Линия поверхностной волны

Линия поверхностной волны

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (д11 4 Н 01 P 3/16

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н А BTGPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21 ) 41 01 23 2/ 24-09 (22) 15,08.86 (46) 23,03.89. Бюл, Р 11 (71) Государственный проектно-конструкторский и научно-исследовательский институт по автоматизации угольной промьппленности "Гипроуглеавтомаtt тизация (72) Н.Д.Ратникова (53) 621 . 37 2,832 (088 ° 8) (56) Унгер Г.Г. Планарные и волоконные оптические волноводы. — М.: Мир, 1980, с.280, рис,4,14.

Семенов Н.А, Техническая электродинамика. -М .: Радио и связь, 1973, с.308. (54) ЛИНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ВОЛНЫ (57) Изобретение относится к технике

СВЧ. Цель изобретения — повьппение эффективности электромагнитной связи с приемопередатчиками, Линия поверх-. ностной волны содержит проводник 1 ° размещенный на первом слое 2 диэлектрика, и .цилиндрический металлический экран 3 с продольной щелью 4, разме„ 80„„1467619 щенный снаружи слоя 2. При этом проводник 1, слой 2 и экран 3 со щелью 4 выполнены в виде соосных цилиндров, а второй слой 5 диэлектрика — в виде цилиндра, охватывающего слой 2, ось которого смещена относительно оси проводника 1. Несимметричное размещение слоя 5 относи ельно проводника 1 и асимметрия, вносимая щелью 4, формируют необходимое неравномерное распределение напряженности электромагнитного поля в линии поверхностной волны.

Причем его максимум расположен в плоскости, проходящей через оси слоя 5 и проводника 1 со стороны щели 4 в экране 3. Требование к диэлектрическим проницаемостям слоев 2 и 5 обеспечивает отсутствие поверхностной волны, сконцентрированной вблизи слоя 2 и слабо связывающейся с приемо- передатчиком, Размещая этот источник со стороны максимума напряженности поля в линии поверхностной волны, можно обеспечить повыщение их взаимной связи. 1 ил.

146761 9 ние напряженности электромагнитного поля в линии поверхностной волны, Причем его максимум расположен в: плоскости, проходящей через оси второго слоя 5 диэлектрика и проводника 1 со стороны продольной щели 4 в цилиндрическом металлическом экране 3. Требование к диэлектрической проницаемости первого 2 и второго 5 слоев диэлектрика обеспечивает отсутствие поверхйостной волны, сконцентрированной вблизи первого слоя 2 диэлектрика и слабо связывающейся с внешним источником, /

Таким образом, размещая источник со стороны максимума напряженности поля в линии поверхностной волны, можно обеспечить повышение их взаимной связи.

Формула изобретения рии цилиндрического металлического экрана в направлении от продольной щели причем диэлектрическая проница) емос ть в то рого слоя диэлек трика б ольше диэлектрической проницаемости перв ого сло я ди элек трик а .

Составитель С.Банков

Тех ред JI. Сердюкова Коррек тор М, Василь ев а

Редактор В.Петраш

Заказ 1202/48 Тираж 615. Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

Изобретение относится к технике

СВЧ, а именно к устройствам связи, и может быть использовано в подземных шахтных выработках, 5

Целью изобретения является повышение эффек тив нос ти элек тромагнитной св я зи с п риемо п е р еда тчик ам и.

На чертеже изображена линия поверхностной волны, поперечное сече- 10 ние.

Линия поверхностной волны содержит проводник 1, размещенный в первом слое 2 диэлектрика, цилиндрический металлический экран 3 с продольной щелью 4, размещенный снаружи первого слоя 2 диэлектрика. Причем проводник 1, первый слой 2 диэлектрика и цилиндрический металлический экран 3 с продольной щелью 4 выполнены в виде соосных цилиндров, а второй слой 5 диэлектрика — в виде цилиндра, охва тывающего первый слой диэлектрика 2, ось которого смещена относительно оси проводника 1 в плоскости симме трии цилиндрического металлического экрана 3 в направлении от про,дольной щели 4.

Линия поверхностной волны работает следующим образом, 30

Внешний источник электромагнитной энергии (передатчик) возбуждает ос новную волну линии поверхностной волны, которая затем распространяется вдоль нее и обеспечивает связь с при-35 емником. Эффективность возбуждения основной волны определяется простран.ственным распределением ее поля,причем она тем выше,чем выше напряженность поля в направлении источника и 40 чем меньше она в других направлениях.

Несимметричное размещение второго слоя 5 диэлектрика относительно проводника 1 и асимметрия, вносимая продольной щелью 4 цилиндрического ме- 45 таллического экрана 3 формируют необходимое неравномерное распределеЛиния поверхностной волны, содержащая проводник, расположенный в первом слое диэлектрика, проводник и первый слой диэлектрика выполнены в виде соосных цилиндров, о т л и— ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышенйя эффективности электромагнитной связи с приемопередатчиками, введены цилиндрический металлический экран, выполненный с продольной щелью и установленный снаружи первого слоя диэлектрика соосно с проводником, и второй слой диэлектрика, выполненный в форме цилиндра, охватывающего первый слой диэлектрика, ось которого параллельна оси проводника и смещена относительно нее в плоскости симмет