Емкостный влагомер волокнистых материалов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к измерительной технике ,в частности, к влагометрии. Целью изобретения является повышение точности измерения влажности волокнистых материалов путем изменения конфигурации переменного электрического поля, наводимого первичным преобразователем емкостного влагомера. Емкостной влагомер содержит штыревой первичный преобразователь с изоляционным основанием. Первичный преобразователь выполнен в виде системы штыревых и компланарных электродов, причем штыревые электроды расположены на плоских электродах соответствующего потенциала, нанесенных на изоляционное основание. 2 ил.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
А1
„„SU„„147 10 (51) 4 G 01 N 27/22
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н Д BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ разом.
Влагомер опускается на исследуемый материал, при этом штыревые электроды 3 и 4 внедряются в материал. При нажатии на ручку 5 влагомера она утапливается и при достижении определенного усилия происходит замыкание контакта 6, включающего измерительную схему 7, в этот момент контролируется диэлектрическая проницаемость приэлектродного пространства.
Зтот первичный преобразователь позволяет измерять суммарный эффект в приэлектродной области практически . независимо от неоднородности уплотнеГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4312756/29-25 (22) 05.10.87 (46) 07 ° 05.89. Бюл. № 17 (72) !О.П.Секанов, Н.Л.Левитова, 1О.П.Бурштейн и Г.Я.Гольтман (53) 551.508.7(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР
¹ 890215, кл. G 01 N 27/22, 1980.
Берлинер М.А. Злектрические измерения, автоматический контроль и регулирование влажности. — M. Ë.:
Энергия, 1965, с. 48-51. (54 ) EMKO CT Hb2 ВЛА! ОМЕР БОЛО К11ИСТЫХ
МАТЕРИАИОВ (57) Изобретение относится к измериИзобретение относится к измерительной тех»ике, в частности к влагометрии, и может быть использовано для измерения влажности волокнистых материалов, например сена, кормов, хлопка, волокна и т.д.
Целью изобретения является повышение точности измерения.
На фиг. 1 показан влагомер, общий вид сбоку; на фиг. 2 — то же, вид сверху.
Емкостный влагомер волокнистых материалов состоит из первичного преобразователя и измерительного устройства с показывающим табло. Первичный преобразователь состоит из диэлектрического основания 1, на которое нанесены концентрические ленточные электроды 2. В центре основания расположен центральный штыревой электрод 3.
На кольцевом электроде на равном растельной технике, в частности к влагометрии. Целью изобретения является повышение точности измерения влажности волокнистых материалов путем изменения конфигурации переменного электрического поля, наводимого первичным преобразователем емкостного влагомера. Емкостный влагомер содержит штыревой первичный преобразователь с изоляционным основанием. Первичный преобразователь выполнен в виде системы штыревых и компланарных электродов, причем штыревые электроды расположены на плоских электродах соответствующего потенциала, на»есенных на изоляционное основание. 2 ил.
Ж стоянии друг от друга расположены штыревые электроды 4 меньшей длины.
Влагомер снабжен ручкой 5 с устройством уплотнения, имеется контакт 6 подключения измерительной схемы 7. 1
Измерение происходит следующим об1478108
Составитель А.Платова
Редактор С. Пекарь Техред Л. Олийнык Корректор А.Обручар
Заказ 2356/43 Тираж 790 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðîä, ул. Гагарина,101 ния и распределения влажности в поверхностном слое измеряемого материала, так как дает усредненное значение измеряемого параметра по объему
5 ограниченному площадью основания и глубиной проникновения наведенного электрического поля.
Формула и з о б р е т е н и я
Емкостный влагомер волокнистых материалов, содержащий первичный преобразователь, выполненный в виде штыревых электродов, закрепленных в диэлектрическом основании, и измерительную схему, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, на основании дополнительно нанесены компланарные электроды, причем штыревые электроды расположены на компланарных электродах соответствующего потенциала.