Устройство для возбуждения пьезоэлектрических колебаний в кристаллах
Иллюстрации
Показать всеРеферат
№ И521 класс 21а, ф (Q
ПАТЕНТ НА ИЗОБРЕТЕНИЕ
ОПИСАНИЕ устройства для возбуждения пьезоэлектрических колебаний в кристаллах.
К патенту Л. И. Мандельштама и Н. Д. Папаленси, заявленному 8 июля
1927 года (заяв. свид. № 18051).
О выдаче патента опубликовано 31 марта 1930 года. Действие патента аспространяется на 15 лет от 31 марта 1930 года.
Предлагаемое изобретение касается устройств для возбуждения пьезоэлектри- ческих колебаний в кристаллах и состоит в том, что с-целью достижения возможности возбуждения мощных обертонов колебаний в направлении длины кристалла (продольных), электродам или обкладкам его придают форму решетки или гребенки.
На чертеже изображен разрез кристалла с электродами предлагаемой формы.
Для того, чтобы возбудить мощные стоячие волны обертонов в пьезокристаллической пластинке необходимо, чтобы возбуждающее кристалл поле не было однородным, так как только тогда можно достичь либо того, чтобы действие его на каждую стоячую полуволну складывалось, либо того, чтобы это действие на каждую из двух смежных полуволн было во всяком случае возможно более различным. Иными словами, необходимо, чтобы . пространственная структура возбуждающего поля по возможности соответствовала пространственному распределению пьезозарядов на пластинке в ее колебательном состоянии, т.-е. соответствовала распределению в ней стоячих волн. Так как длина .стоячих волн обертонов сохраняет существенно одинаковую величину вдоль всей пластинки, то отсюда следует, что пространственная структура возбуждающего поля должна быть периодически повторяющейся с пространственным периодом, равным длине стоячей волны того обертона, мощные колебания которого желательно возбудить. Для этой цели поверхнЬстям электродов, прилегающим к пьезокристаллической пластинке, придается форма решетки, гребенки или правильная зубчатая форма электрическое поле между выступающими частями (зубцами) электродов (напр.- 1 и 1"), ближе прилегающими к поверхности кри5 сталла, сильнее, чем между другими частями (выемками, напр. 2 и 2"), поэтому действие поля на полуволну i, 2, как более сильное, не уничтожается более слабым действием на смежную полуволну 2, 3. При условии, что расстояние между соответственными точками двух смежных выступов (или выемок) равно длине стоячей волны возбуждаемого обертона в пластинке, действие возбуждающего поля будет для этого обертона складываться по всей длине пластинки и таким образом будет осуществлено одно из условий, потребных для мощного возбуждения желаемого обертона. Второе существенно важное условие состоит в том, что места наиболее сильного действия поля (выступы) должны совпадать шетки или гребенки, период структуры с пучностями электрической поляризации которых находится в точном или приблив кристалле., зительно точном рациональном отношении
1, к длине . волны стоячего колебания
Предмет патента. 1 в кристалле.
2. В охарактеризованном в п. 1 устрой1. Устройство для .возбуждения пьезо- стве применение электродов, допускаэлектрических колебаний в кристаллах, ющих непрерывное изменение величины характеризующееся тем,что одна или обе l пространственного периода с целью наиобкладки или электроды, между которыми . лучшей подгонки к возбуждаемой стоячей помещается кристалл, имеют форму ре- волне в кристалле.
1 В Ф ° 5.6
А. 31.
Типография Первой Л ртели Советекий Печатник, Моховая, 40.