Способ получения монокристаллических дисков большого диаметра
Иллюстрации
Показать всеРеферат
KJr3cc 2с, 2 № 147576
СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВтОРСкОЮ свидетельств
Подписная группа М 39
Л. М, Беляев, Г, Ф. Добржанскии и Х. С. Багдасаров
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ДИСКОВ
БОЛЪЮОГО ДИАМЕТРА
Заявлено 3 июля 1961 г. за М 736971/23 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров ГССР
Or. óáërrêîâàH0 в «Бюллетене изобретений» Лв 11 за 1962 —.
Известны способы получения монокристаллических дисков большого диаметра. Однако технология при этом требует громоздкой аппаратуры, больших мощностей нагрева и дополнительных механических операций. В процессе резки имеются значительные потери материала.
Предлагаемый способ отличается тем, что получение каждого из монокристаллических дисков производится непосредственно выращиванием его из расплава с помощью цилиндрической затравки заданной толщины, закрепленной в горизонтально расположенном держателе, непрерывно поворачивающемся вокруг своей оси в процессе роста монокристалла за счет непрерывного опускания тигля с расплавом со скоростью роста, Способ повышает экономичность, упрощая технологию процесса, а также улучшает качество дисков за счет снижения величин остаточных напряжений.
При осуществлении способа устанавливают на подвижной подставке тигель с кристаллизуемым веществом в двухсекцноннуlo электрическую печь (одна секция служит для плавления вещества и поддержания заданной температуры в зоне кристаллизации, другая — для поддержания температуры в зоне выращиваемого кристалла), Затравку в виде диска или цилиндра заданной толщины закрепляют в кристаллодержателе. После того, как вещество в тигле расплавится, а затравка примет соответствующую температуру, включают механизм вращения кристаллодержателя с затравкой.
С помощью подъемного механизма тигель подводят к затравке до соприкосновения ее с расплавом. Во избежание образования двойников затравку оплавляют перед началом кристаллизации.. ля этого темп ратуру расплава поддерживают выше температуры плавления кристаллизуемого вещества на — !00 1для 1целочногалоиднь1х) и на 15 для органических кристаллов (типа толана, нафталина и др.). После оплавления затравки температуру в зоне кристаллизации снижают 1для щелочногалоидных кристаллов температуру устанавливают на 40 — 50 выше температуры плавления, а для органических — на 5 — 8 ). По мере роста кристалла с помощью подъемного механизма автоматически поддерживают касание растущего кристалла с поверхностью расплава. По достижении необходимого диаметра кристалла тигель с остав:нимся расплавом опускают, а готовый кристалл переносят в печь для отжига.
Предмет изобретения
Составитель В. К. Нинин
Редактор Н. И, Мосин Техред T. П. Курилко Корректор Н. И. Кулешова
Г1 одп. к п еч. 25. 1 -62 г. Формат бум. 70Х108 /,а
Зак. 4107 Тира>к 650
ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при
Москва Центр, М. Черкасский пер., Объем 0 18 изд л
Цена 4 коп.
Совете Министров СССР д. 2/6.
Тип огр афи и ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.
Способ получения монокристаллических дисков большого диамет.ра, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности и упрощения технологии процесса, а также улучшения качества дисков за счет снижения величин остаточных напряжений, получение каждого из монокристаллических дисков производится непосредственным выращиванием его из расплава с помощью цилиндрической затравки заданной толщины, закрепленной в горизонтально расположенном держателе, непрерывно поворачивающемся вокруг своей оси в процессе роста монокристалла за счет непрерывного. опускания тигля с расплапом со скоростью роста.