Устройство для измерения напряженности магнитного поля тонкопленочной магнитной головки

Устройство для измерения напряженности магнитного поля тонкопленочной магнитной головки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электромагнитной технике и может быть использовано для измерения слабых магнитных полей , в частности, магнитных полей тонкопленочных магнитных головок. Цель изобретения - упрощение процесса измерения за счет упрощения конструкции датчика. Устройство содержит магниточувствительный элемент 1, выполненный в виде набора ферромагнитных пленок различной коэрцитивной силы, индикаторное устройство 2, блок 3 обработки данных. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

А1 (51)4 С 01 К 33 04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ а

О»

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ОРИ П НТ ССа (21) 4298429/24-21 (22) 27. 08. 87 (46) 30.08.89. Бюл. У 32 (71) Харьковский политехнический институт им. В.И.Ленина (72) Б.А.Авраменко, Г.В.Бродовой, JI.È .ËóêàøåHêo, Л.С.Палатник и А.Г.Равлик (53) 621.317.44(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

1128206, кл. С 01 R 33/05.

:(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯ,KEHH0CTH МАГНИТНОГО ПОЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧ" НОЙ МАГНИТНОЙ ГОЛОВКИ

Лд, Se4 З6

2 ,(57) Изобретение относится к электромагнитной технике и может быть использована для измерения слабых магнитных полей, в частности магнитных полей тонкоплечочных магнитньи головок. Цель изобретения — упрощение процесса измерения за счет упрощения конструкции датчика. Устройство содержит магниточувствительный элемент 1, выполненный в ниде набора ферромагнитных пленок с paçëè÷íîé коэрцитивной силой, индикаторное устройство 2, блок 3 обработки данных. ил.

Нс +На

Н = — — — -- ——

Блок обработки данных выдает результаты измерения напряженности поля Н и погрешности измерений о .

Формула изобр етения

3 150463

Изобретение относится к технике магнитной записи информации, а именно к тонкопленочным магнитным головкам (ТМГ}, величину напряженности поля рассеяния которых необходимо измерять для проверки качества изготовления или режима работы ТМГ, а также для оптимизации различных параметров йри разработке ТМГ. Кроме того, изоб- Я ретение относится к магнитной метрологии.

Целью изобретени я является упрощение процесса измерения.

Цель достигается тем, что в уст- 15 ройстве для измерения поля, содержа" щем магниточувствительный элемент в виде тонкой ферромагнитной пленки, индикатор магнитного состояния пленки и блок обработки данных измерения, магниточувствительный элемент выполнен в виде набора магнитотвердых пленок, например пленок Co-Cr обладающих прямоугольной петлей гистерезиса и различными коэрцитивными силами.

На чертеже изображена блок-схема устройства для измерения напряженности поля TNI .

Устройство содержит магниточувствительный элемент 1, индикаторное уст-3О ройство 2 и блок 3 обрaáoòêè данных.

Магниточувствительный элемент 1 представляет собой набор тонких ферромагнитных пленок, осажденных на немагнитную подложку, например пленок Со-Cr, обладающих прямоугольной петлей гистерезиса и различными коэрцитивными силами Н

Измерение напряженности поля вблизи зазора ТМГ производят следуюшим 40 образом.

Пленки 1 располагают в порядке . возрастания Н и предварительно нас магничивают постоянным полем. Затем пленки поочередно прижимают к зазору 45

TNI так, чтобы направление предвари-.åëüíîãî намагничивания быпо перпендикулярно зазору. Через проводник

ТМГ подают импульс тока заданной амплитуды и полярности (ток записи) с целью получения отпечатков на пленке.

Наличие или отсутствие отпечатков

6 4 фиксируют при помощи индикаторного устройства 2. Таким устройством может служить микроскоп. В этом случае

HB IfoBppxHocTb пленки предварительно наносят магнитную суспензию (коллоидный раствор Fe О в керосине или воде). В другом варианте в качестве индикаторного устройства используют считывающую магнитную головку или магнитооптический датчик.

CHFBRJI с индикаторного устройства поступает в блок 3 обработки данных.

Блок 3 фиксирует значения Н (1) и

Н (2), соответствующие Н двух рядом расположенных по Н пленок, на одной из которых имеются отпечатки, а на второй отпечатки отсутствуют.

Напряженность поля Н вблизи зазора

ТМГ определяется как среднее арифметическое величин Н и Н с с

Относительная погрешность g измерения Н соответствует

Нс -Нс

2Н

Устройство для измерения напряженности магнитного поля тонкопленочной магнитной головки, содержащее магниточувствительный элемент в виде тонкой ферромагнитной пленки, индикатор магнитного состояния пленки и блок

1обработки данных измерения, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности измерения, магниточувствительный элемент выполнен в виде набора магнитотвердых пленок с прямоугольной петлей гистерезиса, расположенных на немагнитной подложке в порядке возрастания величины коэрцитивной силы.