Формирователь импульсов напряжения на емкостной нагрузке

Формирователь импульсов напряжения на емкостной нагрузке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение может быть использовано , например, дпя управления электрооптическими световыми затворами и дискретными рефлекторами. Цель изобретения - уменьшение мощности потребляемой от схемы управления, достигается за счет введения резистора 7, который включен между коллекторами транзисторов 2 и 5, и двух транзисторов 3 и 4, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами 9 и 10. Базы транзисторов 2 и 5 являются входами формирователя. Положительный импульс, поданный на базу транзистора 5, от - крывает его. В разрядном ключе развивается регенеративный процесс, в результате которого емкостная нагрузка 11 разряжается. При этом напряжение с перехода база-эмиттер транзистора 3 и напряжение с резистора 7 подаются на переход база-эмиттер транзистора 4 и надежно закрьшают его, что предотвращает включение зарядного клю-g ча Длительность управляющего импульсу в данном устройстве определяется только моментом возникновения регенеративного процесса, т.е. значительно короче, чем в прототипе, 2 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 Н 03 К 5/02 k-7

1,,д

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ с

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО.ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4104522/24-21 (22) 30,05.86 (46) 23.09.88. Бюл, и 35 (71) Уральский политехнический институт им, С.М.Кирова (72) В.Е.Волков, Б.В.Гусев, В.А.Мат-. виенко и Б.Н,Плотников (53) 621.374,3(088,8) (56) Патент США М 3649851, кл, Н 03 К 3/26, 1972, Патент США !! 3751682, кл. Н 03 К 17/00, 1973. (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ НАПРЯЖЕНИЯ НА ЕМКОСТНОЙ НАГРУЗКЕ (57) Изобретение может быть использовано, например, для управления электрооптическими световыми затворами и дискретными рефлекторами, Цепь изобретения — уменьшение мощности потребляемой от схемы управления, достигается sa счет введения резистора 7, ко. 80„„1425820 А1 торый включен между коллекторами транзисторов 2 и 5, и двух транзисторов

3 и 4, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами 9 и 10. Базы транзисторов 2 и 5 являются входами формирователя. Положительный импульс, о поданный на базу транзистора 5, от— крывает его. В разрядном ключе развивается регенеративный процесс, в результате которого емкостная нагрузка

11 разряжается. При этом напряжение с перехода база-эмиттер транзистора

3 .и напряжение с резистора 7 подаются на переход база-эмиттер транзистора 4 и надежно закрывают его, что предотвращает включение зарядного клю-ф ча . Длительность управляющего импуль- са в данном устройстве определяется только моментом возникновения регене- С ративного процесса, т.е. значительно короче, чем в прототипе. 2 ил.

1425820

Изобретение относится к импульснойтехнике, в частности к формированию импульсов напряжения на емкостной нагрузке, и может быть использовано,на« 5

Пример для управления электрооптическими световыми затворами и дискретными дифпекторами.

Цель изобретения — уменьшение мощности, потребляемой от схемы управле- 1р ния °

На фиг. 1 представлена принципи альная электрическая схема устройства; на фиг. 2 - временные диаграммы его работы ° f5

Формирователь импульсов напряжения на емкостной нагрузке (фиг. 1) содержит источник.1 питания, р-и-ртранзисторы 2 и 3, п-р-и-транзисторы 4 и 5, резисторы 6-10. Коллектор 20 транзистора 2 соединен с базой транзистора 3 и с резистором 7, второй вывод которого соединен с коллектором ! транзистора 5 и базой транзистора 4.

Коллектор транзистора 3 соединен с 25 базой транзистора 5 и резистором 8, гитарой вывод которого соединен с эмиттером транзистора 5, отрицательным. электродом источника 1 питания нагрузкой. Коллектор транзистора 4 30 соединен с базой транзистора 2 и резистором 6, второй вывод которого соединен с эмиттером транзистора 2 и положительным электродом источника питания. Змиттеры транзисторов 3 и 4 соединены с резисторами 9 и 10 и с нагрузкой 11, резисторы 9 и 10 соединены с базами транзисторов 3 и 4, Базы транзисторов 2 и 5 являются входами формирователя, 40

Формирователь работает следующим образом.

Пусть в исходном состоянии все транзисторы закрыты, а емкость нагрузки 11 разряжена. В момент времени 4» на базу транзистора подается отрицательный запускающий импульс. Тран" эистор 2 приоткрывается, его коллекторный ток, проходя через резистор 7 и переход база-эмиттер транзистора 4, приоткрывает его, Коллекторный же ток транзистора 4 является базовым то-. ком транзистора 2. В зарядном ключе развивается регенеративный процесс, в Результате чего напРяжение на емко- 55 сти нагрузки по окончании процесса заряда становится равным напряжению источника 1 питания. Во время заряда емкости нагрузки напряжение с резистора 7 и перехода база-эмиттер транзистора 4 приложено к переходу база-эмиттер транзистора 3 и является дпя него запирающим, что предотвращает включение разрядного ключа эа счет протекания емкостных токов.

Аналогичные процессы протекают при работе разрядного ключа. Положительный импульс, подапный на базу транзистора 5 в момент времени t, приоткрывает его,и в разрядном ключе развивается регенеративный процесс, в результате которого емкостная нагрузка 11 разряжается. Причем напряжение с перехода база-эмиттер транзистора

3 и напряжение с резистора 7 подаются на переход база-эмиттер транзистора 4 и надежно закрывают его, что предотвращает включение зарядного ключа. Длительность управляющего импульса в предлагаемом устройстве определяется только моментом возникновения регенеративного процесса, т.е. значительно короче, чем в известной схеме.

Формула и з о б р е т ения

Формирователь импульсов напряжения на емкостной нагрузке, содержащий первые р-п-р- и п-р-п-транзисторы, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами, причем эмиттер р-и-р-транзистора подключен к положительному полюсу, а эмиттер и-р-и-транзистора — к отрицательному полюсу источника питания, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения мощности, потребляемой от схемы управления, введены резистор, подключенный между коллекторами указанных TpGH3HciopoB и вторые р-и-р и и-р-и-транзисторы, переходы база-эмиттер которых также зашунтированы резисторами, эмнттеры вторых р-и-р- и и-р-и-транзисторов объединены и подключены к выходной клемме формирователя, базы подключены соответственно к коллекторам первых транзисторов одноименного типа проводимости, а коллекторы — к базам первых транзисторов противоположного типа проводимости, которые являются входаии формирователя.

Составитель С.Соснин

Редактор Н.Яцола Техред А.Кравчук Корректор М,Максимишииец

Заказ 4782/54 Тираж 928 Подписное

В11ИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4