Способ демодуляции

Способ демодуляции

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

¹ 145647

Класс 21с, 57» ссср

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л5 91

В. К, Цаценкин

СПОСОБ ДЕМОДУЛЯЦИИ

Заявлено 27 июля 1961 г. за Ла 739857/24-7 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М б за 1962 г.

Известен способ демодуляции с усилением сигназа несущей частоты, основанный на явлении накопления неосновных носителей заряда в транзисторе. В случаях, когда непосредственная связь этого транзистора с предыдущими каскадами затруднена, приходится применять предварительные усилители с несущей частотой, которая затем выпрямляется в выходном каскаде.

Предлагаемый способ демодуляции отличается от известных тем, что позволяет упростить межкаскадные связи транзисторного усилителя, работающего на повышенной несущей частоте с последующей демодуляцией, Это достигается путем блокирования положительных импульсов на базе выходного транзистора диодом и вь|бором таких соотношений амплитуд и длительностей положительного и отрицательного прямоугольных импульсов напряжения несущей частоты, при которых за время положительного импульса транзистор не выходит из области насыщения.

Сущность предлагаемого способа поясняется принципиальной схемой, изображенной на фиг. 1 и графиком — на фиг. 2.

Сигнал несущей частоты через трансформатор 1 подается в цепь базы транзистора 2. Форма напряжения между точками 8 и 4 показана на фиг. 2- В течение интервала времени й, транзистор 2 открыт отрицательным напряжением Уз > и находится в режиме насыщения, т. е в базе имеется избыток носителей заряда. В течение времени tq напряжение с1з-4 положительно, но оно не приложено к переходу эммитер-база транзистора, а полностью падает на обратном сопротивлении диода 5. Таким образом, положительный импульс напряжения на базе транзистора оказывается блокированным диодом 5 и некоторое время остается открытым при отсутствии отпирающего напряжения на базе. Соотношения амплитуд и длительностей 6 и 4 лрямоугольных импульсов несущей частоты подбираются так, что транзистор 2 в течение всего времени подачи сигнала в цепь базы будет на№ 145647 ходиться в режиме насыщения, и в нагрузке б будет протекать практически постоянный ток.

Предлагаемый способ демодуляции обладает новизной и может найти применение на практике, так как обеспечивает получение положительного эффекта, при котором упрощаются связи между каскадами транзисторного усилителя.

П р едм ет изобретен и я

Способ демодуляции с усилением сигнала несущей частоты, основанный на явлении накопления неосновных носителей в транзисторе, отличающийся тем, что, с целью упрощения межкаскадных сВНзей усилителя, положительный импульс на базе транзистора блокируют диодом и выбирают такие cooTHoøен ия амплитуд и длительностеи прямоугольных импульсов несущей частоты, при которых за время положительного импульса транзистор не выходит из области насыщения.

Фиг 2

Составитель Л. 3. Рубинник

Гедактор М. 1г. Золотарев Тсхред А. А, Камышникова Корректор Г. Е. Кудрявцева

Типография ЦБТ11, Москва, Петровка, 14.

Поди, к иеч. 11,13 -62 г. Формат бум, 70Х 108 / 6

Зак. 3357 Тираж 1050

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при

Москва, Центр, М. Черкасский пер, Объем 0,18 изд.,;.

Цена 4 кои.

Совете Министров СССР д. 2/6.