Устройство для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов

Устройство для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится кобласти микроэлектроники. Устройство для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов содержит источник поля поляризованного света,в виде лазера 1, поляризаторы 2, 3, непрозрачный экран 6, магнитную систему 4, пространственный фильтр в виде эллипсоидального зеркала 5, состоящего из двух частей с границей рйздела, проходящей через малую ось эллипса и перпендикулярной его большой оси, и служащего для сбора диффрагирующих лучей на чувствительной поверхности фотоприемника 7. При этом один из фокусов эллипсоидального зеркала 5 совмещен с плоскостью пленки 8 в точке выхода лучей лазера Q 1, а другой фокус - с чувствительной поверхностью фотоприемника 7. Устройство высокочувствительно. 1 ил. (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСН ИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 G 01 R 33/05 с.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ т

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ

t м< I, t g„I (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЯ КОЛЛАПСА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ (57) Изобретение относится к. области микроэлектроники, Устройство для из4 (21) 4006830/24-21 (22) 06.01.86 (46) 15. 11.88, Бюл. Р 42 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро Донецкого физикотехнического института АН УССР (72) Г.Ф.Темерти, В.Г.Аленин и Ю.А.Службин (53) 621.317.44 (088.8) .(56) Smith А.В., Bekebrede W.R, Nonvisual measurement of collapse field

in Smabilbubble garnets, — Rev. Sci °

Instr 52, 1981, N 11, р.1737-1748.

„„Я0„„1437813 А1 мерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов содержит источник поля поляризованного света, в виде лазера 1, поляризаторы

2, 3, непрозрачный экран б, магнитную систему 4, пространственный фильтр в виде эллипсоидального зеркала 5, состоящего из двух частей с границей раздела, проходящей через малую ось эллипса и перпендикулярной его большой оси, и служащего для сбора диффрагирующих лучей на чувствительной поверхности фотоприемника 7. При этом один из фокусов эллипсоидально"

ro зеркала 5 совмещен с плоскостью пленки 8 в точке выхода лучей лазера

1, а другой фокус — с чувствительной

Щ поверхностью фотоприемника 7. Устройство высокочувствительно . 1 ил, С::

14378 13

Для облегчения изготовления зеркало состоит из двух частей с границей раздела, проходящей через малую ось эллипса и перпендикулярной большой оси.

Поляризаторы 2 и 3 установлены так, что плоскости поляризации прохо- 30 дящего света пересекаютс по оси устройства и повернуты на угол 90 друг относительно друга. Между поляризаторами в магнитную систему помещена контролируемая доменосодержащая пленка 8. Магнитная система 4 содер35 жит пару катушек, обеспечивающих в зоне контролируемого образца нормальное поле, достаточное цля коллапса

ЦМД в пленке ° Зеркало 5 служит для

40 сбора диффрагирующих лучей на чувствительной поверхности фотоприемника

7. Для упрощения изготовления и монтажа зеркала его части за пределами фокальных плоскостей удалены. Один иэ фокусов зеркала 5 совмещен с плоскостью пленки 8 в точке выхода лучей лазера 1, а в области другого зеркала помещен фотоприемник 7, Экран 6 служит для надежного перекрытия недефраЯСоставитель A,Pî

Редактор Л,Пчелинская Техред Л.Сердюко

Ф о р м у л а и э о б р е т е н и я

Корректор Л.Пилипенко

Заказ 5890/46

Тираж 772 Подписное

В11ИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий!

13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Производственно-голиграфическое предприятие, r, Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к магнитометрии, касается техники измерения параметров магнитных материалов в микроэлектронике а именно для изме1

5 рения напряжения поля коллапса цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) в эпитаксиальных феррит-гранатовых пленках, и может быть использовано в производстве микросхем на ЦМД для входного контроля материалов, а также для научных исследований.

Цель изобретения — упрощение и повышение чувствительности измерений.

На чертеже показана функциональная 15 схема устройства °

Устройство содержит установленные соосно источник света в виде лазера

1, поляризаторы света 2 и 3, магнитную систему 4, эллипсоидное зеркало

5, непрозрачный экран 6 и фотоприемник 7. гированного света и выполнен в виде диска, Размещен экран на растяжках в центральной части зеркала 5 соосно с ним. Устройство регулирования и измерения поля, а также канал обработки сигнала фотоприемника на чертеже не показаны. Работа по измерению напряженности поля коллапса II заключаеT ся в следующем.

Контролируемый образец доменосодержащей пленки 8 помещают в магнитную систему 4. Свет лазера 1, поляризованный поляризатором 2, пронизывает пленку и иэ-за наличия в ней ЦМД дифрагирует, а затем собранный эллиптическим зеркалом 5 фокусируется в нижнем (по чертежу) фокусе, попадая на фотоприемник 7. Недифрагированный пучок света перекрывается экраном 6 и не попадает на фотоприемник ° При увеличении поля в магнитной системе сигнал с фотоприемника скачкообразно уменьшается в момент исчезновения дифракции из-за коллапса ЦМД, Зафиксированная в этот момент величина поля в зоне расположения образца численно равна полю коллапса ЦМД для контролируемой пленки.

Устройство для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, содержащее оптически последовательно расположенные источник поля поляризованного света, поляриза тор, магнитную систему, пространственный фильтр, непрозрачный экран и фотоприемник, о т л и ч а ю ш е е с я тем, что, с целью упрощения и повышения чувствительности измерений, пространственный фильтр выполнен в виде эллипсоидального зеркала, сосгоящего из двух частей и установленного при совмещении одного из фокусов зеркала с точкой выхода лучей из пленки, а другого фокуса с чувствительной поверхностью фото" приемника. г манов