Структура для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Структура для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к области функциональной электроники и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности продвижения ЦМД вдоль канала. Устройство содержит немагнитную подложку 9, на которой расположен слой-носитель 2 ЦМД и слой 3 с магнитной анизотропией типа "легкая плоскость", в котором сформированы каналы 4 продвижения ЦМД в виде смежных дисков и канавки 5. Заряженные границы 6 расположены на краях дисков 4. ЦМД 7 расположен на краю диска 4 - участка 8 с повышенной одноосной анизотропией. H<SB POS="POST">ху</SB> - вектор 1 напряженности поля управления. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 4 G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ И3ОБРЕ НИЯ

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕИКЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЙМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4351538/24-24 (22) 13.11.87 (46) 07.10.89. Бюл. Р 37 (72) А.В. Гаевский, И.А. Красин, С.П. Нецепляев, Г.Н. Орлов, Г. Е. Хавич, P.Ì.Êñèðîâ и И.Е.Малаховский (53) 681.327.66(088.8) (56) Зшепфельдер А. Физика и техника цилиндрических магнитных доменов.

M.: Мир, 1983, с. 426.

Авторское свидетельство СССР

И2 1414184, кл. С 11 С t1/14, 1986. (54) СТРУКТУРА ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ (57) Изобретение относится к области функциональной электроники и может быть использовано в устройства памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД). Целью изобретения является повышение надежности продвижения ЦИД вдоль канала, Устройство содержит немагнитную подложку 9, на которой расположен слой-носитель 2 ЦИД и слой 3 с магнитной анизотропией типа "легкая плоскость", в котором сформированы каналы 4 продвижения ЦМД в виде смежных дисков и канавки 5. Заряженные границы 6 расположены на краях дисков

4. ЦМД 7 расположен на краю диска 4 участка 8 с повышенной одноосной анизотропией Н вЂ” вектор 1 напряженх ности поля управления. I ил.

1513517

50 (1) Е = 27 rh++Eд+2ТЬг M H„

А радиус ЦИД1 высота ЦМД; плотность энергии доменной границы намагниченностью насыщения, поле одноосной анизотропии в слое-носителе ЦМД, гце r

h в.

М з

Н

Изобретение относится к функциональной микроэлектронике и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение надежности продвижения ЦМД вдоль канала.

На чертеже представлена предлагае 0 мая структура.

Структура содержит вектор 1 напряженности поля управления Н „, лежащий в плоскости слоя-носителя 2 ЦМД и слоя

3 с магнитной анизотропией типа "лег- 5 кая плоскость", в котором сформированы каналы А продвижения ЦМД в виде смежных дисков, канавки 5, заряженные границы (стенки) 6, находящиеся на краях дисков, 1@Щ 7, участок 8 с по- 30 вышенной одноосной анизотропией и немагнитную подложку 9.

Структура работает следующим образом.

Поле управления Н„„-1 вращается в 25 плоскости слоев, вызывая передвижение заряженных стенок 6 вдоль периметра смежных дисков в каналах 4 продвижения, ПМД 7, притягиваясь к заряженной стенке 6, следует за ней до места со- 30 пряжения смежных дисков, где притягивается заряженной стенкой следующего диска, которая появляется на краю диска после поворота поля управления о

H -1 на 180 . В "å÷åíèå этого поворота ЦМД 7 находится в месте сопряжения дисков. ЦМД 7 не переходит на др уг ую ст ор ону канала ч пр одвижения, так как одноосная анизотропия участка

8 под диском увеличена, что создает 10 для ЦМД 7 энергетический барьер. ЦМД

7 не покидает диск, перемещаясь в слое-носителе Ц1Щ в сторону вытравлен ной канавки 5, так как притягивается смежным диском, который замыкает поле рассеяния ЦМД.

Изложенное можно пояснить следующим образом. Энергия ЦМД вЂ” Е определяется формулой

Š— энергия, связанная с полем рассеяния ЦМД, Из формулы (1) видно, что Е увеличиваетсв с ростом На и о,„ "ГА Иа .

Т.е. при увеличении одноосной анизотропии НА в слое-носителе ЦМД под смежным диском энергия ЦМД будет возрастать, а при нахождении ЦМД на краю смежного диска будет уменьшаться, так как за пределами диска HA меньше. Таким образом, при повышении одноосной анизотропии под смежным диском ПМД будет стремиться покинуть центр диска и сместиться к его краю. При выходе ЦМД из-под диска резко возрастает энергия ЦМД, так как увеличивается ноле рассеяния и связанная с ним энергия Е„ в формуле (1). Исходя из изложенного, ясно, что на краю смежного диска в слое-носителе ЦМД имеется потенциальная яма", ЦМД будет "привязан" к краю диска и в процессе движения вдоль канала не будет уходить под смежные диски. Таким образом, увеличивается надежность продвижения ЦМД вдоль канала °

Пример . Структура продвижения

ЦМД в микросхеме может быть изготовлена следующим образом.

На подложку ГГГ ориентации (111j наращивают слой-носитель ЦМД и слой с магнитной анизотропией типа "легкая плоскость" методом жидкофазной эпитаксии феррит-гранатов.

Вариациями состава и замещениями ионов в решетке феррита-граната слоя-носителя ЦМД и слоя с плоскостной анизотропией добиваются требуемых характеристик. Например, слойноситель ЦМД имеет отрицательную константу магнитострикции, тогда слой, в котором формируются структуры продвижения, должен иметь параметр решетки больше, чем у материала-носителя ЦМД, тогда слой с плоскостной анизотропией будет сжат, а слой с ЦМД растянут и в нем возрастет одноосная анизотропия. В месте свободном от слоя со смежными дисками анизотропия слоя с ЦМД будет меньше, так как эти участки не деформированы.

Смежные диски формируются в слое с плоскостной анизотропией методами фотолитографии и ионнî-11JIазменного распыления.

Составитель А. Ануфриев

Редактор Г.Гербер Техред Л.Олийнык Корректор O.Бипле

Заказ 6088/52 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

Формула изобретения

Структура для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащая немагнитную подложку, на которой размещены слой-носитель цилиндрических магнитных доменов и лежащий Hà его поверхности магнитный слой с магнитной анизотропией типа "легкая плоскость", в котором сформированы каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов

17 6 в виде последовательности смежных дис ков, окруженные вытравленными канавками, отличающаяся тем, что, с целью повьппения надежности продвижения цилиндрических магнитных доменов вдоль канала, под поверхнос" тью смежных дисков слой-носитель цилиндрических магнитных доменов выполнен с увеличенной одноосной анизотропией.