Поглощающее устройство

Поглощающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - обеспечение работы в мм-диапазоне длин волн. По металлодиэлектрическому волноводу, образованному диэлектрическими брусками 1 , 2 и 3 и проводниками 4 и 5, распространяется СВЧ-сигнап, которьй поглощается в резистивных слоях 6 и 7. Эффект поглощения СВЧ-сигнала происходит за счет того, что резистивные слои 6 и 7, ширина которых больше ширины бруска 1, охватывают области краевых электромагнитных полей, а также за счет того, что отраженные сигналы от соединенных между собой концов резистивных слоев 6 и 7 при обратном проходе претерпевают в них дополнительное ослабление. 2 ил.

"Ф ф

СОВХОЗ СОВЕТСКИХ

СО! !ИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (5!) 4 Н 01 Р 1/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ1Ч

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

H А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (2 1,) 085955/24-09 (22) 02.07.86 (46) !5. 1!.88. Вюл. Н 42 (7 1) !,åâ;!ñòîícëI ñêèé приборостроительнь и институт (7?) 1!.В,Саламатин, Л.В.Иельников и 11.11 Кудрявченко (53) !.?! 372.855.4 (088.8) (56> Авторское свидетельство СССР

Ф !!56169, кл. Н 0 1 Р 1/26, 1985.

1!атент СШЛ !! 3810048, кл. l! 01 Р 1/26, 1974, (54) 1!О! .110111 "JOll!E!. УСТРОЙСТВО (57) эобретенне относится к технике

СВЧ. Цель изобретения — обеспечение

„„SU„„ I 437942 А 1 работы в мм-диапазоне длин волн.

По металлодиэлектрическому волноводу, образованному диэлектрическими брусками 1, 2 и 3 и проводниками 4 и 5, распространяется СВЧ-сигнал, который поглощается в резистивных слоях 6 и

7. Эффект поглощения СВЧ-сигнала происходит за счет того, что резистивные слои 6 и 7, ширина которых больше ширины бруска 1, охватывают области краевых электромагнитных полей, а также за счет того, что отраженные сигналы от соединенных между собой концов резистивных слоев 6 и 7 при обратном проходе претерпевают в них дополнительное ослабление. 2 ил.

1437942

Изобретение относится к технике

СВЧ и может быть использовано в металлодиэлектрических волноводах мми субмм-диапазона длин волн.

Целью изобретения является обеспе5 чение работы в мм-диапазоне длин волн, На фиг. 1 и 2 показана конструкция поглощающеro устройства.

Поглощающее устройство содержит основной диэлектрический брусок 1 и два дополнительных диэлектрических бруска 2, 3, расположенные с боковых граней основного диэлектрического бруска. На каждой из противоположных сторон осповного и дополнительных диэлектрических брусков 1-3. размещен проводник 4, 5, ширина которого равна суммарной ширине основного и до20 полнительных диэлектрических брусков

1, 2, 3. К каждому проводнику 4, 5 подключен резистивный слой 6, 7, ширина каждого из которых больше ширины основного диэлектрического бруска

1. Концы 8, 9 резистивных слоев 6, 7 соединены между собой, а относительные диэлектрическая и магнитная проницаемости E,, p, каждого резистивно30 го слоя 6, 7 удовлетворяют неравенстУ

Е Р ) EQ!«oE3P3 где », p» и E„р — относительные диэлектрическая и магнитная проницаемости основного диэлектрического бруска 1 и дополнительных диэлектри- З5 ческих брусков 2, 3 соответственно.

Поглощающее устройство работает следующим образом.

Основной и дополнительные диэлектрические бруски 1-3 и проводники 4, 40

5 образуют металлодиэлектрический волновод, по которому распространяется СВЧ-сигнал.

CB I-сигнал поглощается в резистивных слоях 6, 7. Благодаря тому, что шири- 45 на резистивных слоев 6, 7 больше ширины осHОВногод,иэлpктpичf .cкQ1A бруc— ка 1 и конць1 8, 9 резистивных слоев

6, 7 соединены между собой, достигается эффективное поглощение СВЧ-сигнала. Это происходит потому, что резистивные слои 6, 7 охватывают области краевых электромагнитных полей, а также потому, что отраженные от концов 8, 9 резистивных слоев 6, 7 сигналы при обратном проходе претерпевают в них дополнительное ослабление.

Тем самым обеспечивается работа поглощающего устройства в мм-диапазоне длин волн.

Формула и з о б р е т е н и я

Поглощающее устройство, содержащее основной диэлектрический брусок, на каждой из противоположных сторон которого размещены проводник и подключенный к нему резистивный слой, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью обеспечения работы в мм-диапазоне длин волн, введены два дополнительных диэлектрических бруска, расположенные с боковых граней основного диэлектрического бруска, и проводники имеют ширину, равную суммарной ширине основного и дополнительного диэлектрических. брусков, а ширина каждого резистивного слоя превышает ширину основного диэлектрического бруска, причем концы резистивных слоев соединены между собой, а относительные диэлектрическая и магнитная проницаемости Я,, р, каждого резистивного слоя удовлетворяют неравенству 1 Р 3 где 1., ц» и Е, p> — относительные диэлектрическая и магнитная проницаемости основного диэлектрического бруска и дополнительных диэлектрических брусков соответственно.

1431942 Ðèã 2

Составитель В.Алыбин

Техред М.Ходанич Корректор И. Муска

Редактор О.Спесивых

Заказ 5902/53

Тираж 633 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгор д, ул. Проектная, 4