Фототермопластический материал

Фототермопластический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области микрофильмирования и голограф1Ш и позволяет улучшить качество материала за счет повышения фоточувствительности .при сохранении дифракционной эффективности и отношения сигнал/ шум. На полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем последовательно наносят полимерный деформируемый слой, фотопроводниковый слой из аморфного селена толщиной 0,0i2 - 0,06 мкм и слой из сплава Se-As-Te-S при следующем соотношении компонентов , мас.%: Se 82-93; As 2-8; Те 2-8; S 1-4. 1 табл. (Л

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (5Н 4. G 03 (5/022 5/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4245900/23-12 (22) 18.05.87 (46) 15.12.88. Бюл. М 46 (71) Всесоюзный государственный научно-исследовательский и проектный институт химико-фотографической промышленности (72) Д.Г.Табатадзе, А.В.Павлов, С,А.Недужий и М.М.Бадьева (53) 772.93 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

 896591, кл. G 03 С 5/08, 1980.

Патент ФРГ Ф 1817226, кл, G 03 G 5/08, 1975. (54) ФОТОТЕРМОШ1АСТИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ (57) Изобретение относится к области микрофильмирования и голографии и позволяет улучшить качество материала за счет повышения фоточувствнтельности,при сохранении дифракционной эффективности и отношения сигнал/ шум. На полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем последовательно наносят полимерный деформируемый слой, фотопроводниковый слой из аморфного селена толщиной 0,02—

0,06 мкм и слой из сплава Se-As-Te-S при следующем соотношении компонентов, мас.%: Se 82-93; As 2-8; Те 2-8;

S 1-4. 1 табл.

f444698

Изобретение относится к фототермопластическим материалам и может быть использовано в области микросуммирования и голографии для иэго5 товления электрофотографических материалов для регистрации, хранения, и воспроизведения информации.

Цель изобретения - улучшение качества материала за счет повышения фоточувствительности при сохранении дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шум.

Пример f (известный). Фототермопластический материал готовят нанесением деформируемого слоя иэ канифоли на полиэтилентерефталатную подложку с проводящим слоем иэ Ni толщиной 2 мкм, на деформируемый слой термическим испарением в ваку- 20 уме наносят слой аморфного селена толщиной 0,10 мкм.

Пример 2,(известный). Фототермопластический материал готовят аналогично примеру f, за исключением 25 того, что в качестве деформируемого слоя используют композицию И N-дифенилгидразон и-днметиламинобензальдегида и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении 10:90. 30

Пример 3. Фототермопластичес. кий материал готовят нанесением композиции NiN-дифенилгидраэон и-диметиламинобензальдеГида и сополимера стирола с бутадиеном в соотношении

10:90 из раствора на металлиэированную никелем полиэтилентерефталатную подложку. Толщина полимерной компо» эиции составляет 2 мкм.

На полимерный деформируемый слой сверху термическим испарением в

40 вакууме наносят слой аморфного селена толщиной 0,02 мкм,а затем слой композиции селен-мышьяк-теллур-сера при следующем соотношении компонентов мас.Х: Se 88; As 2; Те 8; S 2, толщиной 0,08 мкм.

Hp и м е р 4. Фототермопластический материал готовят аналогично при- меру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен- 50 мышьяк-теллур-сера имеет состав

88-6-4-2 мас. соответственно.

Пример 5. Фототермопластический материал готовят аналогично при меру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селен" мышьяк-. теллур-сера имеет состав

88-4-6-2 мас.X соответственно.

Пример 6.Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селенмышьяк-теллур-сера имеет состав

88-8-2-2 мас.l соответственно, Пример 7. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, sa исключением того, что фотопроводниковая композиция селен-мьипьяк теллур-сера имеет состав 86-4-6-4 мас.Ж соответственно.

Пример 8. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селенмышьяк-теллур-сера имеет состав

89-4-6-1 мас.Х соответственно.

Hp и м е р 9. Фототермопластический материал готовят аналогично при меру 3, за .исключением того, что фотопроводниковая композиция селен" мышьяк-теллур-сера имеет состав

86-6-6-2 мас.Х соответственно.

Пример t0. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 3, эа исключением того, что фотопроводниковая композиция селенмышьяк-теллур-сера имеет состав

82-8-8-2 мас. соответственно.

