Аттенюатор

Аттенюатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться в приемопередающей аппаратуре. Цель изобретения - увеличение величины максимального затухания. Аттенюатор содержит диэлектрический волновод 1, на одной стороне которого сформирован полупроводниковый слой 2 с управляемой концентрацией свободных носителей заряда, и элемент управления, в качестве которого может быть использован источник 4 света. Для достижения цели введена диэлектрическая пластина 3, установленная параллельно продольной оси волновода 1. Коэффициент замедления V<SB POS="POST">N</SB> пластины 3 выбирается из условия V<SB POS="POST">мин</SB>*98V<SB POS="POST">N</SB>*98V<SB POS="POST">макс</SB>,где V<SB POS="POST">мин</SB>, V<SB POS="POST">макс</SB> -коэффициенты замедления волновода 1 соотв. мин. и максим. концентрациям носителей в слое 2. В качестве слоя 2 может быть использован кремний, который становится подобен металлу при концентрации свободных носителей зарядов 10<SP POS="POST">16</SP>-10<SP POS="POST">17</SP> см<SP POS="POST">-3</SP>. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (111

А1 (51)4 Н 01 P 1/22

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

H ABTOPCHGMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4340581/24-09 (22) 11.12.87 (46) 07. 10.89. Бюл. К - 37 (72) В.M.Ãàçàðoâ, А.И.Глухов и С.И.Подковырин (53) 621.372.352.3 (088.8) (56) Kazuchiko Ogusu and Ikuo

Tanaka. Dielectric waveguide — Туре айlimeterwave тойп1аСог Using

Phqtoconductivity. Faculty of Engeneering Shizucka University, Hamatsy

432, Japan. Teans IECEJ, v.I67-В, р.416-423, apr. 1984. (54). ATTEHIOATOP (57) Изобретение относится к технике

СВЧ и может использоваться в приемопередаюцей аппаратуре. Цель изобретения — увеличение величины максимального затухания. Аттенюатор содержит

2 диэлектрический волновод 1, на одной стороне которого сформирован полупроводниковый слой 2 с управляемой концентрацией свободных носителей заряда, и элемент управления, в качестве которого может быть использован источник 4 света. Для достижения цели введена диэлектрическая пластина

3 установленная параллельно продольной оси волновода 1. Коэффициент saмедления v< пластины 3 выбирается иэ условия ч„„„(v г v „, где ч

П

v — коэффициенты замедления волмакс. новода 1 соотв. миним. и максим. концентрациям носителей в слое 2. В качестве слоя 2 может быть использован кремний, который становится подобен металлу при концентрации свободных носителей зарядов 10 — 10 см (б (7 -9

2 з.п.ф-лы, 3 ил.

3 1513,544

Изобретение относится к технике

СВЧ и может использоваться в приемопередающей аппаратуре.

Целью изобретения является увели5 чение величины максимального затухания.

На фиг.i — 3 представлены модификации аттенюатора.

Аттенюатор содержит диэлектрический волновод 1, на одной стороне которого сформирован полупроводниковый слой 2 с управляемои концентрацией свободных носителей заряда„ а параллельно его продольной оси рас- 15 положена диэлектрическая пластина 3.

Управление концентрацией свободных носителей осуществляется элементом управления, в качестве которого может быть использован источник 4 све- 20 та или источник 5 напряжения. В последнем случае на полупроводниковый слой 2 наносятся параллельные металлические полосы 6, между которыми сформирована р - i — и структура.

Коэффициент замедления v диэлеки трической пластины 3 выбирается из условия ч „„„„(v „(v „„,, где ъ. ,щцкс т мин

„ — коэффициенты замецления диэлектрического волновода 1, соответ-ствующие минимальной и максимальной концентрациям носителей в полупровод. никовом слое 2.

Аттенюатор работает следующим образом. 35

По диэлектрическому волноводу 1 распространяется волна. При малой концентрации свободных носителей в полупроводниковом слое 2 коэффициент 40 замедления диэлектрического волновода больше коэффициента замедления диэлектрической пластины 3 и поле вол— ны концентрируется внутри диэлектрического волновода 1. При увеличении 45 концентрации свободных носит лей зарядов в полупроводниковом слое 2 IIop, действием источника 4 или 5 полупроводниковый слой 2 становится вначале подобен диэлектрику с потерями и за50 тухание B диэлектрическом волноводе

1 увеличивается, затем с увеличением концентрации носителей полупроводниковый слой 2 ведет себя как металл.

При этом коэффициент замедления диэлектрического волновода 1 становится меньше коэффициента замедления диэлектрической пластины 3 и волна вытекает в нее.

В случае использования источника

5 напряжения расстояние между металлическими полосами б, расположенными перпендикулярно продольной оси диэлектрического волновода 1, должно быть меньше половины длины вопны в нем, В качестве полупроводникового слоя

2 может быть использовай кремний, который становится подобен металлу при концентрации свободных носителей зарядов 10 6 -10 см

Для кремния данную концентрацию можно получить на полупроводниковом слое .2 при плотности мощности светового потока 5-50 мВт/"M г

Минимальная концентрация свобод/ ных носителей зарядов в кремнии 10 —

1073 см 3 формула изобретения

Аттенюатор „содержащий диэлектрический волновод, на одной стороне которого сформирован полупроводниковый слой с управляемой концентрацией свободных носителей зарядов, и элемент управления, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью увеличения величины максимального затухания, в него введена диэлектрическая пластина, которая установлена параллельно продольной оси диэлектрического волновода,, причем коэффициент замедления волны диэлектрической пластины v <

BbI6PaH ИЗ УСЛОВИЯ V C V „(V мин где v Ä вЂ” коэффициент замедления диэлектрического волновода, соответствующий минимальной концентрации носителей в полупроводниковом слое, v — коэффициент замедления димыкс электрического волновода, соответствующий максимальной концентрации носителей в полупроводниковом слое, 2, Аттенюатор по п.1, о т л и— ч а ю шийся тем, что диэлектрический волновод выполнеч из собственного полупроводника.

3. Аттенюатор по пп.1 и 2, о т л и ч а и шийся тем, что на полупроводниковом слое выполнены металлические полосы, между которыми сформирована структура на р — — пдиоде.

1513544

Фаг

Составитель С.Лютаев

Техред м,дидык Корректор М, Самборская

Редактор А.Шандор

Заказ 6092/53 Тираж 616 Подписное

ВНИИПИ, Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская.наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 101