Способ определения фотографических характеристик фототермопластических материалов

Способ определения фотографических характеристик фототермопластических материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к способу определения фотографических характеристик фототермопластических материалов, позволяет сократить длительность определения фотографических характеристик фототермопластических материалов. Формируют скрытое изображение сенситограммы посредством экспонирования ее полей двумя сходящимися когерентными световыми потоками при модулируемых значениях экспозиции. Измеряют потенциал на проэкспонированных полях сенситограммы. Далее осуществляют тепловое проявление скрытого изображения с градиентом температуры. Измеряют двумерное распределение величин светомодуляционной способности и дифракционной эффективности на проявленном изображении с регулярной или авторегулярной структурой деформации. Строят системы характеристических кривых и амплитудно-контрастной характеристики. Экспонирование полей сенситограммы производят световыми потоками с соотношением площадей сечений 0,2-0,8 в плоскости экспонирования. При этом на половине области экспонирования световым потоком с меньшей площадью сечения величину экспозиции поддерживают постоянной, при проявлении границу раздела этой области ориентируют по направлению градиента температуры. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (И) (Я)4 G 03 G 16 00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМ .Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ .

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4252840/31-12 (22) 01,06,87 (46) 07,04. 89 Бюл, 1(. 13 (71) Всесоюзный государственный научно-исследовательский и проектный институт химико-фотографической промьппленности (72) А,В,Павлов, С,А,Недужий и А.П.Авдонин (53) 772,93(088, 8) . (56} Недужий С,А,, Павлов А,В, Тезисы докл, 3 Всес. конф, по бессеребряным и необычным фотографическим процессам. Фототермопластика, Вильнюс, 1980, с.126. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕБИ ФОТОГРАФИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ФОТОТЕРИОПЛАСТИЧЕСКИХ ИАТЕРИАПОВ (57) Изобретение относится к способу определения фотографических характеристик фототермопластических материапов, позволяет сократить длитель". ность определения фотографических характеристик фототермопластических ,материалов, Формируют скрытое изобра,жение сенситограммы посредством эксИзобретение относится к способам определения фотографических характе-. ристик материалов и может быть использовано для сенситометрической оценки таких материалов.

Цель изобретения — сокращение длительности определения фотографических характеристик фототермопластических материалов. понирования ее полей двумя сходящиьыся когерентными световыми потоками при модулируемых значениях экспозиции. Измеряют потенциал на проэкспонированных полях сенситограмм . Далее осуществляют тепловое проявление скрыто го изображения с градиентом температуры. Измеряют двумерное распределение величин светомодуляционной способности и дифракционной эффективности на проявленном изображении с регулярной или авторегулярной структурой деформации, Строят система характеристических кривых и амплитудно-контрастной характеристики, Экспонирование полей сенси то гр аммы производят световыми потоками с соотношением площадей сечений 0,2-0,8 в плоскости экспонирования, При этом на половине области экспонирования световым потоком с меньшей площадью сечения величину экспозиции поддерживают постоянной, при проявлении границу раздела этой области ориентируют по направлению градиента температуры. 1 з,п. ф-лы, 1 табл, Сущность способа в следующем.

Получают одну сен си о гр амму путем электроразрядного очувствления материала и экспонирования сенситогр аммы двумя сходящими когерентными световыми потоками с различной площадью сечений в ппоскости экспонирования, создающими модуляцию экспозиции на сенситогр амму, при ориентации границы! 471169

5О раздела таких потоков по направлению градиента температуры проявления.

По такой сенситограмме определяют характеристические кривые для скрыто5 го изображения, а после теплового проявления с градиентом температуры определяют характеристические кривые для эффективного изображения с регу" лярной и авторегулярной структурой деформации. Для определенчя амплитудно-контрастной характеристики получение сенситограммы производят посредством экспонирования ее полей аналогичными светавыми потоками, причем на половине областн экспонирования поля сенситограммы световым потоком с меньшей площадью сечения величину экспозиции подцерживают постоянной для всех полей, а при проявлении 20 гр аницу р аз дел а э той о бл асти т акже ориентируют по направлению градиента темпер атуры, Выбор соотношения площадей световых потоков определяется разрешением электрометрическсго устройства, коTopbIM производят измерение потенциала на участках полей, экспонированных только одним световым потоком, а так" же ппощадью сечения считывающего све" 30 тового потока, с помощью которого производят измерение фотографическо го эффекта на соответствующих участках каждого поля, В зависимости от используемых значений этих параметров соотношение площадей сечений световых

35 потоков .в плоскости экспонирования обычно выбирают в пределах 0,2-0,8.

