Способ получения носителя информации

Способ получения носителя информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов. Цель изобретения - повышение быстродействия носителя информации и отношения сигнал/помеха при магнитооптическом считывании информации. На подложку из немагнитного граната наращивают монокристаллическую пленку феррит-граната методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора - расплава, содержащего PBO, BI<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB>, Y<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB>, LU<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB> и FE<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB>. Раствор - расплав дополнительно содержит B<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB> и GA<SB POS="POST">2</SB>O<SB POS="POST">3</SB>. Пленку наращивают на подложку из кальций-ниобий-галлиевого граната с ориентацией /110/ при температуре от 663 до 693°С. Использование подложек с ориентацией /110/ обеспечивает создание в пленке орторомбической анизотропии и как следствие высокую скорость движения доменных стенок (≥10<SP POS="POST">2</SP> м/с). 1 табл.

ССНОЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (19) (11) (S1) 4 С 11,С 11/,14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

РЬО

Bl. О

В О

,О, 1.и О

Ре О

Ga,Π— 60,31

29,43

1,78 — 0,29 — 0,06 — 7,84

1,88

58,87

26,57

1,63

0,27

0,05

7,68

1,70

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4288258/24-24 (22) 21 ° 07.87 (46) 23.05.89. Бюл. N 19 (75) В.В. Рандошкин и В.И. Чани (53) 681. 327. 66(088.8) (56) J.Appl.Phys., 1982, v. 53, В 3, р. 2478-2480.

Там же, с. 2483-2485. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов. Цель изобретения — повышение быстродействия процесса записи-считывания с носителя информации и отноше—

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспарантов.

Целью изобретения является повы шение быстродействия процесса записисчитывания с носителя информации и отношения сигнал/помеха при магнитооптическом считывании информации.

Способ осуществляют следующим образом.

На подложку из немагнитного граната наращивают монокристаллическую пленку феррит-граната методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава, содержащего

PbO, В1 О,, У,О, Lu О и Ре О раствор-расплав дополнительно содерния сигнал/помеха при магнитооптическом считывании информации. На подложку из немагнитного граната наращивают монокристаллическую пленку феррит-граната методом жидкофазной эпитаксии из переахлажденного раствора-расплава, содержащего РЬО, Bi 0, Ч20з Lu O и Ре20з Раствор-расплав дополнительно содержит В, О, и Ga О

Пленку наращивают на подложку из кальций-ниобий-галлиевого граната с ориентацией (110) при температуре от 663 до 693 С, Использование подложек с ориентацией (110) обеспечивает создание в пленке орторомбической анизотропии и, как следствие, а высокую скорость движения доменных стенок (10 м/с). 1 табл.

1 жит В203 и Ga209 а пленку наращи вают на подложку из кальций-ниобийгаллиевого граната с ориентацией (110) при температуре 663-693 С, причем раствор-расплав содержит компоненты в следукш(ем отношении, мол.Х:

Использование подложек с ориентацией (110) обеспечивает создание в пленке орторомбической анизотропии и, как следствие, высокую скорость

1481857

Данные по примерам

Показатели

1 2 3

61,33

27,02

1,63

0,275

0,055

7,97

1,73

684

60,31

26,57

3,27

0,270

О, 050

7,84

1,70

682

58,87

29,43

1,78

0,290

0,060

7,68

1,88

693 о

TI7 мин ббб

679 движения доменных стенок (10 и/с) .

Однако в отличие .от известного способа, где используют подложки из неодим-галлиевого граната в данном э S случае пленки наращивают на подложках из кальций-ниобий-галлиевого граната, которые более прозрачны и обеспечивают на порядок более высокую магнитооптическую добротность на длине волны = 0,8 мкм.

При температуре роста пленок боо лее 693 С их качество резко ухудшается вследствие значительного растворения подложки. При температуре раствора-расплава менее 663 С начинается спонтанная кристаллизация феррит-граната. Указанный диапазон температур роста пленок обеспечивает при содержании в расплаве, мол.%: Pb0 58,8760,31; Bi О 26,57-29,43; В,О 1,631,78; (Y О + Lu О ) не более 0,35.

Орторомбическая анизотропия, достаточная для повышения скорости домен-. ной стенки с 10 до)100 м/с, созда- 25 ется при содержании в растворе-расплаве, мол.%: Fe,О, .7,68-7,84; Са,О

Соде ржание компо нентов в шихте, мол.Х:.

Pb0

2 3

B О

Y О

Lu О

Р О

Са О о р.,ча кс э

Формула из о бре т ения

Способ получения носителя информации, основанный на наращивании на подложке из немагнитного граната монокристаллической пленки ферритграната методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного растворарасплава, содержащего Pb0, Bi О,, У20э, ?и20з и Fe20, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью повы1,70-1,88. Согласование параметров решеток пленки и полложки обеспечивают при содержании в раствор-расплаве, мол.%: Y О, 0,17-6,29 ; Еи,09

0,05-0,06.

II p и м е р. Пленки (ЪЧллВ1) (РеСа) Оц выращивают из растворов-расплавов, состав которых приведен в таблице, по известной технологии на установке

УЭР-3. В качестве подложек используют пластины монокристаллов

Са (МЬСа) 0 „ с ориентацией (110) .

Содержание Bi в пленках 1,9-2, 1 атомов на формульную единицу граната, что обеспечивает фарадеевское вращение (3,2-3,5)x10 град/см при A

600 нм, скорость движения доменных стенок, измеренная методом высокоскоростной фотографии, ) 10 м/с. В пленках, полученных согласно известному способу, содержание Bi не превышает

0 3 атомов на формульную единицу.

При этом удельное фарадеевское враще4 ние не превышает 0,5х10 град/см при 9 = 600 нм, а скорость доменных стенок 20 м/с. шения быстродействия процесса записисчитывания с носителя информации и отношения сигнал/помеха при магнитооптическом считывании информации, в раствор-расплав дополнительно вводят В 0 и Ga О» наращивание моно кристаллической пленки проводят на подложке иэ кальций-ниобий-галлиевого граната с ориентацией (110) при температуре 663-693 С, причем раствор1481857 в следура сила в содержит компоненты на ем соотношении, мол. Е:

PbO

2 3

58,87 — 60,31

26, 57 — 29,43

Составитель 10, Розенталь

Техред А.Кравчук

Корректор И. Муска

Редактор И. Шмакова

Заказ 2698/54 Тираж 559 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно †издательск комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина, 101. В20

Y,О, Lu,О

Р О

Га,О, 1,63 — 1, 78

0,27 — 0,29

0,05 — 0,06

7,68 — 7,84

1, 70 — 1,88