Способ диффузионной сварки материалов

Способ диффузионной сварки материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к сварке давлением с подогревом, в частности к диффузионной сварке, и может быть использовано в электронной, электротехнической , авиационной, радиотехнической и других отраслях промышленности . Цель изобретения - повыше- .чие прочности сварного соединения. Свариваемые детали из полупроводника или металла и стекла нагревают до температуры сварки. Прикладывают к ним постоянное напряжение для создания ионного тока диффузии между соединяемыми поверхностями, сдавливая детали циклически в течение времени образования на полупроводнике или металле окисной пленки толщиной 100-1000 А.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 В 23 К 20/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (61) 1276467 (21) 4275775/31-27 (22) 02 ° 07.87 (46) -30.01..89. .Бюл. .Р 4 (71) Московский авиационный технологический институт им. К.Э. Циолковского (72) С.Э. Шлифер, А. Г. Браун, В.А. Приходченко, В.П. Антонов и И.А. Нимерницкая (53) 621.791.66(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 1276467, кл ° В 23 К 20/14, 28.06.85, (54) СПОСОБ ДИФФУЗИОННОЙ СВАРКИ МАТЕРИАЛОВ (57) Изобретение относится к сварке

Изобретение относится к сварке давлением с подогревом, в частности к диффузионной сварке, и может быть использовано в электронной, электротехнической, авиационной, радиотех- 5 нической и других отраслях промышленности.

Пель изобретения — повьппение прочности сварного соединения. .Способ осуществляют следу«щим об- 10 разом, Свариваемые детали из полупроводника или металла и стекла нагревают до температуры сварки, прикладывакт к ним постоянное напряжение для создания ионного тока диффузии между соединяемыми поверхностями, сдавливают их циклически в течение времени образования на полупроводнике или металле окисной пленки толщиной 100„„SU,, 1454614 A 2 давлением с подогревом, в частности к диффузионной сварке, и может быть использовано в электронной, электротехнической, авиационной, радиотехнической и других отраслях промьппленности. Пель изобретения — повьппе «ие прочности сварного соединения.

Свариваемые детали иэ полупроводника или металла и стекла нагревают до температуры сварки. Прикладывают к ним постоянное напряжение для создания ионного тока диффузии между соединяемыми поверхностями, сдавливая детали циклически в течение времени образования на полупроводнике или металле окисной пленки толщиной

100-1000 А.

1000 А, благодаря чему обеспечивается повышение прочности сварного соединения. При толщине окисной пленки

7 1000 А повышается ее хрупкость, а о при толщине (100 А не обеспечивается плавность перехода полупроводник стекло и не предотвращается диффузия кислорода из стекла в полупроводник.

Пример. Сваривали монокристаллический кремний толщиной 0,2 мм и диаметром 8 мм с исходной окисной пленкой толщиной 40 / с трубкой из стекла "Пирекс" длиной 10 мм, диаметром наружным 8 мм и внутренним

6 мм.

На следующем режиме температура сварки Т = 700 К, усилие сжатия: постоянное Р = 10 МПа, циклическое

P u = 3,0 МПа; постоянное напряжение

Составитель Т, Олесова

Техред М. Ходанич

Т

Тираж 892

Корректор В. Гирняк

Редактор И. Андрушенко

Заказ 7389/18

Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. ужгород, ул. Проектная, 4

145461

U „ = 800 В, минимальный ток ионной диффузии Т ц д = 140 мкА, период цикла нагружения 40 с, количество циклов

n 40. Длительность сварки 28 мин, что соответствовало полуумению окисной пленки толщиной 500 A. После сварки детали охлаждали н подвергали испытаниям, которые показали повышение прочности сварного соединения, 4

Формула изобретения

Способ диффузионной сварки материалов по авт. св. Р 1276467, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повьппения прочности сварного соединения полупроводников или металлов со стеклом, процесс ведут в течение времени, соответствующего образованик на свариваемой поверхности полупроводника или металла окисной пленки толщиной 100-1000 А.