Пример 11. Фототермопластический материал готовят аналогичнопримеру 3, за исключением того, что фотопроводниковая композиция селенмышьяк-теллур-сера имеет состав 3-2-2-2 мас.Х соответственно.

Пример 12, Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, sa исключением того, что толщина селенового слоя составляет

0,04 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мьипьяк-теллур сера

0,06 мкм. !

П р и м е p 13. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, эа исключением того, что толщина селенового слоя составляет

0,06 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера

0,04 мкм.

Пример 14. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того, чт толщина селенового;слоя составляет

0,06 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мьппьяк-теллур-сера

0,08 мкм. ак ред.3 отен.

Чувст тельтопроводннковый слой Толщина фотопроводникового слоя, яки оотomeноная эффективость, ие ность (лк. с

II сл. иг»-ал/ ум

I сл.. II сл

250 0,04

0,10

2 (известный) 20 20

20 20

20 20

20 20

0,10

0,02 0,08

0,02 0,08

0,4

250

ГИдраэ он

Гидраэон

3,0

250

250 3 ° 0 н

0,02 0,08

3,0

250

20 20

250

3,0

0,02 0 08

0,02 0 08

0,02 0,08

20 20

20 18

3,0

250

2,5.220

17 17

15 16

20 18

20 20

20 18

0,02 0,08 200

2 ° 0

150 1,5

0,02 0,08

0,02 0,08

0 04 0,06

1,0

250 п

2,0

250

0,06 0,04 250

\ ° 0

Se БеввАвв Te S з

Пример 15. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру 5, за исключением того,что толщина селенового слоя составляет

0.02 мкм, а фотопроводниковой композиции селен-мышьяк-теллур-сера

0,10 мкм.

Пример 16. Фототермопластический материал готовят аналогично примеру Зв sa исключением того, что фотопроводниковая композиция имеет следукиций состав: селен- мышьяк-теллур, при соотношении 90-4-6 мас.7 соответственно.

Результаты испытаний материала по примерам 1-16 приведены в таблице.

Из таблицы видно, что фоточувствительность предлагаемого фототермопластического материала (примеры 313) по сравнению с известным в 2,57,5 раз выше при сохранении высоких значений дифракционной эффективности и соотношения сигнал/шум.

1 (иэвестжФ) Канифоль Se

Se $е Asa Tes S a

Вевв Авв Те48в

Se ЗеввАв Te

Se Беев Авв Te>S<

Se Зев Ав Тев Вв

Se Seв1АавТевS

Se Sess Ass Te S>

Se Seì Asâ Tes Ss

Se Яе,, Ав Те Вв

Se ввАвв Те Вв

444698

Формула изобретения

Фототермопластический материал

5 состоящий из полиэтилентерефталатной подложки с проводящим слоем и нанесенных на нее последовательно полимерного деформируемого слоя и фотопроводникового слоя из аморф1Q ного селена, о т л и ч а ю щ и й— с я тем, что, с целью улучшения -качества материала за счет повышения фоточувствительности при сохранении дифракционной эффективности и соот18 ношения сигнал/шум, материал дополнительно содержит слой из сплава селен-мьппьяк-теллур-сера при следующем соотношении компонентов, мас.7,:

Селен 82-93

Иышьяк 2-8

Теллур 2-8

Сера 1-4 толщиной 0,04-0,08 мкм, расположен ный поверх селенового слоя толщиной

0,02-0,06 мкм.

1444698

Продолжение таблицы! ед. ЭФ тем., Опроводниковый

Пример

0,06 0,08 250 3,0

0,02 О, 10 250 3i

0,02 0,08 120 0,8

° 1

° 1

16

Se Бе АвеТее .

П р я м е ч а н и е. Толщина полпервого слоя 2,0 мкм. Дифракционная эффективность определялась при f ь 100 мм

Электрофотографическая чувствительность при

Е 1,4 лк.

Составитель М.Воеводина

Текред М.Ходанич

Корректор М.Васильева

Редактор А.0rap

Тираж 442 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 6503/44

Произведственно-полиграфическое предприятие, r.1 ужгород, ул. Проектная, 4

Полимерный деформиру мьй слой

БеввАа, Teå Ба а

Бе БеааАаеТеь Бг

Чувств

ТельНОСТЬ> (лк.с)