Микрополосковый аттенюатор

Микрополосковый аттенюатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - увеличение рабочей мощности. СВЧ-сигнал, поступающий на входную контактную площадку 2, частично рассеивается в пленочном резистивном слое 5, и его оставшаяся часть снимается с выходной контактной площадки 3. Часть СВЧ-тока направляется от площадки 2 к заземляющей контак тной площадке 4, при этом линии СВЧ-тока огибают площад ку 3. Однако за счет расположения гшощадки 3 на слое 5 и выполнения площадки 2 в контакте с кромкой слоя 5 по всей ее длине обеспечивается уменьшение плотности СВЧ-тока в зоне площадки 2, т.е. в области максимального рассеяния СВЧ-мощности. Это § уменьшает перегрев слоя 5, что увели- - чивает рабочую мощность. 1 ил. /

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 Н 01 P 1/22

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4256964/24-09 (22) 07.04.87 (46) 30.10.88. Бюл. № 40 (72) P.Ã.Íàñûðîâ, Н.М,Максимов и С.Л.Брусов (53) 62 1.372„852.3 (088,8) (56) Патент Японии № 57-61203, кл. Н 01 Р 1/22, 1982.

Хренова А.И., Попов А,И. ШирокопоЛосные микрополосковые фиксированные аттенюаторы. — Электронная техника, сер. 10. Микроэлектронные устройства, 1980,. вып. 5/26, с. 16, рис.

26. (54) МИКРОПОЛОСКОВЫИ АТТЕНЮАТОР (57) Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения — увеличение

„„SU„„3434514 д1 рабочей мощности. СВЧ-сигнал, поступающий на входную контактную площадку 2, частично рассеивается в пленочном резистивном слое 5, и его оставшаяся часть снимается с выходной контактной площадки 3. Часть СВЧ-тока направляется от площадки 2 к заземляющей контактной площадке 4, прп этом линии СВЧ-тока огибают площад ку 3. Однако за счет расположения площадки 3 на слое 5 и выполнения площадки 2 в контакте с кромкой слоя

5 по всей ее длине обеспечивается уменьшение плотности СВЧ-тока в зоне площадки 2, т.е. в области максимального рассеяния СВЧ-мощности. Это с

<О уменьшает перегрев слоя 5, что увеличивает рабочую мощность. 1 ил.

1434514

Формула и э о 6 р е т е н и я

Составитель В.Алыбин

Техред М.дидык Корректор В.Гирняк

Редактор А.Ревин

Заказ 5563/55

Тираж 633

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к технике ВЧ и может быть использовано в миниатюрных устройствах и трактах.

Цель изобретения — увеличение ра5 очей мощности.

На чертеже показана конструкция микрополоскового аттенюатора.

Микрополосковый аттенюатор содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой размещено заземляющее основание (не показано), а на другой стороне — входная 2, выодная 3 и заземляющая 4 контактные ощадки и пленочный резистивный 15 слой 5. Входная контактная площадка и заземляющая контактная площадка подключены к противоположным кром ам пленочного реэистивного слоя 5

1 о всей их длине, а выходная контакт-20 йая площадка 3 размещена на пленоч,ном резистивном слое 5.

Микрополосковый аттенюатор работа т следующим образом.

СВЧ-сигнал, поступающий на вход ную контактную площадку 2, частично

1 рассеивается в пленочном резистивном ое 5, а его оставшаяся часть сниается с выходной контактной площади 3.

30 !

Работа микрополоскового аттенюато1 а аналогична работе аттенюатора, потроенного по П-образной схеме, так ак часть СВЧ-тока за счет располоения входной 2 и заземляющей 4 контактных площадок, на противополож" алых кромках пленочного резистивного слоя 5 направляется от входной контактной площадки 2 к заземляющей контактной площадке 4, при этом линии

СВЧ-тока огибают выходную контактную площадку 3. Однако расположение выходной контактной площадки 3 на пленочном резистивном слое 5 и выполнение выходной контактной площадки 2 в контакте с кромкой пленочного резистивного слоя 5 по всей ее длине обеспечивает уменьшение плотности СВЧтока в зоне входной контактной площадки 2, т.е. в области максимального рассеяния СВЧ-мощности. Благодаря этому уменьшается перегрев пленочного резистивного слоя 5 и достигается увеличение рабочей мощности.

Микрополосковый аттенюатор, содержащий диэлектрическую подложку. на одной стороне которой размещено заземляющее основание, а на другой стороне "- входная, выходная и заземляющая контактные площадки, подключенные к пленочному реэистивному слою, причем входная и заземляющая контактные площадки подключены к

его двум кромкам соответственно, отличающийся тем, что, с целью увеличения рабочей мощности, выходная контактная площадка размещена на пленочном резистивном слое, а входная и заземляющая контактные площадки подключены к его противоположным кромкам по всей их длине.