Патент ссср 151299

Патент ссср 151299

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСА и WE

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

151299

Зависимое or авт. свидетельства №

Заявлено 14 ° IX I96I (3 744783/23-4) Кл, 12С 2 с присоединением заявки №

Комитет по д изобретений и от при Совете Мии

СССР " Ь "ЕО; Ц;л

Лвтор изобретения

Т.Г.Петров

Заявитель

СПОС ОБ ЕИРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТйШОВ

ИДАННОГО IIPGQKIH ИЗ РАСТВОРОВ

Известен способ выращивания монокристаллов, растущих в одном направлении, с заданным профилем из растворов с постоянной подпиткой одной грани кристалла без перемешивания. Однако этот способ цикличен и длителен.

Предлагаемый способ отличается тем, что раствор непрерывно прокачивают вдоль одной грани кристалла и по мере роста кристалла от него отрезают блоки нужной величины. Это позволяет ускорить и сделать процесс выращивания монокристалла непрерывным.

При осуществлении способа выращивания монокристаллов форма их определяется формой кристаллизационной камеры, конструкция которой позволяет выращивать кристалл в одном направлении (рост боковых частей кристалла ограничен стенками камеры).

Выращивание ведут из пересыщенного,непрерывно циркулирующего вдоль одной грани кристалла раствора.

По Мере роста кристалл вытягивается из камеры и от него отрезают блоки нужной величины без прекращения процесса выращивания.

ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТИ1ИЯ

Способ выращивания монокристаллов заданного профиля

as растворов, растущих в одном направлении,с дальнейпим отрезанием от кристаллов биоков нужной величины, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью ускорение процесса выращивания монокристалла, раствор непрерывно прокачивают в направлении,: перпендикулярном оси роста кристалле.

Тираж PDO3CQ

Подписное

Заказ g>gg

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий. при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова д. 4

Предприятие „Патент", Москва Г-59, Бережковская наб., 24

Регулировку скорости вытягивания кристалла осуцествляют при помощи фотоэлектрической, следящей схемы.