Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя

Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

№ 141907

Класс 21с, 2„

СССО

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа JN 91

li. П. Крыжановский, А. Я. Кузнецов и А. Н. Каштанов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ

Заявлено 27 января 1961 г за № 695276/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 20 за 1961 г.

Известные способы получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя, основанные на покрытии диэлектрика проводящим слоем путем вакуумного испарения при высоких температурах (порядка 400 — 600 ), непригодны для диэлектриков, имеющих низкую температуру размягчения, и не обеспечивают возможности получения электропроводящего слоя, прозрачного в анодной и инфракрасной областях спектра, В предлагаемом способе диэлектрик покрывают тонким слоем металлической меди с помощью вакуумного испарения и подвергают воздействию паров серы. Это дает возможность получить электропроводящий слой, прозрачный в видимой и инфракрасной областях спектра и пригодный для диэлектриков с низкой температурой размягчения.

В соответствии с описываемым способом, на поверхность диэлектрика под давлением 5.10 — 10 — "мм рт. ст. вакуумным испарением наносят слой металлической меди, причем интегральное светопропускание этих слоев находится в пределах 10 — 70/o. Покрытый слоем меди диэлектрик подвергают воздействию паров серы при температуре 70 — 90 в закрытом сосуде в течение 0,5 — 5 час в результате чего на поверхности диэлектрика образуется электропроводящий слой, состоящий из сернистых соединений меди. В зависимости от толщины (светопропускания) слоя металлической меди получают электропроводящий слой сернистой меди с удельным поверхностным сопротивлением порядка 10 — 10 ом и светопропусканием в видимой и инфракрасной областях спектра порядка 30 — 90 /О. С увеличением сопротивления прозрачность токопроводящего слоя возрастает.

Описанный способ дает возможность получать слои, сохраняющие свои электрические и оптические свойства при длительном воздействии температур порядка 100 — 120 и пропускании постоянного и переменного тока и может найти применение для устранения запотевания и облеПредмет изобретения

Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя, основанный на покрытии диэлектрика проводящим слоем путем вакуумного испарения, отличающийся тем, что, с целью получения электропровогящего слоя, прозрачного в видимой и инфракрасной областях спектра, слой металлической меди, нанесенный на диэлектрик вакуумным испарением, подвергают воздействию паров серы.

Редактор Н. С. Кутафина Техред А А. Кудрявицкая Корректор Ю. М. Федулова

Додп. к печ. 5.X-61 г

Зак. 9676

Формат бум 70)(108 /1а

Тираж 1200

ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д.

Объем 0,18 изд. л.

Цена 4 коп. открытий

2/6

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14. № 141907 — 2— ! .денения смсщ фвйх стекол из органических материалов, снягия электростатических зарядов с поверхности диэлектриков, нагрева оптических матерМ11Ов"; прбур ачных в инфракрасной и видимой областях спектра, а. такуц р у честве прозрачного электрода в электролюминесцентных устроиствах, использующих органическое стекло взамен тяжелого и хрунядгЬ свВМатного стекла.