Сверхпроводящий композиционный провод

Сверхпроводящий композиционный провод

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

А1 (51) 5 Н 01 В 12/00

QPiMCAHNE ИЗОБРЕТЕНИЯ

2 лической решетки, равной (кривая 2). с

4 -10 4нм " - C,.-. * ., ,,г1 со, з савк сних

, » .",,7", ..-) социллиотичксних

РЕОПУБЛИН

ГОСУДЛРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

Гго ИЗОБг КТЯНИЯМ И Отн! ытинм гн и гкнт сссг г(21) 4246455/07 (22) 15,05.87 (46) 07.01.92, Блп. К"-. 1 (71) Иггститут новых химических проб гг(и All СССР (/2). ll. Н.Трои!!киг!,. И.Л.Доыагинев, В. Ii, 1ióðêii!», A,A, Вудаиол, С. В. Гуров, О.М. Гребцона, В.Н.Чукалин и О.Д.Торбова (53) 621.315.554(088.8) (56) Патент США Н 44 11959, кл. H 01 В 12/00, 25.10.83в (54) свкгхпговодящий койпозиционный

ПРОВОД (57) Йзобретеиие о-.носится к техни.ческой сверхпроводимости.и,в частности, K получению:;гетодами порошко=

Изобретение относится к технической сверхпроводимости, а именно к производству методами порошковой металлургии проводов и каб лей на основе сверхпроводящих соединений структурных типов В1 (NbN„NbNC, NbTiNC)

A15 (Nb>Sn, V>Si. ИЬ Се и др, ), а. также Фаз Ыевреля (РЬг,МОьВ 9 г) и ок-сидиых систем (Là „ Ва сгг04, Ува<си О и др,), Цель изобретения — повышение ве- личин критического магнитного поля и критической плотности тока. в больших магнитных полях.

Иа чертеже показана полевая зависимость критической плотности тока в . сверхпроводящих композиционных проводах на основе соединения NbN ггд С!!, н которых субмикроиные частицы сверх ггрогигдгигг! го соединения ие имеют дс» фг!рьгации кристаллической решетки (кривая 1) и с деформацией кристгш„.,SU„„345435i вой металлургии проводов на основе сверхпроводящих соединений структур" г!ьм типов В 1, А15, а также фаз Иевреля и оксгщиггх систем, г!ггг! изобргте !!!iÿ !!о!!!>гг!!ение величии крггтичесхого магнитного полк и критической плотности тока проводов в больших магнитньм полях. Сверхпроводящий композициoHHblA fIpo op cocT, !i H3 пластичной оболочки и по крайней мере одного по ". ристого волокна из порошка сверхпроводящего соединения с субмикронными частицами, кристаллографически изоли-" рованными друг от друга и имеющими величину деформации кристаллической.

-4 решетки 10 - 10 нм. 1 ил.!

° В

Сверхпроводящий провод содержит пластичную оболочку и заключенное вней по крайней мере одно пористое . @гг волокно с объемной долей пор не ме- @ нее 0,35. Волокно получают из порошка 4 сверхпроводящего соединения с субмик- М ронными частицами,.причем частицы ф кристаллографически изолированы друг рва . от друга, а величина деформации кристал,лической решетки в частицах составляет ..

".10 — 10 ггм. Для субмикронных частиц, -1 размером 10-1.00 нм получить деформацию решетки больше 10 - в настоящее время . юВ г технически. невозможно. При деформа- - В ции частиц укаэанного размера,-мень шей 10- им, не происходит повышения вс8гичиг! критическогО тока и критичбс

KoFo магнитного поля, что установл!1» но экспериментально., 3 1454151

Выполнсине провода с порнстостью частиц сверхпроводящего соединения

О полонны менее 0,35 не позволяет до- 10 нм. Критические параметры: Н бнтьсл крпсталлографнческой иэолиро ЭО Тл; j (4,2 К, 5 Тл)"1 кА/мм . нанности частиц в нем. Пример 4. Провод имеет такую

П р и и е р 1. Композиционный

6 же конструкцию, что и в примере 1 ° сверхпроводлщий провод состоит из . Дефектйость кристаллической решетки медной оболочки толщиной О,ЗО мм и . частиц сверхпроводящего соединения размещенного в ней пористого волокна 5 10 нм. Критические параметры! диаметром 1,40 мм иэ ультрадисперсно-1g Нс 15 Тл; jc,. {4,2 К; 5 Тл) 0,06кА/ го порошка соединения NbNO ll С ол ° . /мм . в

Объсмнал доля пор в волокне 0,35. Де- . изобретение позволяет повысить в фсктиость кристаллической решетки несколько раэ токонесущую способ5 10 им. Провод допускает изгиб без ность проводов, особенно в высоких ухудшения критических параметров ра" 15.магнитных полях, путем значительнога

ДНУСОМ ПОРЯДКа 5 мм и имеет следую- (до 60 Тл для соединения NbN

lli1 КРИТИЧЕСКОГО МагннтНОГО ПОЛЯ И а НИТНОГО ПОЛЯ ° сr

4" 7н;,»еличинn критической плоти «.тн тока 1, (4,2 к; 5 тл) 1,85НА/ g0 Ф о р и у л ll и з о 6 р е т е ц и а

/мм . Пр >гпту, изготовленный иэ чнс1 тнц то О же размера, но без деформа- Сверхпроводящий композиционный цнн кристаллических решеток, имел . провод, состоящий из,пластичной значительно более низкие сверхпроноав оболочки и по крайней мере одного паднщие свойства . Н z 11 Тл,. J z (4,2 К; gg ристого волокна с объемной долей пор

5 Тл)=0,05 кА/им . не менее О;35, выполненного из сверх»

Пример 2..Провод имеет такую проводящего соединения с субмикронис конструкцию, что и в примере 1. : ными частицами, о т л и ч а ю щ и йдсфектн сть кристаллической решетки с я тем, что, с целью повышения ве частиц сверхпроводящего соединения ó личин критического магнитного поля

10 нм, Кристаллические параметры3 и критической плотности тока в боль-.

"1

П,, 59 Тл. . j .,4,2 К; 5 Тл) ЭкА/мм ° ших магнитных полях, частицы сверх"

П р и и е р 3. Провод имеет такую проводящего соединения- кристалличес-, е конструкцию, что и в примере 1- кой .решетки в частицах составляет

Де Ректность кристаллической решетки 10 - 10- нм, 1 Ъ, вв14

Ъ

Составитель Ю.Цыбульникова

Редактор Гаьельская Техред я,дидык Корректор И;Муска в ав в ва а»в» ss ss ав ав» ввв ss» ss ва» ва в» ав ва»»» ss ав ss ав ss» t

Заказ 788 Тираж 3Щ Подп ис нов

МИИИ1! Государственного комитета rio изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб, д. 4/5

»,вв вв ва авва ВВ»»» а»»»»ОВ»»аВ»»ФВВвааю»»аВва»авв» аюю» В»Ю» ° а»авваваавssss»«вв»ва»»вава

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Уагород, ул. Проектная, 4