Способ пайки полупроводникового кристалла
Патент 1505699
Авторы
Классы МПК
Способ пайки полупроводникового кристалла
Иллюстрации
Реферат
Изобретение относится к пайке, а именно к технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем, и может быть использовано при изготовлении мощных полупроводниковых микросборок. Цель изобретения - повышение качества пайки. В процессе пайки производят активацию паяемой поверхности магнитным полем, ориентированным перпендикулярно паяемой поверхности. Верхняя граница температурного режима пайки определяется точкой Кюри составных компонентов спаиваемых материалов, а нижняя - температурой плавления применяемого припоя. Способ позволяет повысить качество пайки и тем самым снизить технологические потери при сборке мощных полупроводниковых микросборок. 1 табл.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
ÄÄSUÄÄ 1505699
<511 4 ?? 23 ?? 1>
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
llQ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР (21) 4138398/25-27 (22) 15.09.86 (46) 07.09.89. Бюл. № ЗЗ (72) В. Ф. Буряченко и В. Г. Журавский (53) 621.791.3 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 479331, кл. В 23 К !/12, 14.08.72. (54) СПОСОБ ПАИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА (57) Изобретение относится к пайке, а именно к технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем, и может быть использовано при изготовлении
Изобретение относится к пайке, а именно к технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем, и может быть использовано при изготовлении мощных полупроводниковых микросборок.
Цель изобретения — повышение качества пайки.
Сущность способа заключается в создании и использовании как активирующего фактора потенциала на спаиваемой поверхности полупроводника, образующегося за счет эффекта Холла, а также в осуществлении равномерного сжатия спаиваемых поверхностей за счет намагничивания слоев из ферромагнитных материалов, наносимых обычно на спасаемые поверхности кристалла и основания при подготовке их к пайке. Поэтому верхняя граница температурного режима пайки определяется точкой Кюри составных компонентов спаиваемых материалов, а нижняя температурой плавления применяемого припоя.
2 мощных полупроводниковых микросборок.
Цель изобретения — повышение качества пайки. В процессе пайки производят активацию паяемой поверхности магнитным полем, ориентированным перпендикулярно паяемой поверхности. Верхняя граница температурного режима пайки определяется точкой Кюри составных компонентов спаиваемых материалов, а нижняя температурой плавления применяемого припоя. Способ позволяет повысить качество пайки и, тем самым, снизить технологические потери при сборке мощных полу проводниковых микросборок. табл.
Пример. Полупроводниковый кристалл, например кристалл транзистора КТ826А, покрытый при подготовке его к пайке слоем никеля, толщиной о 8 мкм и слоем золота 3 — 4 мкм, устанавливают через слой припоя на контактную площадку металлического основания из молибдена, покрытую предварительно слоями никеля и золота, и фиксируют эту сборку в кассете.
Затем кассету со сборкой помещают в устройство для пайки, снабженное электромагнитами так, что силовые линии проходят перпендикулярно поверхности кристалла.
Детали нагревают до температуры плавления припоя, выдерживают в течение времени, достаточного для образования паяного соединения, и охлаждают.
Магнитное поле может быть как IlocTQHHным, так и переменным. Пайку проводят в течение 2 — 3 мин в магнитном поле напряженностью 1500 Э н в температур1505699
3 ном интервале 356 — 358 С при условии использования припоя на основе эвтекти11еского сплава золото-германий (12Я германия и 88о золота) . Предлагаемым способом были спаяны 20 образцов. Для
4 сравнения спаяли также 20 образцов при активации магнитным полем, ориентированным параллельно паяемой поверхности.
Результаты испытаний сведены в таблицу, Толщина общего для Мсб термокомпенсатора из Мо мм
Мс6
Тепловое сопротивлеОпыт ние переход-корпус, ос/В, Магнитное поле I
Магнитное голе II паяемой поверхности паяемой поверхности
Как видно из таблицы, тепловое сопротивление переход-корпус, паяных в магнитном поле, ориентированном перпендику.!1ярно паяемым поверхностям в 1,1 раз
111еньше, чем тепловое сопротивление nelbexon-корпус, паяных в магнитном поле йараллельно паяемой поверхности.
Использование предлагаемого способа нозволяет повысить качество пайки и снизить, тем самым, технологические потери ври сборке мощных полупроводниковых
1иикросборок, а также увеличить их надежность при работе в составе РЭА.
Формула изобретения
Способ пайки полупроводникового крис талла, включающий сборку, нанесение при45 поя, активацию паяемой поверхности воздействием магнитного поля и пайку в температурном интервале, ограниченном значением температур точки Кюри материалов паяемых деталей, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пайки, активацию проводят магнитным полем, ориентированным перпендикулярно паяемой поверхности.
Соста витель Л. Лбросимова
Редактор О. Головач Техред И. Верес Корректор М. Самборская
Ва каз 5360/13 Тираж 894 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР ! 13035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 1()1
2
4
6
8
11
12
13
14
16
17 i8
l9
33
93
96
127
197
83
103
147
213
38
19
108
111
122
129
194
217
3,04
3,16
3,18
3,15
3,13
3,24
3,21
3,22
3,22
3,23
3,29
3,29
3,39
3,32
3,36
3,36
3,32
3,33
3,32
3,36
3,56
3,32
3,8"
3,32
3,62
3,45
3,29
3,43
3,43
4,30
3,62
3,46
3,56
3,56
4,41
3,53
3,82
3,66
3,65
3,56
0,6
0,65
0,65
0 65
0,63
0,70
0,69
0,70
0,70
0,70
0,72
0,71
0,75
0,75
0,75
0,75
0,75
0,75
0,75
0,75