Способ определения статических искажений кристаллической решетки

Способ определения статических искажений кристаллической решетки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к физическому материаловедению ,в частности, к средствам контроля структуры материалов с помощью дифракции рентгеновских лучей. Цель изобретения состоит в повышении точности определения средней величины статических искажений в листовых материалах, обладающих текстурой прокатки. Интегральную интенсивность дифракционных линий двух порядков отражений определяют по текстурограммам, записанным в условиях непрерывного вращения образца вокруг оси β и одновременного наклона вокруг оси α. Образец, применяемый при реализации способа, выполняют в виде стопки листовых отрезков, уложенных с одинаковой ориентацией направления прокатки. На стопке выполняют эквинаклонный срез, образующий одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и перпендикулярным к ним направлением , который подвергают рентгенографированию. Достигаемое указанными средствами усреднение обеспечивает более высокую точность и достоверность результатов.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК, (д1) 4 Г 01 И 23/20

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ж товерность результатов, ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21 ) 4063747/31-25 (22) 28.04.86 (46) 15,05.89. Бюл. - 18 (71) Днепропетровский металлургический институт (72) Г,М.Воробьев, И.В,Копылова и Л.С.Кривуша (53) 621.386(088.8) (56) Васильев Д.М. К методике рентгеновского исследования поликристаллических образцов, обладающих текстурой. — ЖТФ, 1956 т. 26, в. 3, с. 695-697.

Смирнов Б.И, Исследование интенсив" ности рентгеновских линий молибдена при деформировании, — ЖТФ, 1958, т. 28, в, 12, с. 2693-2695.

Воробьев Г.M. Лючков A.Ä. Об интенсивности рентгеновских дифракционных линий железа после пластической деформации и отжига. — СИИ, 1967, т. 24, в. 3, с. 476-481. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТАТИЧЕСКИХ

ИСКАЖЕНИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕ1. 1ЕТКИ (57) Изобретение относится к физическому материаловедению, в частности

Изобретение относится к физическому материаловедению, в частности к средствам контроля структуры материалов с помощью дифракции рентгеновских лучей.

Цель изобретения — повышение точности определения средней величины статических искажений в листовых материалах„ обладающих текстурой прокатки.

„„Я0„„1479857 А1 к средствам контроля структуры материалов с ломощью дифракции рентгеновских лучей, Цель изобретения состоит в повышении точности определения средней величины статических искажений в листовых материалах, обладающих текстурой прокатки. Интегральную интенсивность дифракционных линий двух- порядков отражений определяют по текстурограммам, записанным в условиях непрерывного вращения образца вокруг оси 8 и одновременного наклона вокруг оси оЬ, Образец, применяемый при реализации способа, выполняют в виде стопки листовых отрезков, уложенных с одинаковой ориентацией направления прокатки. На стопке выполняют эквинаклонный срез, образующий одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и перпендикулярным к ним направлением, который подвергают рентгенографированыо. Достигаемое указанными средствами усреднение обеспечивает более высокую точность и дос2

Пример. Исследование статических искажений в стальном листе.

Образцы готовят следующим образом.

Из стали 08КП собирают стопку листовых образцов (19х19) с одинаковым расположением направления прокатки, выполняют срез стопки по плоскости, составляющей одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и поперечныл направлением.

1479857

Ь

I = — — - --- 6, 2/» э по ;, (1) («0);=, h „ ()

20 где

<1 1

» 1 (2) В выражениях (! ) и (2) ol, — угол наклона вокруг оси с/. плоскости образца к плоскости первичного и отраженного лучей при съемке текстурограммы. Величины Ь; соответствуют .углу наклона образца эа один его полный оборот вокруг наклоняемой оси В при рентгеновской съемке для ol; меньше

35 . При о1; больше 35 б; выбирается так, чтобы полностью перекрыть 1/4 поверхности полюсной фигуры. Величины

S, и h определяются по текстурным 35 кривым образцов и эталонов.

Аналогично рассчитывается суммарная интенсивность интерференции

I (z:î) и I у (22о) °

Усредненная по всем возможным направлениям величина статических ис2 кажений U кристаллической решетки текстурованных образцов рассчитывается по формуле 45

><«о1 I эт (2 о)

U = —,-- 1n--- — — - -- - — — (3)

/ (2701 эт («o) 50

Результаты определения статических искажений кристаллической решетки в листовой стали 08КП известным и предложенным способами представлены в таблице. а

Затем производят съемку текстурограмм по методу отражения с этого среза для двух порядков отражения ат одной плоскости (110) и (220) и определяют интегральную интенсивность в пределах

1/4 полюсной фигуры. Текстурные кри- вые записывают при непрерывном вращении вокруг горизонтальной g и наклдняемой В осей в процессе рентгенов- 10 ской съемки с помощью дифрактометра типа ДРОН на приставке ГП-4 для исследования текстуры.

Расчет суммарной интенсивности линии (110) по кривым тестурограммы 15 производят по формуле

Формула изобретения

Способ определения статических искажений кристаллической решетки, включающий определение отношения интенсивности дифракционных рентгеновских линий двух порядков отражения (п,k„ lg) и (n2k21 ) от одной кристаллографической плоскости, о т л и " ч а ю шийся тем, что; с целью повышения точности определения средней величины статических искажений в листовых материалах, обладающих текстурой прокатки, собирают стопку листовых образцов с одинаковым расположением направления прокатки, выполняют срез стопки по плоскости, составляющей одинаковые углы с направлением прокатки, нормалью к плоскости прокатки и перпендикулярным к ним направлением, с этого среза для двух порядков отражения от одной плоскости производят съемку текстурограмм по методу отражения, определяют интегральную интенсивность в пределах

1/4 прямой полюсной фигуры и вычисляют статические искажения иэ соотнощения а 1(п, k „1 ) ° I э (п 1с1) где

I (nkl) =Q Q,i ° 2» since;

" h,, (nk1)

1 эт

h;(nkl) = S„(nk1)/6;; о(° — угол наклона плоскости образца к плоскости первичного и отраженного лучей при съемке текстурограмм при i-м наклоне образца вокруг оси наклона о ; угол наклона образца эа один . его полный оборот вокруг оси В;

S (nk1)-суммарная интенсивность дифракционных лучей эа i-й оборот вокруг наклоняемой оси, определяемая по текстурограммам, интерференции (п„1 1 ) и (n2k2"-2)»

I (nkl)

I, (nk1) — интенсивность линий (n

1479857

4IP по способу

Показатели известному предлагаемому

Измерения

2

4

Среднее значение Ц2

Средняя квадратичная ошибка „ цг

Относительная

0 095 0 105

0,107 0,098

0,110 0,096

0,092 0,102

0,1010 0,10035

0,00883 0,00208 среднеквадратичная оиибка, %

h(4u ) (, цГ) 8,74

2,073

Составитель Е. Сидохин

Техред И.дидык Корректор: С.Шекмар

Редактор Л.Веселовская

Заказ 2537/43 Тираж 790 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент". г.ужгород, ул. Гагарина,101