Аналоговый перемножитель

Аналоговый перемножитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к радиотехнике и связи и м.б. использовано в измерительной технике. Цель изобретения - повышение точности перемножения и быстродействия при расширении диапазона входного сигнала. Аналоговый перемножитель содержит семь биполярных транзисторов 1-7, два резистора 8,9, два источника тока 10,11, дифференциальный каскад. Поставленная цель достигается введением двух диодов 13 и 14. Диоды 13 и 14 могут быть выполнены в виде диодов Шоттки, образующихся при нанесении металлизации на высокоомную N-область коллекторов транзисторов 3,4. 1 ил.

А1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„1483585 (51) 4 Н 03 В 19/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н д ВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4299976/24-09 (22) 31.08,87 (46) 30,05.89; Бюл. N - 20 (72) В.Н. Иванов, В.В. Иванов и В.А. Стрик (53) 621.374.4(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

91394395, кл. H 03 В 19/00, 18.07.86 ° (54) АНАЛОГОВЪ|Й ПЕРЕМНОЖИТЕЛЬ (57) Изобретение относится к радиотехнике и связи и м.б. использовано в измерительной технике. Цель изобретения — повышение точности пере2 множения и быстродействия при расширении диапазона входного сигнала.

Аналоговый перемножитель содержит семь биполярных транзисторов 1-7, два резистора 8, 9, два источника .тока 10, 11, дифференциальный каскад. Поставленная цель достигается введением двух диодов 13 и 14. Диоды

13 и 14 могут быть выполнены в виде диодов Шоттки, образующихся при нанесении металлизации на высокоомную

Il-область коллекторов транзисторов

3, 4. 1 ил.

1483585

Изобретение относится к радиотехнике и связи и может быть использовано в измерительной технике.

Целью изобретения является повы5 шение точности перемножения и быстродействия при расширении динамического диапазона входного сигнала.

На чертеже представлена структурная электрическая схема аналогового перемножителя.

Аналоговый перемножитель содержит первый — седьмой биполярные транзис" торы 1-7, первый и второй резисторы

8 и 9, первый и второй источники 10 и 11 тока, дифференциальный каскад

12, первый диод 13, и второй диод 14.

Аналоговый перемножитель работает следующим образом.

Дифференциальный входной ток Л1в„,20 на первом входе компенсируется за счет действия обратной связи через пятый и первый биполярные транзисторы 5 и 1 и через шестой и второй биполярные транзисторы 6 и 2, разностью 25 токов первого и второго биполярных транзисторов 1 и 2. Синфазный входной ток компенсируется за счет синфазной обратной связи через пятый, шестой и седьмой биполярные транзисторы 5-7 и первый и второй резисторы 8 и 9.

Разность напряжений между базами первого и второго биполярных транзисторов 1 и 2 равна аБ, = ц 1n—

Ii

"л х

Разность выходных токов дифференциального каскада 12 равна

Вых Бк2 (с9gq / т ) э 40 где 1 „„„ — ток на выходе дифференциального каскада 12.

Если дифференциальный входной ток

8I „, превышает l„, то один из биполярных транзисторов (первый биполярный транзистор 1 или второй биполярный транзистор 2) запирается и

его напряжение U 6 снижается до тех пор, пока не отпирается один из диодов (первый диод 13 или второй диод 14). После этого снижение U не

50 происходит, третий и четвертый биполярные транзисторы 3 и 4 работают в активном режиме и не вызывают задержек при изменении полярности входного сигнала. Поскольку не происхо55 дит насыщения третьего и четвертого биполярных транзисторов 3 и 4, не изменяется нх напряжение U ga и не нарушается режим первого источника 10 тока. Первый и второй диоды 13 и 14 могут быть выполнены в виде диодов

Шоттки, образующихся при нанесении металлизации на высокоомную и-область коллектора третьего и четвертого биполярных транзисторов 3 и 4 (при изготовлении в составе ИС). Таким образом, введение первого и второго диодов 13 и 14 позволило повысить точность умножения и быстродействия в расширенном динамическом диапазоне входного сигнала..

Формула изобретения

Аналоговый перемножит ель, содержащий дифференциальный каскад, первый-седьмой биполярные транзисторы, первый и второй резисторы, первый и второй источники тока, причем эмиттеры первого и второго биполярных транзисторов объединены, первый.дифференциальный вход дифференциального каскада соединен с базой первого биполярного транзистора и с коллектором третьего биполярного транзистора, второй дифференциальный вход дифференциального каскада соединен с базой второго биполярного транзистора и с коллектором четвертого биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с эмиттером третьего биполярного транзистора, коллекторы пятого и шестого биполярных транзисторов объединены и соединены с базой седьмого биполярного транзистора, коллектор которого соединен с положительной шиной питания, а эмиттер седьмого биполярного транзистора соединен с первыми выводами первого и второго резисторов, эмиттеры пятого и шестого биполярных транзисторов соединены с коллекторами соответственно третьего и четвертого биполярных транзисторов, базы которых соедине.ны с точкой соединения эмиттеров первого и второго биполярных транзисторов, первый источник тока включен между точкой соединения баз и точкой соединения эмиттеров третьего и четвертого биполярных транзисторов, второй вывод первого резистора соединен с коллектором и базой соответственно первого и пятого биполярных транзисторов, второй вывод второго резистора соединен с коллектором и базой соответственно второго

С о с тавитель Ю. Мак симов

Техред Л.Олийнык . Корректор 3. Лончакова

Редактор Ю. Середа

Заказ 2849/53 Тираж 884 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Щ-35, Раушская наб., д. 4/5

Производствен ю-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

5 1483585

6 и шестого биполярных транзисторов, анод первого диода и катод второго отличающийся тем, что, диода соединены с базой второго бис целью повышения точности перемно- полярноГо транзистора, второй источжения и быстродействия при расшире- ник тока включен межпу положитель5 нии динамического диапазона входного ной шиной питания и базой седьмого сигнала, введены первый и второй ди- биполярного транзистора, точка соедиоды, причем катод первого диода и нения эмиттеров третьего и четвертоанод второго диода соединены с базой го биполярных транзисторов соединепервого биполярного транзистора, а 10 на с отрицательной шиной питания.