Композиционный сверхпроводник на основе интерметаллического соединения

Композиционный сверхпроводник на основе интерметаллического соединения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к композиционным сверхпроводникам на основе интерметаллического соединения преимущественно для использования в сверхпроводящих обмотках термоядерного реактора. Цель изобретения - снижение паразитных потерь по переменному току. Композиционный сверхпроводник содержит множество волокон 1, состоящих из сверхпроводящего соединения, получаемого диффузионным взаимодействием с окружающей матрицей 2. Группы волокон отделены диффузонным барьером 3 от стабилизатора 4, который окружен по внешней поверхности слоем 5 металла, выбранного из ниобия, тантала, ванадия, хрома, молибдена или вольфрама. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУВЛИК (51) 4 Н 0.1 В 12/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К flAYEHTY

ВСЕ0093НА

IIRTEIITI1Q - ТЕХ На Ч

БИБЛИОТЕ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

IlPH ГКНТ СССР

1 (21) 4028474/24-07

{22) 29. 10. 86 (31) 241476/85 (32) 30.10.85 (33) JP (46) 30.07.89. Бюл. У 28 (71) Хитачи, Лтд (Л ) (72) Фумио Ида и Наофуми Тада (JP) (53) 621.315.55:538.945 (088.8) (56) Заявка Японии Р 59-191 213, кл. Н 01 В 13/00, 1984. (54) КОРПОЗИЦИОННЦИ СВЕРХПРОВОДНИК

НА ОСНОВЕ ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ (57) Изобретение относится к композиционным сверхпроводникам иа осно,.SU. 498403 A 3

2 ве интерметаллического соединения преимущественно для использования в сверхпроводящих обмотках термоядерного реактора. Цель изобретения— снижение паразитных потерь по пере< менному току. Композиционный сверхпроводник содержит множество волокон

1, состоящих из сверхпроводящего соединения, получаемого диффузионным взаимодействием с окружающей матрицей 2. Группы волокон отделены диффузионным барьером 3 от стабилизатора

4, который окружен по внешней поверхности слоем 5 металла, выбранного из ниобия, тантала, ванадия, хрома, молибдена или вольфрама. 1 з.п. ф-лы, 2 ил, )498403

Изобретение относится к композицивнным сверхпроводникам на основе интерметаллического соединения для использования в сверхпроводящих обмот5 ках с сильным магнитным полем, преимущественно в сверхпроводящих обмотках термоядерного реактора.

Цель изобретения — снижение паразитных потерь по переменному току.

На фиг.1 и 2 изображены схемы предлагаемого композиционного сверхпроводника, поперечное сечение.

На фиг.1 изображено поперечное сечение кабельной жилы, содержащей 15 множество волокон 1, состоящих из сверхпроводящего соединения, получаемого диффузионным взаимодействием с окружающей матрицей 2. Группы волокон отделены диффузионным барье- 20 ром 3 от стабилизатора 4, которые окружен по внешней поверхности слоем металла 5, неспособного к диффузии в стабилизатор 4 во время термообработки сверхпроводника и выбранно- 25 го из ниобия, тантала, ванадия,хрома, молибдена или вольфрама, Такая структура строения композиционного сверхпрово,."ника допускает проведение высокотемпературной термо- 30 обработки для осуществления реакции диффузии и позволяет обеспечить эф фективную изоляцию, В целом это поз" воляет уменьшить паразитный ток, индуцируемый между кабельными жилами, 35 и соответственно уменьши гь паразит, ные потери по переменному току.

На фиг.2 изображено поперечное сечение кабельной жилы, содержащей, все 40 элементы, как и на фиг.1, но дополнительно содержащей слой вторичного стабилизатора, 6, состоящего из меди или алюминия, Эти материалы легко поддаются об- 45 работке при волочении, которое является технологической операцией при изготовлении сверхпроводника.

На поверхности вторичного стабилизатора 6 химической обработкой, заключающейся в окислении или сульфинировании, образован электроизоляционный слой 7. Он представляет из себя оксиды СаО, А1 0 или, например, сульфид Си8. 55

Изобретение позволяет резко снизить параэитные потери по переменному току, образуя стабилизированный композиционный сверхпроводник, пригодный для сильных магнитных полей (более 10 Тл) и сильных токов (более

10 кА).

Это определяет практическую возможность изготовления из такого сверхпроводника крупных сверхпроводящих обмоток, обладающих высокой стабильностью по току сверхпроводи-, мости даже при больших флуктуациях магнитного поля.

Следовательно, применение такого сверхпроводника позволяет значительным образом снизить расход дорогостоящего жидкого гелия, что дает заметный экономический эффект. с

Формула иэ обретения

). Композиционный сверхпроводник на основе интерметаллического соедио нения в виде кабельной жилы, содержащей множество волокон, состоящих из сверхпроводящего соединения, получаемого диффузионным взаимодействием с окружающей матрицей, стабилизатора, окружающего матрицу, и диффузионного барьера, расположенного между стабилизатором и матрицей для предупреждения диффузии в стабилизатор из матрицы компонента, образующего сверхпроводящее соединение в про-цессе диффузионного взаимодействия, отличающийся тем, что, с целью снижения паразитных потерь по переменному току, на внешней поверхности кабельной жилы расположен слой металла, не способного к диффузии в стабилизатор во время термообработки сверхпроводника, — ниобия, тантала, ванадия, хрома, молибдена или вольфрама.

2. Сверхпроводник по и.1, о т л ич а ю шийся тем, что поверх металлического слоя îí дополнительно содержит слой вторичного стабилизатора, состоящего из меди или алюминия, наружная поверхность которого путем химической обработки покрыта электроизоляционным слоем оксида или сульфида материала вторичного стабилизатора.

1498403

2

Составитель В. Панцырный

Техред Л. Олийнык Корректор М. Иароши

Редактор Y. Келемеш

Заказ 4464/59 Тираж 695 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР„.

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãîðîä, ул. Гагарина, 101