Запоминающий элемент-ионотрон

Запоминающий элемент-ионотрон

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советокик

Социалистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 22.!Х.1961 (№ 745604/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17.Х1.1966. Бюллетень ¹ 23

Дата опубликования описания 1.1.1967

m„

МПК G 06d

Комитет по делам изобретений и открмтий при Совете Министров

СССР

УДК

Автор изобретения

В. Б. Толутис

Заявитель

ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ вЂ” ИОНОТРОН

Предлагается запоминающий элемент-ионотрон, отличающийся тем, что для придания элементу свойств изменения своего состояния со скоростью, зависящей от величины приложенного электрического напряжения, в запирающий слой контакта введена подвижная компенсирующая примесь, например серебро.

Описываемый запоминающий элемент— ионотрон выполнен на основе полупроводникового выпрямляющего контакта, например, селен-металл, причем полупроводник легирован подвижной компенсирующей примесью (например, серебром), концентрация которой несколько меньше концентрации основных примесных центров в полупроводнике.

Действие ионотрона основано на изменении параметров вольтамперной. и вольтемкостной характеристик выпрямляю щего контакта вследствие изменения распределения примесных центров серебра в запирающем слое под действием приложенного на ионотрон внешнего напряжения. Даже прн незначительном внешнем ыапряжении на ионотроне в запирающем слое выпрямляющего контакта возникает сильное электрическое поле, под действием которого протекает электродиффузия компенсирующих примесных центров. В зависимости от полярности приложенного напряжения соотношение концентрации собственных и компенсирующих примесных центров и запирающем слое или увеличивается или уменьшается.

При данной ьеличине внешнего напряжения на ионотроне через определенный промежуток времени (время релаксации) устанавливается определенное равновесное распределение примеспых центров в запирающем слое, т. е. возникает определенное стабильное состояние ионотрона. Подачей на ионотрон им10 пульсов напряжения различной полярности допустимо большой величины можно получить два различных устойчивых состояния ионотрона, которые могут быть обозначены «1» и «О».

Величина зависит от величины приложенного

15 па ионотроп внешнего напряжения (она быстро увеличивается с уменьшением напряжения). Вследствие этого можно определить состояние ионотрона без значительных изменений этого состояния, т. е. считывать информа20 цию без заметного разрушения ее.

Самопроизвольное изменение состояния ионотрона («1» или «О») вследствие диффузии компенсирующих примеспых центров протекает медленно, поэтому ионотрон может дли25 тельное время сохранять записанную информацию без регенерации.

Описываемый запоминающий элемент-ионотрон может быть использован в вычислительной технике (запоминающих устройствах, ло30 гических элементах и т. д.).

148277

Предмет изобретения

Редактор В. П. Липатов Техред Л. Бриккер Корректоры: С. Н. Соколова и В. В. Крылова

Заказ 3906/6 Тираж 1075 Формат бум. 60)(90 /з Объем 0,1 изд. л. Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Запоминающий элемент-ионотрон, выполненный на основе полупроводникового выпрямляющего контакта, например селен-металл, отличающийся тем, что, с целью придания элементу свойств изменения своего состояния со скоростью, зависящей от величины приложенного электрического напряжения, в запирающий слой контакта введена подвижная компенсирующая примесь, например серебро.