Способ электротермотренировки интегральных микросхем

Способ электротермотренировки интегральных микросхем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к радиоэлгктронной промышленности, в частности к способам контроля интегральных схем. Цель изобретения - повышение эффективности электротермотренировки интегральнык схем. Входы микро схем через ограничивающие резисторы П Г 5 подключают к генератору 3 псевдослучайного кода. Выводы питения подключают к блоку 1 питания через контакты коммутатора 2. Выходы микросхем через ограничивающие резисторы подключают к половине напряжения питания через контакты коммутатора 2. Тактовая частота следования импульсов выбирается высокой, например 1 МГц. Коммутатор подключает все выводы интегральной схемы к генератору 3 псевдослучайного кода и блоку 1 питания с частотой 1-50 Гц. При этом обеспечивается тренировка в режиме переходных процессов. Полная тренировка выходных каскадов обеспечивается подключением к выходам микросхемы половинного напряжения питания. 1з.п. ф-лы, 1 ил. и, Hutn/г m

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (191 (111 II4 G 0l R 3!/28

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTGPGHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4.165251/24-21 (22) 08.10.86 (46) 07.01.89. Бюл. Р 1 (72) С,Б.Веденисов и А.И.Игнатьев (53) 621.317.799(088.8) (56) Технические условия 6КО 347, 243-09ТУ, 1974, с. 34.

Технические условия 6КО 347, 411ТУ, 1985, с. 47. (54) СПОСОБ ЗЛЕКТРОТЕРИОТРЕНИРОВКИ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ MHKPOÑÕÅN (57) Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности, в частности к способам контроля интегральных схем. Цель-изобретения — повышение эффективности электротермотренировки интегральных схем. Входы микросхем через ограничивающие резисторы

5 подключают к генератору 3 псевдослучайного кода. Выводы питения подключают к блоку 1 питания через контакты коммутатора 2.. Выходы микросхем через ограничивающие резисторы подключают к половине напряжения питания через контакты коммутатора 2.

Тактовая частота следования импульсов выбирается высокой, например

1 11Гц. Коммутатор подключает все выводы интегральной схемы к генератору

3 псевдослучайного кода и блоку 1 питания с частотой 1-50 Гц. При этом обеспечивается тренировка в режиме переходных процессов, Полная тренировка выходных каскадов обеспечивается подключением к выходам микросхемы половинного напряжения питания. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

1449950

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности и может быть использовано как на предприятиях-изготовителях интегральных микросхем, так и на предприятиях, использующих микросхемы в разнообразной аппаратуре повышенной надежности.

Цель изобретения — повышение эффективности электротермотренировки интегральных микросхем.

Поставленная цель достигается тем, что электротермотренировка цифровых интегральных микросхем проводится в режиме, близком к реальным условиям 15 эксплуатации (включая переходные процессы при коммутации цепей питания), обеспечивается тренировка практически всех р-а переходов схемы, причем не требуется разработки и изготовле- 29 ния специализированных генераторов входных импульсов и сменных нагрузок.

На чертеже приведена схема устройства, реализующего способ (пример для микросхемы 563РЕ1). 25

Устройство содержит блок 1 пита( ния„ соединенный с коммутатором 2, генератор 3 псевдослучайного кода, также соединенный с коммутатором 2, выходы которого подключены к вводу питания испытуемой микросхемы 4 непосредственно, а к входам и выходам через группы резисторов 5 (R,) и

6 (R ) °

Способ заключается в следующем.

Входы микросхем через ограничивающие резисторы 5 подключают к генератору 3 псевдослучайного кода. Выводы питания подключают к блоку 1 питания (источнику постоянного тока) через 4О контакты коммутатора 2. Выходы микросхем через ограничивающие резисторы

U агат подключают к напряжению --2-- (полу чаемому от того же источника пита45 ния) также через контакты коммутатора 2.

Случайная последовательность импульсов на входах микросхемы обеспе" чивает тренировку практически всех переходов. Тактовая частота следования импульсов 1 МГц. Коммутатор подключает все выводы схемы к генератору 3, блоку 1 питания и нагрузке с частото и 1-50 Гц. При этом обеспечивается тренировка схемы в режиме переходных процессов, соответствующих реальным при эксплуатации схемы. Полная тренировка выходных каскадов обеспечивается подключением к выхо 1 пит дам микросхемы напряжения ----.

Выбор частоты 1-50 Гц коммутации постоянного тока в цепи питания генератора и испытуемой микросхемы основан на простоте электронной схемы проектируемого генератора, так как позволяет использовать частоту переменного тока промышленной сети.

Выбор же конкретного значения осуществляется с учетом физических свойств испытуемых микросхем, технологии их изготовления и требований надежности изготовляемой аппаратуры.

Так для микросхем высокой степени рассеиваемой мощности эна ение частоты коммутации составляе. единицы секунд. В этом случае эф1 кт тренировки повышается за счет аботы механизма неоднородного коэффициента расширения компонентов микросхемы.

Напряжение U» /2,подаваемое на выходы микросхемы, обеспечивает тренировку выходных каскадов микросхем как вытекающиьж, так и втекающими токами (при логических "1" и "0" соответственно).

Формула изобретения

1. Способ электротермотренировки интегральных микросхем, заключающийся в том, что помещают испытуемые микросхемы в условия г. овышенной температуры окружающей среды, подают на все входные выводы микросхем импульсное испытательное воздействие, а на выводы питания — номинальное напряжение, отличающийся тем, что, с целью повьш ения эффективности электротермотренировки интегральных микросхем за счет создания режима испытаний, имитирующего режим работы, в качестве импульсного испытательного воздействия используют случайные последовательности электрических импульсов, на выходные выводы подают через ограничители тока напряжение, меньшее напряжения питания интегральных микросхем, а цепи подключения импульсного испытательного воздействия, напряжения питания и соединения выходных выводов интегральных микросхем замыкают и размыкают с частотой, меньшей средней частоты импульсного испытательного воздействия.

Составитель В. Степанкин

Техред А. Кравчук КорректорЛ.Патай

Редактор Е.Папп

Заказ 6964/46 Тираж 772 Подписное

ВН1ЯПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская Ha6., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

2. Способ по п.!, о т л и ч а ю" ности, на выходные выводы мнкросхе шийся тем, что, с целью увеличе- через ограничители тока подают напряния эффективности электротермотрени" жение, равное половине напряжения ровки интегральных микросхем эа счет „ питания. увеличения средней рассеиваемой мощ