Преобразователь переменного напряжения в постоянное

Преобразователь переменного напряжения в постоянное

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в источниках питания интегральных микросхем. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей и повьшение эффективности путем обеспечения питания трех нагрузок и повышения величины среднего значения вьшрямленного напряжения за счет обеспечения работы устройства в режиме двухполупериодного вьтрямления. Устройство состоит из двух транзисторных групп, каящая из которых включает три транзистора, соединенные базами . В первую группу вxoдяt транзисторы 1,2,4, а во вторую - транзисторы 3,5,6, причем транзисторы 1,3,4 имеют р - п - р-тип проводимости, а транзисторы 2,5,6 - п - р - п-тип проводимости . Коллекторы транзисторов 4,1 и 6,5 соединены соответст;венно через диоды 10,11. Коллекторы транзисторов 1,2, и 3,5 соединены, соответственно с нагрузками 7,9. Нагрузка 8 включена между эмиттерами транзисторов 2,3. Эмиттеры транзисторов 1,6 и 4,5 соединены соответственно с входными выводами 12,13. За счет указанного соединения элементов за один период входного синусоидального напряжения на нагрузках 7,8,9 появляются две положительные полуволны выпрямленного напряжения, т.е. осуществляется процесс двухполупериодного выпрямления. При этом пары транзисторов 1, 2 и 3,5 в положительный полупериод и пары транзисторов 4,2 и 3,6 в отрицтельный полупериод работают в инжекционном режиме. 1 ил. (Л О1 ю со

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК ц11 Н 02 M 7/155

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTOPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4212703/24-07 (22) 13.03.87 (46) 07 .02.89. Бюл..N - 5 (75) А.И.Ткачев (53) 621.314.5 (088.8) (56) Микроэлектроника. Т. 12, вып.5, 1983, с.455, рис.2а.

Авторское свидетельство СССР

М 1221705, кл. Н 02 M 7/155, 1985 ° (54) ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ПЕРЕМЕННОГО

НАПРЯЖЕНИЯ В ПОСТОЯННОЕ (57) Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в источниках питания интегральных микросхем. Цель изобретения— расшйрение функциональных возможностей и повышение эффективности путем обеспечения питания трех нагрузок и повьппения величины среднего значения выпрямленного напряжения за счет обеспечения работы устройства в ре-, жиме двухполупериодного выпрямления.

Устройство состоит из двух транзис торных групп, каждая из которых включает три транзистора, соединенные ба„„Я0„„1457123 A 1 зами. В первую группу входят транзисторы 1,2,4, а во вторую — транзисторы 3,5,6, причем транзисторы 1,3 4 имеют р — и — р-тип проводимости, а транзисторы 2,5,6 — n — - р — и-тип проводимости. Коллекторы транзисторов

4, 1 и 6,5 соединены соответственно через диоды 10,11. Коллекторы транзисторов 1,2, и 3,5 соединены, соответственно с нагрузками 7,9, Нагрузка 8 включена между эмиттерами транзисторов 2,3. Эмиттеры транзисторов

1,6 и 4,5 соединены соответственно с входными выводами 12,13. За счет указанного соединения элементов за один период входного синусоидального напряжения на нагрузках 7,8,9 появляются две положительные полуволны выпрямленного напряжения, т.е. осуществляется процесс двухполупериодного выпрямления. При этом пары транзисторов 1, 2 и 3,5 в положительный полупериод и пары транзисторов 4,2 и 3,6 в отрицтельный полупериод ра ботают в инжекционном режиме. 1 ил, 1457123

Изобретение относится к электротехнике и преобразовательной технике и может быть использовано в источниках питания интегральных микросхем.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей и повышение эффективности преобразователя путем обеспечения питания трех нагрузок и повышения величины среднего 1О значения выпрямленного напряжения, что обеспечивается работой устройства в режиме двухполупериодного выпрямления.

На чертеже представлена схема преобразователя.

Преобразователь переменного напряжения в постоянное содержит транзисторы 1-6, .из которых первый 1, третий 3 и четвертый 4 — р — n- p-типа, а второй 2, пятый 5 и шестой 6—

n — р — п-типа, а также первую 7, вторую 8 и третью 9 нагрузки, первый

10 и второй 11 диоды, Причем, базы первого 1 и второго 2 транзисторов соединены между собой, а их коллекторы подключены к первой нагрузке 7, эмиттер первого транзистора 1 соединен с первым входным выводом 12, эмиттер второго транзистора 2 соединен с первым выходным выводом второй нагрузки 8, а эмиттер третьего транзистора 3 подключен к второму выходному выводу второй нагрузки 8, базы третьего 3, пятого 5 и шестого 6 транзисторов соединены между собой, коллекторы третьего 3 и пятого 5 транзисторов подключены к третьей нагрузке 9, эмиттеры четвертого 4 и пятого 5 транзисторов соединены меж- 40 ду собой и подключены к второму входному выводу 13, база четвертого транзистора 4 соединена с базами первого

1 и второго 2 транзисторов, а коллектор через первый диод 10 подключен 45 к коллектору первого транзистора 1, эмиттер шестого транзистора б подключен к точке соединения эмиттера первого транзистора 1 с первым входHb24 ВыВОДОИ 12 а KQJIJIeKTop через 50 второй диод 11 подключен к коллектору пятого транзистора 5.

