Фильтр на поверхностных магнитостатических волнах

Фильтр на поверхностных магнитостатических волнах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике СВЧ. ЦЕЛЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ - СУЖЕНИЕ ПОЛОСЫ ПРОПУСКАНИЯ, ОБЕСПЕЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ ЕЕ ПЕРЕСТРОЙКИ И УПРОЩЕНИЕ КОНСТРУКЦИИ ФИЛЬТРА. ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ЦЕЛИ УСТРОЙСТВО ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЛОКАЛЬНОГО НЕОДНОРОДНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ ВЫПОЛНЕНО В ВИДЕ СТЕРЖНЯ 4 ИЗ МАГНИТОМЯГКОГО ИЛИ ПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА, СОЕДИНЕННОГО С РЕГУЛИРУЕМЫМ ИСТОЧНИКОМ ТОКА, УСТАНОВЛЕННЫМ ПАРАЛЛЕЛЬНО ПЛОСКОСТИ МАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ 1 И ПЕРПЕНДИКУЛЯРНО НАПРАВЛЕНИЮ МАГНИТНОГО ПОЛЯ МЕЖДУ ВХОДНЫМ И ВЫХОДНЫМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯМИ (П) 2 И 3 С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ПОСТУПАТЕЛЬНОГО ПЕРЕМЕЩЕНИЯ. РАСПОЛОЖЕНИЕ ВЫХОДНОГО П3 НА ПУТИ ПОВЕРХНОСТНОЙ МАГНИТОСТАТИЧЕСКОЙ ВОЛНЫ, ЧАСТОТА КОТОРОЙ ЛЕЖИТ МЕЖДУ ОБЛАСТЯМИ ВЫСОКИХ И НИЗКИХ ЧАСТОТ, ОБЕСПЕЧИВАЕТ СЕЛЕКТИВНОСТЬ ФИЛЬТРА. ИЗМЕНЕНИЕ РАССТОЯНИЯ МЕЖДУ СТЕРЖНЕМ 4 И ПОВЕРХНОСТЬЮ ПЛЕНКИ 1 ПОЗВОЛЯЕТ ИЗМЕНЯТЬ ГЛУБИНУ ОБЛАСТИ С ЛОКАЛЬНЫМ НЕОДНОРОДНЫМ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ И ТЕМ САМЫМ ПЕРЕСТРАИВАТЬ ПОЛОСУ ПРОПУСКАНИЯ ФИЛЬТРА. 2 ИЛ.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ.

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 Н 01 P 1/218

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР! (21) 4298014/24-09 (22) 21.08.87 (46) 15.08.89. Бюп. 9 30 (71) Институт радиотехники и электроники АН СССР (72) А.В.Вашковский, Э.Г.Локк и В.И.Щеглов (53) 621.372.8 (088 8) (56) Радиотехника и,электроника, т.ХХХ, 1985, У 8, с.1513.

Патент США У 4152676, кл. 333/24.1, кл. Н 01 P 1/34, опубл. 1.05.79. (54) ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ (ПМСВ) (57) Изобретение относится к технике

СВЧ. Цель изобретения — сужение полосы пропускания, обеспечение возможности ее перестройки и упрощение конструкции фильтра. Для достижения

„„SU„„1501198 А1

2 цели устройство для создания локального неоднородного магнитного поля выполнено в виде стержня 4 из .магнитомягкого или проводящего материала, соединенного с регулируемым источником тока, установленного параллельно плоскости магнитной пленки 1 и перпендикулярно направлению магнитного поля между входным и выходным преобразователями (П) 2 и 3 с возможностью поступательного перемещения. Расположение выходного П 3 на пути поверхностной магнитостатической волны, частота которой лежит между областями высоких и низких частот, обеспечивает селективпость фильтра. Изменение расстояния между стержнем 4 и поверхностью пленки позволяет изменять глубину области с локальным неоднородным магнитным полем и тем самым перестраивать полосу пропускания фильтра1 2 ил.

3 150119

Изобретение относится к технике

СВЧ и может использоваться для полосно-пропускающей фильтрации сигнала СВЧ.

Целью изобретения является сужение полосы пропускания, обеспечение воэможности ее перестройки и упрощение конструкции фильтра на ПМСВ.

На фиг.1 изображена конструкция предлагаемого фильтра на ПМСВ; на фиг.2 — то же, вид сверху.

