Носитель информации для магнитного накопителя и способ его изготовления

Носитель информации для магнитного накопителя и способ его изготовления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И

ЮВ 4 G ti С 11 14

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4291907/24-24 (22) 30,06. 87 (46) 15.02.89. Бюл. № 6 (72) В.И.Сергеев, Б.В.Мощинский9

В.А.Никоненко, А.Hl.Трошин и P.ß.ØaéäóëëèH (53) 681.327.66 (088.8) (56) Патент CHIA № 4114191, кл, 365!2, опублик. 1928.

Optical Kngenaering, 1983, ч22, Ф 4, р. 485. (54) НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦ(И ДЛЯ МАГНИТНОГО НА (ОПИТЕЛЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (57) Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для построения магнитных накопителей оперативных запоминающих устройств и управляемых оптических транспарантов. Целью изобретения является снижение энергопотребления и упрощение конструкции магнитного накопителя. Носитель информации содержит немагнитную подложку 1, в которой расположены монодоменные .ячейки памяти 2, выполненные в саое магнитоодноссной пленки, с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки, причем ячейки памяти размещены в углублениях подложки. Верхняя грань 3 ячеек памяти расположена в одной плоскости с поверхностью 4 подложки. Способ изготовления носителя информации для магнитного накопителя включает выт.-= равливание в подложке i углублений, зпитаксиальное выращивание на поверх" ности подложки и в углублениях слоя магнитоодноосной пленки, полировку слоя магнитоодноасной пленки до получения плоской поверхности. Выращивание магнитоодноосного слоя в углублениях подложки приводит к возникновению в материале пленки в углублениях напряжений, приводящих в результате магнитострикциснного эффекта к снижению поля анизотропии. Это уменьшает пороговое поле переключения ячеек памяти и как следствие. уменьшает энергопотребление магнитно" го накопителя. Плоская поверхность носителя информации упрощает конструкцию накопителя за счет упрощения конструкции его управляющих шин.

2 сепа ф-лы, 1 зепв ф-лы, 1 иле

1458891

Изобретение относится к области вычислительной техники и может .быть. использовано для построения магнит- ных накопителей оперативных запоми5 нающих устройств и управляемых оптических транспарантов. O

Целью изобретения является сниже-: ние энергопотребления и упрощение

1конструкции магнитного накопителя. 10

На чертеже изображена конструкция носителя информации.

Носитель информации содержит немагнитную подложку 1, в которой расположены монодоменные ячейки 2 памя-. ти, выполненные в слое магнитооднооснай пленки. с осью легкого намагничивания, перпендикулярной поверхности пленки, причем ячейки памяти размещены в углублениях подложки. Верхняя грань 3 ячеек памяти расположена в одной плоскости с поверхностью 4 подложки

Устройство работает следующим образом. 25

Вектор намагниченности магнитоодноосной пленки монодоменной ячейки памяти может быть направлен либо вверх (к верхней грани ячейки), либо вниз. Воздействуя на ячейку памяти З0 магнитным полем соответствующего направления,можно записать в ячейку памяти бит информации. Это состояние будет

I сохраняться до следующего воздеиствия полем. Регистрируя магнитное поле рассеяния ячейки памяти, можно считать из нее записанную информацию.

Вследствие того, что зпитаксиальный слой магнитоодноосной пленки ячеек памяти выращен в углублениях подложки, в этом слое существуют напряжения, приводящие в результате магнитострикционного эффекта к снижению магнитного поля анизотропии Н .

Пороговое поле переючея Н„ ячей- 45 ки памяти можно найти .из выражения

Н„ = НА — 4 M>, где Из — намагниченность материала ячейки. Следовательно, напряжения в пленке уменьшают пороговое поле. В результате для переключения ячейки памяти требуется. меньшее управляющее магнитное поле, т.е. уменьшается энергопотребление магнитного накопителя. Кроме того, вследствие того, что верхняя грань ячеек памяти расположена в одной плоскости

55 с поверхностью подложки, упрощается л конструкция магнитного накопителя ввиду упрощения конструкции его управляющих токопроводящих шин, а также улучшаются условия для управления переключением ячейки памяти и считывания информации, так как шины могут располагаться непосредственно над боковыми гранями ячейки памяти.

Следует отметить, что магнитоодноосная пленка между ячейками памяти может быть полностью удалена, как показано на чертеже, или между ячейками она может быть оставлена в виде более тонкого слоя, чем в ячейках памяти.

В последнем случае можно получить более высокий считываемый сигнал вследствие большой локализации поля рассеяния ячейки вблизи ее границы, однако увеличивается взаимное влия1 ние соседних ячеек памяти.

Способ изготовления носителя ин-, формации для магнитного носителя saic-, лючается в следующем. В немагнитиой подложке 1, например из гадолииий— галлиевого граната, ортофосфорнои кислоты при 120 С вытравливают углубления для ячеек памяти на глубину

2,5 мкм. Защитной маской может служить пленка окиси кремния толщиной

0,6 мкм, нанесенная на подложку высо-.

1 кочастотным магнетронным распылением.

Затем, используя изотермическую жидкофазную эпитаксию, на поверхности подложки в углублениях выращивают слой магнитоодноосной пленки, например, состава (BiYTmCa) (GeFe) 0„ толщиной 5 — 7 мкм. После этого проводят полировку эпитаксиального слоя до получения плоской поверхности, Полировка может быть произведена химико-механическим способом суспензией "Элппаз-к", с доводкой водородного показателя до значения 12 — 12,5 аммиаком водным. Измеренное поле анизотропии ячеек памяти с полностью сполироваиным между ячейками памяти слоем магнитоодносной пленки составляет 230240 Э.

Формула и з о б р е т е н и я

1. Носитель информации для магнитного накопителя, содержащий немагиитную подложку с расйоложенными на ней монодоменнымн ячейками. памяти, выполненными в слое магнитоодноосной пленки с осью легкого намагничивании перпендикулярной подложки, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью сниСоставитель Г.Анинеев

Редактор О.Спесивых Техред A.КРавчук Корректор С.Черни

Заказ 371!54 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

145889 жения энергопотребления магнитного накопителя, ячейки памяти размещены в немагнитной подложке в углублениях.

2. Носитель информации по п.1, отличающийся тем, что, с

5 целью упрощения конструкции магнитного накопителя, верхние грани ячеек памяти расположены в одной плоскости с поверхностью подложки. 1О

3. Способ изготовления носителя информации для магнитного накопителя, включающий эпитаксиальное выращивание

4 слоя магнитоодноосной пленки на немагнитной подложке, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью .снижения энергопотребления и упрощения конструкции магнитного накопителя, перед эпитаксиальным выращиванием в подложке вытравливают углубления, соответ,ствующие монодоменным ячейкам памяти, а после эпитаксиального выращивания проводят полировку слоя магнитоодноосной пленки до получения плоской поверхности.