Способ получения изображения p-n переходов

Способ получения изображения p-n переходов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

класс 21о, 13зо № 148154

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕГЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ .11одиисная epgnna № 97

Н. Н. Седов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ р-п ПЕРЕХОДОВ

Заявлено 16 июля 1961 г. за № 738369/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 12 за 1962 r.

Известные способы получения изображения р-и переходов в полупроводниках при помощи электронной эмиссии с их поверхности имеют низкое качество изображения, в связи с чем они не находят практического применения.

Предлагаемый способ отличается тем, что электронную эмиссию возбу>кдают бомбардировкой поверхности полупроводника положительными ионами. Это позволяет значительно улучшить качество изображения.

На чертеже изображено устройство для наблюдения р-и переходов.

Поверхность полупроводника 1, на которую выходят р-и переходы, служит катодом эмиссионного электронного микроскопа со вторичной эмиссией.

Эмиссия электронов полупроводника вызывается ббмбардировкой его поверхности положительными ионами, вылетающими из ионной пушки 2.

Освобожденные электроны проходят объектив -8 микроскопа, оптическое устройство 4, проекционную линзу 5 и фокусируются на флуоресцирующий,экран б, на котором через окно 7 ведут наблюдение за состоянием р-и перехода.

Под экраном б размещена фотокассета 8 с набором фотопластинок, которые могут последовательно подаваться под. экспозицию, в результате чего осуществляется фотографирование изобра>кения с экрана б. Вакуум внутри микроскопа обеспечивается диффузионным 9 и форвакуумным 10 насосами. Питание к электродам микроскопа н ионной пуш.ке 2 подводится с высоковольтного выпрямителя 11.

При смене объекта исследования или фотокассеты внутрь микроскопа впускается воздух, который во время наблюдения откачивается насосами 9 и 10.

М 148154

Объект исследования подготавливается путем среза, шлифовки и полировки полупроводника до тех пор, пока р-и переходы не окажутся н а его п овер хи ости.

Для устранения поверхностного замыкающего слоя поверхность полупроводника;подвергается травлению с последующей промывкой спиртом и дистиллированной водой.

Предлагаемый способ получения изображения р-и переходов найдет широкое применение в радиоэлектронной промышленности при исследовании качества р-и переходов в полупроводниках.

Предмет изобретения

Способ получения изображения р-и переходов в полупроводниках при помощи электронной эмиссии с .их поверхности, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью улучшения качества изображения, электронную эмиссию возбуждают бомбардировкой поверхности полупроводника положительными ионами.

Редактор Т. Ф. Загребельная Техред А. А. Кудрявицкая Корректор E. NL Кашина

Поди. к печ. 7 Vl-62 г. Формат бум. 70К108 /ы

Зак. 6156 Тираж 1000

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при

Москва, Центр, М. Черкасский пер., Объем 0,18 изб л.

Цена 4 коп.

Совете Министров СССР д. 2/6.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14.