Фильтр на ПМСВ содержит магнитную пленку 1 иэ железо-иттриевого гранита, входной и выходной преобразователи 2 и 3, выполненные в виде прямых отрезков микрополосковых линий, установленные один напротив другого на поверхности магнитной пленки I, стержень 4 иэ магнитомягкого или про- 20 водящего материала, установленный параллельно плоскости магнитной пленки 1 и перпендикулярно направлению магнитного поля между входным и выходным преобразователями 2 и 3 с воз- 2 можностью поступательного перемещения в плоскости, перпендикулярной плоскости магнитной пленки i причем его проекция на плоскость магнитной пленки 1 проходит через середину 30 выходного преобразователя 3, а входной преобразователь 2 расположен по одну сторону от этой проекции под углом а к выходному преобразователю

3, при этом длина С и ширина d преоб- 3 разователей 2 и 3, расстояние L между центром входного преобразователя

2 и проекцией стержня 4 на плоскость пленки 1 и длина 1 стержня 4 удовлетворяют соотношениям 40

С=(0,02-0,2) а; L=(0,02-0,2) а;

L С; 1 ) 2a; d=(10-20) Р, 45 где а — расстояние между проекциями центров преобразователей 2 и 3 на ось стержня 4;

P — толщина магнитной пленки.

Фильтр на ПМСВ работает следующим образом.

Электромагнитный сигнал, поступающий на входной преобразователь 2, преобразуется в ПМСВ, которая, распространяясь по магнитной пленке I, достигает выходного преобразователя

3 и преобразуется им в выходной электромагнитный сигнал. Расположение входного преобразователя 2 под углом

8 4

d к направлению магнитного поля приводит к распространению ПМСВ под острым углом к направлению продольной оси фильтра. Стержень 4 создает на пути распространения ПМСВ область с локальным неоднородным магнитным полем, в результате чего траектория

ПМСВ искривляется. Степень искривления зависит от частоты: траектории

ПМСВ более низких частот искривляются сильнее. Расположение выходного преобразователя 3 на пути ПМСВ, частота которых лежит между областями высоких и низких частот, обеспечивает селективность фильтра на ПМСВ.

Изменение расстояния между стержнем 4 и поверхностью магнитной пленки 1 позволяет изменять глубину области с локальным неоднородным магнитным полем и тем самым перестраивать полосу пропускания фильтра на

ПМСВ. Увеличение расстояния а между проекциями центров входного 2 и выходного 3 преобразователей позволяет дополнительно повысить селективность фильтра на ПМСВ.

Открытый доступ.к ПМСВ на всем пути ее следования позволяет расширить функциональные возможности фильтра, например реализовать многоканальный фильтр на ПМСВ или многоотводную линию задержки.

Формула и з обретения

Фильтр на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ), содержащий магнитную пленку из железо-иттриевого граната, помещенную в однородное постоянное магнитное поле, входной и выходной преобразователи, выполненные в виде прямых отрезков. микрополосковых линий, установленные один напротив другого на.поверхности магнитной пленки, а также устройство для создания локального неоднородного магнитного поля, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью сужения полосы пропускания и обеспечения возможности ее перестройки и упрощения конструкции, однородное постоянное магнитное поле ориентировано в плоскости магнитной пленки параллельно выходному преобразователю, устройство для создания локального неоднородного магнитного поля выполнено в виде стержня из магнитомягкого. или проводящего материала, 150

L> С; 1 ) 2а с1=(10-20)P, где а — расстояние между проекциями центров входного и выходного преобразователей на ось стержня;

P — толщина магнитной пленки.

Составитель Ю.Кирсанов

Техред М.Дидык Корректор Т. Колб

Редактор Т.Парфенова

Заказ 4883/52 Тираж 615 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Óæãoðoä, ул. Гагарина, 101 соединенного с регулируемым источником тока, который установлен параллельно плоскости магнитной пленки и перпендикулярно направлению однородного постоянного магнитного поля между входным и выходным преобразователями с возможностью поступательного перемещения в плоскости, перпендикулярной плоскости магнитной пленки, при этом проекция стержня на плоскость магнитной пленки проходит через середину выходного преобразователя, а входной преобразователь расположен по одну сторону от нее под углом d ==20-40 к выходному преобразователю, а длина С входного

1198 6 и выходного преобразователей, ширина

d входного или выходного преобразователей, расстояние Ь между центром входного преобразователя и проекцией

5 стержня на плоскость магнитной пленки и его длина 1 удовлетворяют соотношениям

С=(0,02-0,2)а; L=(0,02-0,2)а;