Способ определения рекомбинационных постоянных полупроводников

Способ определения рекомбинационных постоянных полупроводников

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Pfo 146882

Класс 21g, 11о

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л 9i

В. А. Петрусевич, В. К. Субашиев и Г. Б Дубровский

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫХ

ПОСТОЯННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Заявлено 27 января 1960 г. за М 652341/26 в Комитет ио дела!! изобретений и открытий при Совете Министров C(:(:Ð

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» М 9 за !962 г.

1 1

- i (- ), и: е линейный .характер.

ЬПо наклону прямой—

I,, !!Оверхнос!ной! рекомбинации — 1 находят величину скорос-:;: ! /

S, а по Отрезкам. Отсекаемым нпямоll

Известные способы определения рекомбинационных постоянных полупроводниковых материалов по кривой спектрального распределения фоточувствительности требуют проведения громоздких вычислений н Il( дают возмо>кности одновременно определить поверхностную рекомбинацию и диффузионную длину.

Описываемый способ дает возможность существенно упростить проце"C и одновременно определить поверхностную рекомбинацню н диффузионную длину, которые находят чисто графическим путем IIQ экспериментально снятым кривым спектрального распределения фоточувстви-! ельности в области сильного поглощения. Для определения рекомбинационных постоянных вентильных фотоэлементов измеря!от спсктраль !Ое распределение фототока короткОГО за>1 ы! ания и Гр>!фи IccIIII находят значения рекомбинационных постоянных.

Лля пояснения описываемого способа на черте>ке приведены дпе кривыс спектрального распределения фоточувствительности, с ятые для двух значений скорости поверiIIîñòíîé рекомбинации

8 области сильного поглощения зависимость относительной фот!

:1роводимости, т, е. отношения фотопроводимости . .= к числу квантов. и а!да!Оших ив еди1!!! цу новеp > HÎc I 1! I l()c1óï ðîíîäí !!нового >1>1 тс риала в

Ь-. свк!„От величины, обратной коэффиц«!гч!ту погло1ценi!,i К

)н

Х 14б882

Л- 1

17 — /7, г2 12 - 173 61

Л- 1

1., - (K — (- - по осям координа определяют лиффузиондля толстых образцов ну:о длину 1 из формулы: L=!

7 ) 1!., 11

ИЛИ 1 -=,-- — — — =-,— - . — ДЛЯ ТОНКИХ ОЙРаЗЦОВ, ГДЕ Ь). 17,; 17, И 17.г

«,, b. 17, h, 2

Ьо ) огре-ки, o"7с каечы прямой — - I =- 1 по осям координат. а 77 — .и

1, ),К нолщина образца

С цель)о определения рекомбинационных постоянных вентильных

Эотоэг)ементов, ))ëooêooòü р-л перехода которых параллельна освещае. flO)) 1Oi3E .PXHOOT1), H3iVi P8)OT O lOКтРаЛЬНОЕ PBCHPC71e:)eHHO фОтОтг Ха откого замыкания для двух значений S, обрабатывая поверхность фог .о=..)сз1е))та гак, ) гобы изменить S, не меняя других параметров, и анаЛОГИЧНЫМ ПутЕМ Графпь)ЕСКИ НаХОдят рЕКОМбИНг 1ИОННЫЕ ПОСтОяННЫЕ

1ИффуЗИОННуЮ дЛИНу НЕОСНОВНЫХ НОСИтЕЛЕй В ВЕРХНЕМ СЛОЕ I., И гду

=,ину ",алегания If — n перехода р по формулам. (.

I7, be 77,, b, 1! Ь 1! 17д

Предмет изобретения

Л

17, ния, >гносительная фотопроводимость, а К вЂ” коэффициент поглоше находят величину скорости поверхностной рекомбинации. а по л-. (i отрезка 77.;- секаемым прямой 1 I по осям координат

Л и )пречеляют диффузионную длину

К

2 Способ Но и 1, о гличающийся тем, что, с целью определе

HHH рекомбинационных постоянных вентильных фотоэлементов, изме ряют спектральное распределение фототока короткого замыкания и гра фически находят значения рекомбинационных постоянных.

1 Способ о))ределения рекомбинационных постоянных полупроводг)ИКОВ ПО КРИВОЙ СПЕКтРаЛЬНОГО РаСПРЕДЕЛЕНИЯ фОтОЧУВСтВИтЕЛЬНОСтИ, отл ич а ю щи и с я тем, что, с целью упрощения способа и одновре менного определения поверхностной рекомбинации и диффузионной длины, вычерчивают в относительных единицах экспериментально сня

ыс кривые спектрального распределения фоточувствительности в об

/1 . неги пенного погпо гГенин и пп ннкяону прямой, -- f ) — ), гне

1р № 146882 !

1 г б б

1 г г

У

Составитель описания А. И. Хохлов

Редактор Н. С. Кутафина Техред 4. А. Камышникова Корректор Г. Мосолова

Подп. к печ. 9.Х-62 г. Формат бум 70Х 108>!,„, Объем 026 изд. л

Зак 6055 Тираж 115(Цена 4 коп.

ПБТИ Комитета но делам изобретений и открытии при Совете Министров ГГГР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Типография 11БТИ Москва Г1етповка Я