Матричное диодно-емкостное запоминающее устройство с полупеременной памятью

Матричное диодно-емкостное запоминающее устройство с полупеременной памятью

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(/,1

Класс 42m, 14 № 148275

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа Л6 174

Э. H. Улановский, В. Е. Куликов и В. С. Шохат

МАТРИЧНОЕ ДИОДНО-ЕМКОСТНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ

УСТРОЙСТВО С ПОЛУПЕРЕМЕННОЙ ПАМЯТЬЮ

Заявлено 15 сентября 1961 г. за М 744861;/26-24 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретенпй» М 12 за 1962 г.

Известны диодные долговременные матричные запоминающие устройства. Также известны и емкостные долговременные запоминающие устройства, каждая секция которых содержит параллельные входную и выходную панели из листового или пленочного изоляционного материала с нанесенными на них соответственно входными и выходными шинами секций и с расположенным между входной и выходной панелями плоским экранирующим носителем информации, записываемой на нем путем перфорации в соответствующих местах перекрещивания входных и выходных шин данной секции и образования в этих местах элементарных емкостей.

Предлагаемое матричное диодно-емкостное запоминающее устрой-тво с полупеременной памятью отличается тем, что для улучшения соотношения сигнала к помехе на выходе ЗУ и увеличения емкости памяти ЗУ выходная панель каждой секции выполнена в виде совокупности расположенных во всех местах перекрещивания входных и выходных шин секции полупроводниковых диодов. Одни электроды диодов (например, аноды) соединены между собой выходными шинами, а другой электрод (например, катод) каждого диода служит одновременно обкладкой элементарной емкости ячейки памяти ЗУ.

Для уменьшения габаритов ЗУ и их стоимости, а также упрощения технологии изготовления, диодные выходные панели ЗУ выполнены на таких же стандартных перфокартах, как и экранирующие носители информации.

На фиг. 1 показана выходная панель описываемого ЗУ, в разрезе: на фиг. 2 — электрическая схема ЗУ.

Каждая секция описываемого ЗУ состоит из трех сложенных в стоп ку плоских панелей, выполненных из листового (или пленочного) электроизоляционного материала: входной панели, сменной панели (носителя информации) и выходной панели. № 148275

Входная панель имеет нанесенные с одной стороны параллельные входные шины из металла. Сменная панель (носитель информации) расположена между входной и выходной панелями и имеет отверстия (в соответствии с записанными кодами) в местах перекрещивания входных и выходных шин секции. Поверхность сменной панели покрыта пленкой металла (или фольгой), которая заземлена и служит для взаимной экранировки входной и выходной панелей. Следовательно, в каждом месте, где имеется отверстие в сменной панели (т. е. где записана

«1» информации), образуется элементарная емкость между одной из входных шин и выходной панелью.

Выходная панель имеет нанесенные с одной стороны металлические параллельные выходные шины и отверстия во всех местах пересечения входных и выходных шин ЗУ. В этих отверстиях располагается пленка полупроводника, образующего пленочные полупроводниковые диоды. Одни электроды 1 этих диодов (например, аноды) соединены между собой параллельными пленочными выходными шинами 2 секции ЗУ, нанесенными на одной (внешней по отношению к экранирующему носителю информации) строго выходной панели. Вторые электроды диодов (например, катоды) нанесены на другой стороне выходной панели в виде несоединенных между собой кружков 8 пленки металла, каждый из которых служит в местах перфорации одним из электродов элементарной емкости ячейки памяти (другой электрод — входная шина).

Таким образом, в месте перфорации сменной панели сигнал проходит с входной шины 4 (фиг. 2) через элементарную емкость 5 ячейки и диод б на соответствующую выходную шину 2. Диодные выходные панели ЗУ выполнены на таких же стандартных перфокартах, как и экранирующие носители информации (сменные панели).

Совмещение принципов действия диодного и емкостного долговременных ЗУ в предложенном ЗУ позволяет уменьшить возможность обратного прохождения информации, т. е улучшает соотношение сигнал— помеха, и тем самым позволяет увеличить емкость и надежность ЗУ.

Указанные достоинства предлагаемого ЗУ обусловливают полезность его применения.

Предмет изобретения

1. Матричное диодно-емкостное запоминающее устройство с полупеременной памятью, каждая секция которого содержит параллельные входную и выходную панели из листового или пленочного изоляционного материала с нанесенными на них соответственно входными и выходными шинами секции и с располо>кенным между входной и выходной панелями плоским экранирующим носителем информации, записываемой на нем путем перфорации в соответствующих местах перекрещивания входных и выходных шин данной секции и образования в этих местах элементарных емкостей, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью улучшения соотношения сигнала к помехе на выходе ЗУ и увеличения емкости памяти ЗУ, выходная панель каждой секции выполнена в виде совокупности расположенных во всех местах перекрещивания входных и выходных шин секции плоских полупроводниковых диодов, одни электроды которых (например, аноды) соединены между собой выходными шинами, а другой электрод (например, катод) каждого диода служит одновременно обкладкой элементарной емкости ячейки памяти

ЗУ.

2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения .габаритов ЗУ и их стоимости, а также упрощения технологии изготовления, диодные выходные панели ЗУ выполнены на таких же стандартных перфокартах, как и экранирующие носители информации. № 148275

2 риг / рцг.2

Составптсль описания А, И. Хохлов

Редактор H. Л. Корченко Техред А А. Камышникова Корректор В. Андрианов

Подп кпеч. 18/VI-62 г. Формат бум. 700(108 / г, Объем 0,26 изд. л.

3ак. 6232 Тираж 700 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Центр, М, Черкасский пер., д. 2/6.

Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14