Способ изготовления полевых транзисторов с затвором шоттки

Способ изготовления полевых транзисторов с затвором шоттки

Реферат

 

1. Способ изготовления полевых транзисторов с затвором Шоттки, включающий формирование на полупроводниковой подложке омических контактов истока и стока, нанесение металлизации, формирование на поверхности подложки в области затвора металлического электрода травлением металлизации через маску, последовательное нанесение первой и второй диэлектрических пленок, формирование фоторезистивной маски с окном над поверхностью металлического электрода, изотропное травление через окно в фоторезистивной маске второй диэлектрической пленки до вскрытия поверхности первой диэлектрической пленки, травление первой диэлектрической пленки до вскрытия поверхности металлического электрода, удаление металлического электрода путем селективного травления, напыление на поверхность подложки металлизации затвора, формирование затвора с грибообразной или Т-образной формой поперечного сечения, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет улучшения воспроизводимости размеров субмикронных затворов, металлический электрод формируют с треугольной формой поперечного сечения путем изотропного подтравливания металлизации под маску, между первой и второй диэлектрическими пленками наносят металлическую пленку, которую травят в том же травителе, что и вторую диэлектрическую пленку, при этом окно в фоторезистивной маске формируют размером не более размера основания металлического электрода, а травление первой диэлектрической пленки проводят путем анизотропного плазмохимического травления.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала металлизации электрода используют алюминий или его сплав.