Устройство для преобразования оптических изображений в серию видеосигналов

Устройство для преобразования оптических изображений в серию видеосигналов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

KJ1acc 21к, 29зе

М 146757

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ С В И,ДЯТЕЛ ЬСТВУ

Подписная группа Л 97

И. И, )Килевич

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ

ИЗОБРАЖЕНИЙ В СЕРИЮ ВИДЕОСИГНАЛОВ

Заявлено 3 апрели l!159 г, за . Й 62-1199/26 в Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 9 за 1962 г.

Известны устройства для преобразования оптических изображений в серию видеосигналов, содержащие подкл;очеш;ыи к источнику постоянного тока конденсатор с полупрозпачнымп об ладками, ме>кду которыми заключены два слоя полупроводника. ha один слой полупроводника проектируется изобра>кение, а на другой Воздействует развертывающий световой луч, обеспечивающий ко ...мутацию скрытого изображения, образовавшегося на границе двух слоев полупроводника. Ч1 ВстВительность систс>1 ы 113 Вес т11ых 1 строllстВ неВысока 113 за влияния спроектированного изображения на втопой слой полупроводника и коммутирующего светового луча на пепвый слой.

В предлагаемом устройстве полупроводниковые слои выполняюг из материалов, имеющих различные максимумы спектральной чувствительности, а коммутирующий световой луч имеет спектральный состав, не воздействующий на полупроводниковый слой, на который проектируется изображение, Это отличие позволило устранить влияние спроектированного изображения с первого слоя пслупроводника на второй и коммутирующего светового луча со второго слот на первый, а следовательно, повысить чувствительность системы, На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит подключенный к источнику У постоянного тока конденсатор с полупрозрачными обкладками 2 и 8, между которыми заключены два полупроводниковых слоя 4 и 5. г1а обкладках 2 и 8 конденсатора со стороны полупроводниковых слоев 4 и 5 нанесены прозрачные токопроводящие покрытия 6 и 7, к которым от источника 1 постоянного тока через сопротивление 8 подается разность потенциалов, вследствие чего полупроводниковые слои оказываются под действием электрического поля, Материалы полупроводников подбирают№ !4б757 ся такими, чтобы их максимумы спектральной чувствительности находились в различных областях спектра.

Если изображение 9 спроектировать объективом 10 на полупроводпиковый слой 4, То на освещенных участках этого слоя проводимость увеличится пропорционально освещенности и через слой 4 к границе раздела слоев 4 и 5 начнут идти заряды с проводящей пленки б.

Спектральный состав проектируемого изображения выбирается таким, чтобы он не содер кал лучей, к которым чувствителен полупроводниковый слой 5, вследствие чего на границе раздела слоев 4 и 5 будут скопляться электрические заряды, образуя потенциальный рельеф, соответствующий спроектированному изображению. Затем с экрана электронно-лучевой трубки 11 объективом 12 на полупроводниковый слой 5 проектируют развертывающий световой луч, спектральный состав которого соответствует максимуму спектральной чувствительности полупроводникового слоя 5. При этом отдельные участки слоя 5 приобретут повышенную проводимость, и скопившиеся ранее на границе ме)кду слОЯми 4 и 5 электрические зарЯды будут проходить через слой 5 и пленку 7 на сопротивление 8, на котором будет выделятьBH{IE0cHc}IB i7. Перемени} }0 СОставля}ощ} Io вид,:;Осигнала можно вести через емкость 18 к видеоусилителю.

Предлагаемое устройство может HBéòH широкое применение в кинопромышленности, например, для передач}{ кино(рильмов

Предмет изооретения

Устройство для преобразования оптических изобра;кений в серию видеосигналов, содержа}цее подключенный к источнику постоянного тока конденсатор с полупрозрачными обкладками, между которыхш заключены два слоя полупроводника, на один из которых проектируется изображение, а на другой воздействует развертывающий световой луч, обеспечивающий коммутацию скрытого изображения, образовавшегося на границе двух слоев, отл и ч а:ощееся тем, что, с целью устранения влияния спроектированного изображения на второй слой и ком}мутируюшего светового луча иа первый слой и повышения вследствие этого чувствительности системы, полупровод{!иковые слои выполни}от из материалов, имеющих различные макс}111!умы спектральной чувств1!тельности, а коъ1м1 TI{p Iоший световой луч имеет cIIc KTpB IbHb}1*, состав, не воздействующий на полупроводн}}ковый слой, на которь}н проектируется }}зображе}1}}е. № 146757

260 —,7 3

12 11

sю

Составитель В. Г. Гуфелвд

Редактор Н. С. Кутафина Техред А. А. Кудрявицкая Корректор Г. E. Кудрявцева

Подп, к печ. 25Х11-62 г. Формат бум, ТОХ108 /ы Объем 0,26 пзд. л.

Зак. 5584 Тираж 1100 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Типография ЦБТИ. Москва, Петровка, 14.