Способ предотвращения диффузии примесей из изделий из кварцевого стекла в расплав полупроводникового металла

Способ предотвращения диффузии примесей из изделий из кварцевого стекла в расплав полупроводникового металла

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

а ; ., (Класс Яфа-, ф-№ 141999 ссср

1 О СО!О;1Ч Ф

1аЛТ

ТЕХНО.! ь1;РД и.йtaon>

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа JH 145

А. И. Запорожский и О. К. Ботвинкин

СПОСОБ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ ДИФФУЗИИ ПРИМЕСЕЙ

ИЗ ИЗДЕЛИЙ ИЗ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА В РАСПЛАВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МЕТАЛЛА

Заявлено 20 марта 1961 г. за ЛЬ 722900/29 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Лв 20 за 1961 г.

Известны способы предотвращения диффузии примесей из изделий из кварцевого стекла в расплав полупроводникового металла. Однако эти способы недостаточно эффективны.

В описываемом способе для предотвращения термодиффузии примесных ка1ионов из изделия, изготовленного из кварцевого стекла, и усиления сорбционных свойств его внутренней поверхности на наружную поверхность изделия от маломощного источника постоянного тока подают ток мощностью 50 — 100 миллиBàтт на 1 слР рабочей поверхности изделия из кварцевого стекла.

На чертеже изображено устройство для осуществления способа.

Способ предотвращения диффузии примесей состоит в том, что при выращивании монокристалла 1 из расплава 2 полупроводникового металла на наружную поверхность 8 изаелия 4 из кварцевого стекла, в котором происходит процесс плавки и выращивания монокр1цталла 1, подают отрицательное смещение от маломощного источника тока, имеющего хорошую стабилизацию. С этой целью между изделием 4

h графитовым катодом б помещают тонкий слой б графитового порошка. Электрическая мощность, обусловленная напряжением смещения. составляет 50 — 100 милливатт на 1 снз рабочей поверхности 7 и..;!елия 4. Величину напряжения отрицательного смещения принимаю г в пределах 100 — 200 в на 1 л1л толщины стенки 8 изделия 4, Но не менее 400 в при толщине стенки, меньше 3 лл.

При подаче отрицательного электрического смещения на нару.к ную поверхность 8 изделия 4 в системе расплав 2 — изделие 1- -катод б возбуждают слабый электрический ток, обусловленньш диффузионным перемещением примесных катионов, содержащихся в кварцевом стекле изделия 4, от внутренней положительно заряженной поверхности 7 изделия 4 к наружной поверхности 8, находящейся по 1

1999 отрицате!р йым потенциалом. Этим снижают термодиффузию примесных катионов из .материала изделия 4 в расплав 2 полупроводникового металла ввиду наличйя искусственно возбужденного энергетиче.кого барьера, обуслевленного постоянным электрическим полем, в котором находится материал изделия 4, Одновременно происходит усиление сорб11ионйых "свойств внутренней поверхности 7 изделия 4, 9TQ способствует удержанию примесных частиц, содержащихся в расплзве 2 полупроводникового металла, вблизи поверхности 7 вследствие усиления поляризационного пограничного эффекта.

Описываемый способ позволяет резко повысить чистоту и качество полупроводниковых монокристаллов.

Предмет изобретения

Способ предотвращения диффузии примесей из изделий из кварцевого стекла в расплав полупроводникового металла, о т л и ч а ющи йся тем, что, с целью предотвращения термодиффузии примесных катионов из кварцевого изделия и усиления сорбционных свойств

его внутренней поверхности, на наружную поверхность кварцевого изделия маломощным источником постоянного тока подают ток мощностью 50 †1 милливатт на 1 сл рабочей поверхности кварцевого изделия.

Составитель В. А. Бродский

Редактор А. К. Лейкина Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Ю. М. Федулова.

Поди. к печ 29.Х!1-61 г

Зак. 13055

Формат бум. 70Х108 /, Тираж 750

ЦБТИ прн Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкас кнй пер., д. 2/б, Объем 0,18 нзд. л.

Цена 4 коп

Типография ЦБТИ Комитета по делам изобр.тений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14.