Пример 1, (известный), Способ определения фотографических характе" ристик фототермопластического материала состоит в получении и измерении двух видов сенситограмм: с автарегулярной структурой при варьируемых значениях экспозиции и с регулярной структурой при варьируемых значениях экспозиции, На фотоматериале, содержащем прозрачную пленочную основу шириной 35 мм, прозрачный электропроводящий слой и фототермопластический слой на основе поливинилкарбазола толщиной 5 мкм получают скрытое изображение сенситограммы с авто" регулярной структурой посредством очувствления слоя до потенциала

600 В и экспонирования световым па55 током с длиной волны 630 нм, создаю1 щим модуляцию экспозицией на полях сенситограммы в интервале 0 1-5 Дж/м, затем измеряют потенциал на каждом поле сенситограммы и строят характе" ристическую кривую для скрытого изображения, по которой определяют электрофотографические характеристики материал а, После этого проявляет скрытое значение вели ын светомодуляцианной способности и дифракционной эффективнос" ти или их отношения,;: При этом значе" нии температуры проявления строят характеристическую кривую для сенситаграммы с регулярной структурой, по которой определяют соответствующие фотографические характеристики материала а.

Пример 2 (известный), Получение и измерение сенситограмм производят согласно примеру i на фототермопластической пленке с толщиной фотатермопластического слоя 2 мкм при величине потенциала 300 В и угле

0 схождения световых потоков 9,3

Пример 3 {известный), Получение и измерение сенситограмм производят на пленке с тодщиной фототермопластического слоя 7 мкм при величине потенциала очувстления сенситограммы с авторегулярной структурой

650 В, с регулярной структурой 300 В и угле схождения световых потоков о ,5 ), Пример 4, На фотоматериале, описанном в примере 1, получают открытое изображение сенситограммы посредством очувствления материала до величины потенциапа 600 В и экспонирования двумя сходящими под углом о

3 ко герентными монохроматическими ! световыми. потоками; одинаковой ин тенсивности с соотношением площадей сечений в плоскости экспонирования, равным 0,5, создающими модуляцию экспозиции на полях сенситограмьы, затем производят измерение потенциала на участках полей сенситограмиа, экспонированных одним световым потоком, и строят характеристическую кривую для скрытого иэображения, по которой определяют электроизображение с градиентом температуры, ориентируемлм перпендикулярно направлению изменения экспозиций, измеряют зависимость светомодуляционной способности от температуры проявления на каждом:поле сенситограммы и строят характеристическую кривую в виде зависимости светомодуляционной способности от

5 14711 экспозиции при оптимальной светомодуляционной способности на каждом поле сенситограмьы, По такой кривой определяют фотографические характеристи5 ки материала дпя изображения с авторегулярной структурой деформации, а при совместном анализе этой кривой и характеристической кривой для открытого изображения находят величину потенциала (400 B) при которой вели.— чина свегомодуляционной способно сти, создаваемая . этим видом структуры, близка к фоновому уровню, Затем получают скрытое изображе" ние сенситограммы с регулярной структурой посредством очувствления Фототермопластического слоя до потенциала 400 В и экспонирования полей сенсито граммы двумя когерентными свето- 20 выми потоками одинаковой интенсивности и с длиной волны 630 нм, сходящно мися под углом 3,5 и создающими модуляцию экспозиций на полях сенсито,гр азы, проводят тепловое проявление 25 скрытого изображения в течение 1 с в интервале температур 80-120 С с

1 градиентом температуры 2 град/мм, ориентируемым перпендикулярно изменению экспозиций, измеряют зависимости ЗО светомодуляционной способности и (или) дифракционной эффективности по.лученного изображения от температуры

| на каждом поле сенситограммы, Из анализа таких зависимостей, полученных на сенситограммах с авторе-. гулярной и регулярной структурой деформации, определяют оптимальное значение температуры проявления записи с регулярной структурой, при ко- 40 торой реализуется максимальное фотографические характеристики материала, После этого проявляют скрытое изображение согласно примеру с гради- 4

5 ентом температуры, ориентированным параллельно границе раздела световых потоков, производят измерение величин фотографических эффектов и их отношения для областей, экспонированных двумя и одним cBBTQBbIMH потоками, затем строят характеристические кривые для температур проявления, соответствующих температур проявления, соответствующих максимальным значениям указ анных величин для з апи си с р е гуляр ной и автор е гуляр ной структурой деформации, и по таким кривым определяют соответствующие фотографичес»

69 е кие характеристики фотоматериапа, Получение минимального уровня светомодуляционной способности для авторегулярной структуры достигается посредством выбора температуры проявления сенситограммы с регулярной структурой деформации, Пример 5, На фотоматериале, описанном в примере 2, получают сен" ситограмму согласно примеру 4 при величине потенциала 300 В и угле схождения световых потоков 9,3 и проводят измерение электрофотографических и фотографических характеристик фотоматериала согласно примеру 4, Пример 6, На фотоматериале, описанном в примере 3, получают сенситограмму согласно примеру 4 при величине потенциала 650 В и угле о схождения световых потоков 2,5 и проводят измерение электрофотографических и фотографических характеристик фотоматериала согласно примеру 4.

