Способ получения свч импульсов с удвоением несущей частоты

Способ получения свч импульсов с удвоением несущей частоты

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 21а, № 146806

СССР

ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л 89

Ю. К. Пожела и А. И. Вебра

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЧ ИМПУЛЪСОВ

С УДВОЕНИЕМ НЕСУЩЕЙ ЧАСТОТЫ

Заявлено 30 марта 1961 г. за X 724169/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Б|оллетене изобретений» Ле 9 за 1962 г.

Известны способы получения СВЧ импульсов, основанные на явлении модуляции СВЧ импульсами напряжения, приложенного к полупроводнику. Подобные способы не обеспечивают однако получения коротких импульсов с достаточно крутыми фронтами.

Описываемый способ основан на явлении разогревания электроНоВ полупроводника в электрических полях. Эффект разогревания электронов приводит к практически безынерционному увеличению сопротивления полупроводника с ростом электрического поля. Сопротивление полупроводника в СВЧ поле меняется дважды за один период колебаний, так как эффект разогревания электронов не зависит от направления изменения поля. Если к полупроводнику прикладывается еще постоянное поле, то он оказывается источником излучения СВЧ колебаний с двойной частотой относительно частоты возбуждающего поля СВЧ. Прикладывая к полупроводнику напряжение в виде коротких импульсов, получают СВЧ импульсы с точно двойной частотой по отношению к основному сигналу.

Предложенный способ был проверен экспериментально на частоте 10 гга. Получены импульсы длительностью 0,3 л /сек на частоте

20 гга. Таким образом, описанный способ полезен, так как позволяет получить короткие импульсы с крупными фронтами при одновременном удвоении частоты сигнала.

Предмет изобретения

Способ получения СВЧ импульсов с удвоением несущей частоты с помощью полупроводника в волноводе, отличающийся тем, что, с целью уменьшения длительности импульсов и улучшения их формы, на полупроводник вместе с СВЧ сигналом подают модулирующпе импульсы постоянного напряжения, обеспечивающие излучение полупроводником сигнала удвоенной частоты.