Преобразователь переменного напряжения в постоянное работает следующим образом.

При появлении положительной полуволны синусоидального напряжения на первом входном выводе 12 и отрицательной полуволны на втором входном выводе 13 эмиттерные переходы транзисторов 1-4 смещаются в прямом направлении. Эмиттериый ток транзистора 2, протекая по нагрузке 8, вызывает падение напряжения на этой нагрузке, которое является выходным напряжением, Транзисторы 1,2 и 3,5 работают в инжекционном режиме. Носители заряда, инжектированные из эмиттеров транзисторов (дырки для транзисторов 1 и 3, электроны для транзисторов 2 и 5), проходя область базы, экстрагируются коллекторами. За счет избыточного заряда дырок в коллекторах транзисто-, ров 1 и 3 возникает положительный инжекционный потенциал, а вследствие избыточного заряда электронов в коллекторах транзисторов 2 и 5 — отрицательный потенциал, Между коллекторами транзисторов 1,2 и 3,5 возникает инжекционное напряжение, которое является выходным напряжением инжекционных источников, т,е, напряжением на нагрузках 7 и 9. Это напряжение определяется суммой потенциальных барье- . ров коллекторных переходов транзисторов 1,2 и 3,5 в равновесном состоянии и для кремниевых транзисторов находится в пределах 1,5 В.

Выходное напряжение на нагрузке 8 может иметь значительно большую величину и определяется как разность меж" ду амплитудой входного синусондального напряжения и падением напряжения на эмиттерных переходах транзисторов 1-4 °

При появлении отрицательной полуволны синусоидального напряжения на первом входном выводе 12 и положительной полуволны на втором входном выводе 13 эмиттерные переходы транзисторов 1 и 5 смещаются в обратном направлении и эти транзисторы запираются.

В то же время смещаются в прямом направлении эмиттерные переходы транзисторов 2,3,4 и 6; Транзисторы 4,2 и 3,6 образуют пары, работающие в инжекционном режиме..Носители заряда, инжектированные из эмиттеров транзисторов (дырки для транзисторов 3 и 4, электроны для транзисторов 2 и 6), проходя область базы, экстрагируются коллекторами. Между коллекторами транзисторов 2,4 и 6,3 образуется инжекционное напряжение, т.е. напряжение на нагрузках 7 и 9. Ток эмитте1457123 ра транзистора 2 создает падение нат пряжения на второй 8 нагрузке.

Диоды 10 и l1 необходимы для предотвращения работы транзисторов 4 и б в инверсном режиме.

Таким образом, во всех трех нагрузках 7-9 за один период входного синусоидального напряжения появляются две положительные полуволны выпрямленного напряжения, т.е. происходит процесс двухполупериодного выпрямления.

Е0

Формула изобретения

Составитель А. Кириллов

Техред М.Ходанич Корректор В.Бутяга

Редактор А. Ворович

Заказ 7488/55 Тираж 645 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно †полиграфическ предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Преобразователь переменного напряжения в постоянное, содержащий два транзистора р — и — р- и n - -p — n-типа и две нагрузки, причем базы первого р — n — - р-транзистора и второго и — р— п-транзистора соединены между собой, а их коллекторы соединены с выходными выводами для подключения первой нагрузки, эмиттер первого транзисто- 25 ра соединен с первым входным выводом, а эмиттер второго транзистора подключен к первому выходному выводу для подключения второй нагрузки, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения эффективности, в него дополнительно введены третий и четвертый р — n — р-транзисторы, пятый и шестой п — р — n-тран-. зисторы, первый и второй диоды, при этом эмиттер третьего транзистора подключен к второму выходному выводу для подключения второй нагрузки, базы третьего, пятого и шестого транзисторов соединены между собой, коллекторы третьего и пятого транзисторов образуют выходные выводы для подключения третьей нагрузки, эмиттеры четвертого и пятого транзисторов соединены между собой и подключены к второму входному выводу, база четвертого транзистора соединена с базами первого и второго транзисторов, а его коллектор через первый диод подключен к коллектору первого транзистора, эмиттер шестого транзистора подключен к точке соединения змиттера первого транзистора. с первым входным выводом, а его коллектор через второй диод подключен к коллектору пятого транзистора.