на управляющем входе определен ного мультиплексора 21 будет единичный сигнал, который пропустит на ныход этого мультиплексора бит информации, считанный из накопителя 5, остальные биты искомого слова считываются из строки накопителя 1, пос5 кольку на входах 20 остальных мультиплексоров 21 — нулевые уровни.

Формула и э о б р е т ения

Постоянное запоминающее устройство, содержащее основной и резервный накопители, основной и резервный усилители считывания, дешифратор слов, дешифратор разрядов, блоки сравнения, элементы И, мультиплексоры, выходы которых являются выходами устройства, первые информационные входы мультиплексоров соединены с соответствующими выходами основных усилителей считывания, а вторые — с соотнетст20 вующими выходами резервных усилителей считывания, информационные входы которых подключены к соответствующим разрядным шинам резервного накопителя, а адресные входы соединены с со25 ответствующими адресными входами основных усилителей считывания, инфор— мационные входы которых подключены к соответствующим разрядным шинам основного накопителя, словарные шины дб которого подключены к соответствующим выходам дешифратора слов, входы которого являются адресными входами первой группы устройства и соединены с соответствующими входами блокон

35 сравнения, выходы которых соединены с входами соответствующих элементов

И, адресные входы основных усилителей считывания соединены с соответствующими выходами дешифратора разря40 дон, входы которого являются адресными входами второй группы устройства, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, оно содержит элемент ИЛИ, группу

45 элементов ИЛИ, блок переадресации, дешифратор неисправных разрядон, выходы которого соединены с входами управления коммутацией соответствующих мультиплексоров, адресные входы соединены с выходами соотнетстнующих

50 элементов ИЛИ группы, входы которых соединены с соответствующими выходами блока переадресации, входы которого соединены с выходами соответствующих элементон И и с соответствующими

55 входами элемента И IH, выход которого подключен к словарной шине резервного накопителя и соединен с входом сброс.. дешифратора непспранплх ра 1рядон.

1418816

Ъ т е> с

Составитель С. Королев

Техред И. Ве ре с Корректор М. Васильева

Редактор Г.Гербер

Заказ, 4162/51

Проектная, 4!

1ронзв<>дcтвeннo-полиграфическое предприятие, г. Ужгор< л, ул.

Тираж 590 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Ъ

Ъ

"1

Ъ) ф» ф

1 т