Способ определения напряжений и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах

Способ определения напряжений и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 42h, 21 № 145033

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Лн 170

Б. H. Гречушников, Г. И. Дистлер и В, С. Чудаков

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЙ И

НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ПОЛУЛРОВОДНИКОВЫХ

КРИСТАЛЛАХ

Заявлсио 8 августа 1960 г. за . и 707678/26 в Комитет ио аслам ивобрстсн:6 и откр::тии:.|ри C.îçñòå Министров СССР

Опубликовано в «Б|оллстсис иаобрстсний» М 4 аа 1962 г.

Б известных способах определения качества полупроводниковых кристаллов путем измерения их двойного лучепреломления не достигается высокая точность измерений ввиду малой чувствительности электронно-оптических прсобразователси, Предложенный способ определения напряжений и нсоднород.:остей

В полупроводниковых кристалл", o=»oaéí на сканировании узким пучком инфракрасного излучения исследуемого полупров дникового кристалла с одновременной трансформацией выходно"o усиленного сигнала в видимое излучение, регистрируемое на обычном фотоматериале, который сканируется синхронно с исследуемым образцом. При применении предложенного способа исследование производится в широком диапазоне инфракрасного спектра.

Эффективность способа для выявления различного рода дефектов в полупроводниковых материалах подтверждается практической проверкой.

Предмет изобретения

Способ определения напря>ксний и неоднородностей в полупроводниковых кристаллах путем измер=н: я их двойного лучепреломления, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности измерения, производится сканирование узким пучком инфракрасного излучения исследуемого полупрогодникового кристалла с одновременным преобразсванием усиленного выходного сигнала в видимое излучение, регистрируемое на фотоматериале, сканируемом синхронно с исследуемым образцом.