Пример 7, На фотоматериале, описанном в примере 1, получают сенситограмму согласно примеру 5 при соотношении площадей сечений световых потоков, равном 0,2, и проводят измерение электрофотографических характеристик согласно примеру 5, Пример 8. На фотоматериале, описанном в примере 1, получают сенситограмму согласно примеру 5 при соотношении площадей сечений световых потоков в плоскости экспонирования равном 0,8, и проводят измерение электрофатографических и фотографических характеристик согласно примеру 5, Пример 9 (известный). Способ определения фотографических характеристик фототермопластических материа-. лов состоит в получении и измерении трех видов сенситограмм: с авторегулярной структурой и с регулярной структурой при варьируемых значениях экспозиции и контраста, На фотоматериале, описанном в примере 1, проводя т получение сенситограмм и определение электрофотографических и фотографических характеристик согласно примеру 1, По сенситограмме с регулярной структурой определяют оптимальную величину экспозиции 2 Дж/и, соответствующую максимальной величине дифракционной эффекти в но сти, для получения сенситограмм при варьируемых значениях

1471169

1 20-40

1 - 20-40

1 20-40

-0â5 5 10

0,5 5-10

0,5 5-10

0,2 5-10

0,8 5-10

1 30-40

0,5 10-20

2

1

I

1

1 5

2 2

3 7

4 5

5 2

6 7

7 5

8 5

9 5

10 5 контраста. Очувствление и экспонирование сенситограмм проводят согласно примеру 1 с градиентом температуры, ориентируемым перпендикулярно направ5 лению изменения контрастов, измеряют зависимость дифракционной эффективности от температуры проявления и для оптимального значения последней строятт амплитудно- контрастную х ар акте- 10 ристику, по которой определяют соответствующие фотографические характеристики материала, Пример !О, На фотоматериале, описанном в примере 1» получают сенси- 15 тограмму согласно примеру 5, однако на половине области экспонирования поля сенсито граммы световым потоком с. меньшей площадью сечения величину экспозиции поддерживают постоянной 20 на всех полях сенситограмма, а при проявлении границу раздела этой области также ориентируют по направлению градиента температуры. После измерения электрофотографических и фо" 25 то гр афиче ских характеристик, проводимых согласно примеру 5, определяют величину экспозиции для получения ам плитудно-контрастной характеристики, равную 2 Дж/м, затем производят пов- 30 торное получение такой сенситограмма при выбранном значении максимальной экпозиции, После проявления производят измерение дифракционной эффектив" ности на участках полей, экспонированных при постоянной величине экспозиции световым потоком с меньшей площадью сечения, находят оптимальное значение температуры проявления, для которой строят амплитудно-кон- 40 трастную характеристику материала, и определяют соответствующие фотографические характеристики материала, В таблице приведены численные 45 характеристики, показывающие сокращение длительности процессов получения .и измерения сенситограмм при проведении сенситометрических испытаний, согласно примерам.

;50

Таким образом, как следует из сравнения примеров 1-3 и 4-8, 9 и 10, предложенный способ определения фотографических характеристик позволяет увеличить оперативность процесса сенситометрических испытаний за счет сокращения более чем в 2 раза длительности получения сенситограмм и их измерения, Формула изобретения

1, Способ определения фотографических характеристик фототермо ластических материалов, включающий очувствление материала путем нанесения заряда на его поверхность, формирование скрытого изображения сенситограммы путем экспонирования ее полей двумя сходящимися когерентными световыми потоками при модулируемых значениях экспозиции, измерение потенциала на проэкспонированных полях сенситограмма, тепловое проявление скрытого изоб †. ражения с градиентом температуры, измерение двумерного распределения величин светомодуляционной способности и/или дифракционной эффективности проя вленно ro изобр ажения сенсито граммы с регулярной или авторегулярной структурой деформации и последующее построение системы характеристических кривых, отличающийся тем, что,, с целью сокращения .длительности определения, экспонирование полей сенситограммы осуществляют световыми потоками при соотношении их площадей в плоскости экспонирования, равном 0,2-0,8 с, ориентацией границы раздела их по направлению градиента температуры проявления.

2. Способ по п,1, о т л и ч а юшийся тем, что, целью определения амплитудно-контрастной характе : ристики, наполовине области зкспонирования поля сенситограмма световым потоком с меньшей площадью сечения величину экспозиции поддерживают постоянной при ориентации границы раздела по направлению градиента температуры проявления.