Модулятор электромагнитного излучения

Модулятор электромагнитного излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 21а4 № 15054 1

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа ЛВ 89

Г. И. Рукман и В. Б. Брагинский

МОДУЛЯТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Заявлено 8 декабря 1961 r. за № 754999/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» ¹ 19 за 1962 г.

Известные модуляторы электромагнитного излучения, содержащие полупроводниковый нелинейный элемент, на который воздействуют модулирующие сигналы, не дают возможности получить достаточную глубину модуляции. Кроме того, в подобных модуляторах затруднено согласование источника модулирующего сигнала с нагрузкой.

В описываемом модуляторе существенное увеличение глубины модуляции достигнуто размещением полупроводникового модулируюшего слоя на уровне внутренней поверхности волновода, по которому проходит модулирующий СВЧ сигнал.

На чертеже схематически изображен предлагаемый модулятор.

Модулируюшая пластина 1 выполнена из слоя полупроводника, например германия типа р. Пластина размещена на металлической подкладке 2, расположенной на уровне внутренней поверхности верхней широкой стенки 8 волновода 4, по которому распространяются модулирующие СВЧ колебания. Модулирующий световой поток 5 от источника излучения, не показанного на чертеже, падает на полупрозрачное зеркало б, отражается от него, проходит через отверстие 7 в нижней широкой стенке 8 волновода 4, являющейся зеркалом для модулируемого излучения, и падает на модулирующую пластину 1.

Металлическая подкладка 2 и участок нижней широкой стенки 8 волновода 4, расположенный против подкладки 2, являются зеркалами для модулируемого излучения и образуют резонатор. Расстояние между подкладкой 2 и стенкой 8 выбирается из условий резонанса на частоте светового потока 5 (модулируемого излучения).

Число полуволн модулируемого излучения, укладывающихся между подкладкой 2 и стенкой 8, зависит от глубины проникновения света в слой полупроводниковой модулируюшей пластины 1, т. е. от коэффициента поглощения модулируемого излучения в полупроводниковом слое и от положения внутри этого слоя области с высокой концентрацией носителей. № 150541

Под влиянием электрической составляющей поля модулирующих

СВЧ колебаний, распространяющихся по волноводу 4, происходит периодическое изменение положения области с высокой конц нтрацией носителей в полупроводниковом слое, что приводит к изменению эффективного расстояния между прокладкой 2 и стенкой 8, г. е. к периодической расстройке резонатора. В результате изменения настройки резонатора изменяется интенсивность светового потока, выходящего из отверстия 7., Описанное устройство может найти применение при разрабогке модулируемых квантовых генераторов когерентных колебаний (лазеров).

Предмет изобретения

Модулятор электромагнитного излучения на полупроводниковом нелинейном элементе, отличающийся тем, что, с целью улучшения прохождения модулирующих колебаний и повышения глубины модуляции, он выполнен в виде модулирующей пластины из слоя полупроводника, например германия, на металлической подкладке, размещенной на уровне внутренней поверхности волновода с модулирующим

СВЧ сигналом против входного отверстия в зеркале для модулируемого излучения, расстояние до которого выбрано из условия резонанса на частоте модулируемого излучения.

Составитель Г. Г. Фридолин

Редактор 3. А. Москвина Техред А. А. Камышникова Корректор С. Ю. Цверина

Подп. к печ, 6.IX-62 г. Формат бум. 70Х108 /„ Объем 0,18 изд. л.

Зак. 9362 Тираж 750 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Центр, М Черкасский пер., д. 2/6.

Типография ЦБТИ, Москва Петровка, 14.