Устройство согласования уровней напряжения на кмдп- транзисторах

Устройство согласования уровней напряжения на кмдп- транзисторах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании интегральных схем на КМДП - транзисторах. Устройство содержит инвертор 1,N - канальные транзисторы 4 и 6 и р - канальный транзистор 5. Введение двухполюсного емкостного элемента 7, который может быть выполнен в виде МДП - транзистора, и образование новых функциональных связей служит уменьшению потребляемой мощности устройства. 1 з. п. ф - лы, 1 ил.

„„SU„„1483628

СОЮЗ СОВЕТСКИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

А1 (su 4 Н 03 К 19/092

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3930935/24-21 (22) 11.07.85 (46) 30.05.89. Бюл. И 20 (72) В.И. Золотаревский и Е.Н. Покровский (53) 621.374 (088.8) (56) Патент США Р 4258272, .кл . Н 03 К 18/08, 198 1.

Авторское свидетельство СССР

h» 1112565, кл. Н 03 К 19/09, 1984.

Кармазинский А.Н. Синтез принципиальных схем цифровых элементов на

ИДП-транзисторах. M.: Радио и связь, 1983, с. 137, рис. 3. 18б.

2 (54) УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ УРОВНЕЙ

НАПРЯЖЕНИЯ НА КМДП-ТРАНЗИСТОРАХ (57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании интегральных схем на

КЩП-транзисторах. Устройство содержит инвертор 1, и-канальные транзисторы 4 и 6, и р-канальный транзистор

5. Введение двухполюсного емкостного элемента 7, который может быть выполнен в виде ИДП-транзистора, и образование новых функциональных связей служит уменьшению потребляемой мощности устройства. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

1483628

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при создании интегральных схем на К1ЩПтранзисторах.

Цель изобретения — уменьшение потребляемой мощности.

На чертеже. представлена электрическая принципиальная схема устройства согласования уровней напряжения на

КЩП-транзисторах.

Устройство согласования уровней напряжения содержит выходной инвертор 1, состоящий из п-канального и р-канального транзисторов, включенный между шиной 2 питания и общей шиной 3, первый и-канальный 4 и р-ка-. нальный 5 транзисторы, стоки которых соединены и объединены с входом вы- . ходного инвертора 1„ а истоки подключены соответственно к общей шине 3 и шине 2 питания, второй и-канальный транзистор 6, включенный между затвором р-канального транзистора

5 и выходом выходного инвертора 1, причем затвор второго и-канального транзистора 6 подключен к шине 2 питания, и двухполюсный емкостной элемент 7, включенный между входной шиной 8 и затвором р-канального транзистора 5, при этом затвор первого и-канального транзистора 4 соединен с входной шиной 8, а выход выходного инвертора 1 соединен с выходной шиной 9.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии на цходной о шине 8 устройства находится высокий уровень управляющего напряжения, тогда транзистор 4 открыт, на входе выходного инвертора 1. устанавливается напряжение, близкое к нулю, а на его выходе и, следовательно, на выходной шине 9 — напряжение, близкое к напряжению питания, при этом на затворе транзистора 5 устанавливается напряжение, меньшее напряжения питания на величину порогового напряжения транзистора 6, транзистор 5 закрыт либо очень большое сопротивление (в зависимости от соотношения пороговых напряжений транзисторов 5 и 6), и-канальный транзистор выходного инвертора закрыт и ток от источника питания практически не потребляется.

При переходе входного напряжения от высокого уровня к низкому транзистор 4 закрывается, транзистор 5

1. Устройство согласования уровней напряжения на КМДП-транзисторах, 40 содержащее BblxopHOH инвертор, включенный между шиной питания и общей шиной, выход которого соединен с выходной шиной, первый и-канальный транзистор, затвор которого соединен с входной шиной, исток — с общей шиной, а сток — с входом выходного инвертора, р-канальный транзистор, сток которого соединен со стоком первого и-канального транзистора, а ис50 ток подключен к шине питания, и второй п-канальный транзистор, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в него введен двухполюсный емкостной элемент, включенный между входной шиной и затвором р-канального транзистора, исток второго и-канального транзистора соединен с выходной шиной, сток — с затвором р-канального

30 открывается перепадом напряжения, поступающим на его затвор через емкостной элемент 7, тогда напряжение на входе выходного инвертора 1 стремится к напряжению питания, а на выходной шине 9 — к нулю, через транзистор 6 этот потенциал передается на затвор транзистора 5 и фиксирует последний в открытом состоянии, при этом на выходной шине устанавливается низкий уровень напряжения, транзистор 4 закрыт, р-канальный транзистор выходного инвертора закрыт, ток от источника питания не потребляется.

При переходе напряжения на входной шине 8 от низкого к высокому уровню транзистор 4 открывается, перепад напряжения через емкостной . элемент 7 поступает на затвор транзистора 5, что уменьшает проводимость последнего, на входе выходного инвертора напряжение уменьшается и стремится к нулю, а на выходной шине 9 увеличивается и стремится к напряжению питания, при этом на затворе транзистора 5 устанавливается напряжение, меньшее напряжения питания на величину порогового напряжения транзистора 6, проводимость транзистора 5 уменьшается и ток от источника питания практически не потребляется (аналогично исходному состоянию).

Формула изобретения

1483628 транзистора, а затвор — с шиной питания.

Составитель Н. Дубровская

Техред Л. Сердюкова

Редактор И. Рыбченко

Корректор Н. Король

Заказ 2851/55 Тираж 884 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.ужгород, ул. Гагарина,101

2. Устройство по п. 1 о т л и—

° ф

5 ч а ю щ е е с я тем, что двухполюсный емкостной элемент выполнен в виде МДП-транзистора, сток, исток н подложка которого объединены и соединены с одним полюсом емкостного элемента, а затвор — с другим.