Инвертор

Инвертор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания полупроводниковых статических запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации. Цель изобретения - уменьшение площади инвертора. Поставленная цель достигается тем, что он содержит первую и вторую поликремниевые области 9, 10 первого и второго типа проводимости соответственно. Указанные области 9, 10 образуют нагрузочный диод инвертора, который имеет вольт-амперную характеристику, близкую к генератору тока. В результате на выходе повышается уровень логической "1" и понижается уровень логического "0". 4 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51) 4 Н 03 К 19/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4267957/24-24 (22) 25.06.87 (46) 15.07.89. Бюл. N 26 (72) И.Т. Когут, А.В, Насыпайко, И.А. Романский и Н.Г. Савицкая (53) 68 1.327.6(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

И - 1274000, кл . С 11 С 11/40, 1986.

Полупроводниковые запоминающие устройства и их применение/Под ред. А.И. Гордонова. — М.: Радио и связь, 1981, с. 37, рис. 1.10. (54) ИНВЕРТОР (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использова„„SU„„1494214

2 но для создания полупроводниковых статических запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации. Цель изобретения — уменьшение площади инвертора. Поставленная цель достигается тем, что он содержит первую и вторую поликремниевые области 9,10 первого и второго типа проводимости соответственно. Указанные области

9,10 образуют нагрузочный диод инвертора, который имеет вольт-амперную характеристику, близкую к генератору тока. В результате на выходе повышается уровень логической "1" и пониII lt жается уровень логического 0 . 4 ил.

1494214

45

55

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания полупроводниковых статических запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации.

Цель изобретения — уменьшение площади инвертора.

На фиг. 1 представлена структура инвертора1 на фиг. 2 — характеристика нагрузочного диода типа поликремний-поликремний; на фиг. 3 — выходная характеристика инвертора; на фиг. 4 — электрическая схема элемента памяти на предложенном инверторе.

Инвертор содержит полупроводниковую подложку 1 первого типа проводимости, полупроводниковые области

2 и 3 второго типа проводимости, являющиеся соответственно истоком и стоком МДП-транзистора инвертора, первый диэлектрический слой, первую проводящую область 4, являющуюся затвором транзистора и информационным входом инвертора, вторую 5 и третью 6 проводящие области, являющиеся входом нулевого потенциала и выходом инвертора соответственно, второй диэлектрический слой 7, чет— вертую проводящую область 8, являю— щуюся входом питания инвертора, первую поликремниевую область 9 первого типа проводимости, вторую поликремниевую область 10 второго типа проводимости.

Основное назначение нагрузочных элементов 11 и 12 — обеспечение максимальнс возможной разницы в уровнях

"0" и ")" на выходах элемента памяти (или на затворах транзисторов 13 и

14) в режиме хранения информации, а также эбеспечение совместно с информацио. ными шинами 15 и 16 максимальной скорости заряда емкостей затворов транзисторов 13 и 14 с учетом паразитных емкостей стоковых об" ластей транзисторов в режиме переключения элемента памяти.

Большая скорость заряда — переход элемента в режим хранения "1", что равноценно увеличению быстродействия элемента памяти, происходит за счет уменьшения сопротивления обратно смещенного р — и-перехода по мере уменьшения разницы потенциалов между напряжением питания и напряжением уровня "1" в одном из плеч элемента, а также большим начальным обратным током. Нагрузочная характеристика вертикального поликремниевого диода близка к генератору тока.

Уровень 0 в элементе памяти тем меньше, чем меньше пороговое напряжение транзисторов 13 и 14 и меньше ток утечки через закрытый нагрузочный р-и-переход (что равноценно падению напряжения на открытом транзисторе 13 или 14). В этом случае благодаря нелинейности характеристики обратно смещенного поликремниевого р-п-перехода противоположного типа обеспечивается минимальное прямое падение напряжения на открытом транзисторе 13 нли 14, т.е. больший уровень "1" позволяет выполнять транзисторы 13 и 14 с большими уровнями порогового напряжения, сохранив требования по уровню "0" и следовательно, повысив помехоустойчивость инвертора.

Формула и з о б р е т е н и я

Инвертор, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, первую и вторую полупроводниковые области второго типа проводимости, расположенные н приповерхностном слое полупроводниковой подложки, первый диэлектрический слой, расположенный на поверхности полугроводниковой подложки между первой и второй полупроводниковыми областями, первую проводящую область, расположенную на первом диэлектрическом слое, вторую и третью проводящие области, расположенные на пергой и второй полупроводниковых областях соответственно, второй диэлектрический слой, расположенный на поверхности голупроводниковой подложки и примыкающий к второй полупроводниковой области, четвертую проводящую область, проводящие области с первой по четвертую являются соответственно информационным входом, входом нулевого потенциала, выходом и входом питания инвертора, î -, л и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения площади инвертора, он содержит первую область поликремния первого типа проводимости, расположенную на второй полупроводниковой области с перекрытием края второго диэлектрического слоя, вторую область поликремния второго типа проводимости, расположенную на втором

5 1494214

6 диэлектрическом слое и примыкающую первой области поликремния, а четк первой области поликремния, третья вертая проводящая область располопроводящая область перекрывает край жена на второй области поликремния °

1494214

Фиг.9

Составитель С. Королев

Техред Л. Олейник

Редактор Л.Пчелинская

Корректор Т.Малец

Заказ 4!29/55 Тираж 884 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, W-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101