Устройство для измерения температуры
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к приборостроениго и может быть использовано для измерения температуры объектов. Изобретение является усовершенствованием устройства по авт.св.Р 1206628, где, с целью повышения точности, между первой парой диодов 4, 5 и общим проводом схемы введен резистор 10, с помощью которого осуществляют компенсацию объемного омического сопротивления диодов 4, 5 и 8, 9, причем отношение сопротивления резистора 10 к омическому сопротивлению диода равно отношению разности сопротивлений терморезисторов 6, 7 к сопротивлению терморезистора 7. 1 ил.
(д у С Оl К 7/24
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЭОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTMA (61) 1206628 (21) 4248154/24-10 (22) 19.05.87 (46) 07.11.88. Бюл. Р 41 (71) Ленинградский гидрометеорологический институт (72) В.А. Степанюк (53) 536.531(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
Р 1206628, кл. G 01 К 7/24, 1983. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ TENIIEРАТУРЦ (57) Изобретение относится к приборостроению и может быть использовано
„.ЯО„, 1436095 А2 для измерения температуры объектов.
Изобретение является усовершенствованием устройства по авт.св.Р 1206628, где, с целью повышения точности, между первой парой диодов 4, 5 и общим проводом схемы введен резистор 10 с помощью которого осуществляют компенсацию объемного омического сопротивления диодов 4, 5 и 8, 9, причем отношение сопротивления резистора IО к омическому сопротивлению диода равно отношению разности сопротивлений терморезисторов б, 7 к сопротивлению терморезистора 7. l ил.
1436095 резистора !О соотве тс тв енно; — объемное омическое
В1 — В2 1
v 3.
R1
R.-, Ез+ Ra ем
R3 . R1 - R2.
Изобретение Относится к приборо"" строени0, может быть использовано в составе измерительных систем для измерения температуры всесозможных объ5 еКТоВ и является усовершенствовани(и изобретения по авт. св. !1" 1206628.
Целью изоб етения является повышение точности измерения уменьщения влияния объемного омическсго сопро- 1О тивления логарифмирующих диодов.
На чертеже приведена эпектричес кая схема предлагаемого устройства.
Устройство для измерения темпера-!
,туры содержит операционный усилите-- :, (ОУ) 1, первый резистор 2, конденса тор 3> первую пару диодов 4 и 5, пер, вый термореэистор 6, второй терморе, эистор 7, вторую пару диодов 8 и 9
:и второй резистор 10.
,.)
Предлагаемое устройство является ! мультивибратором. Учет омического
: сопротивления диодов и введенного ре,; зистора 10 приводит к появлению на эквивалентной схеме устройства до- 25 полнительных сопротивлений, включенных последовательно с дисдами. В итоге в составе напряжений на каждом из входов ОУ присутствуют составляющие напряжения, определяемые омическими 30 сопротивлениями делителей, подключенных к общему проводу схемы устройства. Различие в величинах токов в делителях, определяемых различием в величинах сопротивлений терморезисторов, приводит r формированию в напряжении управляющей обратной связи разностного напряжения рассматриваемых составляющих с экспоненц -:альной зави-: симостью от измеряемой температуры. gg
Учитывая, что данные составляющие подключены к дифференциальным входам
ОУ с одинаковым коэффициентом передачи, исключение данного разностного напряжения может быть обесгечено при равенстве коэффициентов делителей по омнческим составляющим последних, т.е. при условии
Преобразуя выражение (1), полу-га-где В Н k — сопротивление термаз резисторов 6 и 7 и согротивление одного диода..
Выполнение условия на выбор сопротивления R> введенного второго резистора 10 обеспечивает. компенсацию влияния объемнь х омических сопротивлений логарис мических диодов на линейность зависимости частоты генерации устройства от измеряемой температуры. В известном устройстве сопротивления полупроводниковых терморезисторов удовлетворяют условию
32 = Р,exp -=, В„> В2, (3)
В - Б где В,-, Б2 — постоянные первого 6 и второго 7 терморезисторов зависящие,от физических свойc тв полупроводникового материала терморезистора, К.
На резиетивные элементы известного устройства наложено также условие
R,2 < R (c R .- где R — сопротивление первого резистора 2.
При учете изменчивости сопротивлений терморезисторов от температуры удовлетворение условию (1) также обеспечивается с приемлемой точностью. Прео бразует выражение (3) с учеучетом (1) 1!.Ь RA, H f Б2
= ехр т
При практическом подборе пар терморезисторов
В соответствии с этим приближенHGe описание экспоненциальной зависимости в правой части выражения (4) степенным рядом приводит к быстрой сходимости последнего при учете вы-.ражения (5), что позволяет ограничиться первыми членами .разложения.
С учетом этого (4) преобразуется к виду
R; ., В1 — В2 (В, -82)
2 .ь — = +
Р. Т 67 а
i 6) Подставляя i,исленные значения по выражению (5), имеюглеся в практччес143б095
4 ких случаях, в выражение (6), полу- Ф к.,лу-ормула изобретения
Ra Bt - Вг — ((7) Рй
4 2 где R, B. — сопротивления соответственно первого и второго терморезисторов; сопротивление второro резистора; объемное омическое сопротивление одного логарифмирующего диода.
Составитель А. щедрин
Техред М.Ходанич Корректор М. Васильева
Редактор И. Шулла
Заказ 5645/47 Тираж 607 Подписно е
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4
При выборе величины сопротивления
Н по выражению (7) ос таточная, нескомпенсированная составляющая этого соотношения, определяемая остаточными 1 О членами разложения, на порядок ниже
1основной величины первого члена), со о тв етс твенно, на по рядок ниже и вносимая нелинейность в характеристику преобразования устройства. Учитывая, что максимальное влияние объемного омического сопротивления диодов проявляется при максимальных токах в делителях (когда сопротивления терморезисторов минимальны), целесообразно выбор величины сопротивления
Е резистора 10 по условию (1) производить по сопротивлениям терморезисторов в зоне верхней границы диапазона измеряемых температур. 25
Устройство для „измерения температуры по авт. св. Р 1206628, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерения за счет уменьшения влияния объемного омического сопротивления логарифмирующих диодов, между первой парой диодов и общим приводом введен второй резистор, сопротивление которого удовлетворяет соотношению