Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов

Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ж 151400

Класс Н 01/ 21g, 11оа

Н 01 l; 21 Я 135о

СССР

1

1 т 1!

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

=: К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная zpyrum JN 97 ДЯ - фб ф gp/ $

В. С. Соболев и П. Ф. Калинин

УСТРОЙСТВО ДЛЯ БЕСКОНТАКТНЫХ ИЗМЕРЕНИЙ УДЕЛЬНОГО

СОПРОТИВЛЕНИЯ МАЛОГАБАРИТНЫХ КРИСТАЛЛОВ

НИЗКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Заявлено 29 января 1962 r. за № 761719/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 21 за 1962 г.

Известны устройства для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных, кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающие на принципе наведения в образце вихревых токов, содержащие генератор высокочастотных колебаний и нндук гор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца.

Для того, чтобы размеры образца не оказывали влияния на результаты измерений, необходимо, чтобы диаметр индуктора был в несколько рзз меньше размеров образца, что трудно выполнить применительно к малогабаритным образцам кристаллов.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что позволяет снизить влияние размеров образца на результаты измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов. Это достигается тем, что между индуктором и образцом помещена проводящая диафра;ма, локализующая магнитное поле в пространстве, прилегающем к отверстию диафрагмы.

На чертеже изображен эскиз описываемого устройства.

Между измеряемым образцом l кристалла и индуктором 2 помещена диафрагма 8, выполненная из хорошо лроводящего материала и имеющая отверстие, соосное с индуктором 2. Применение такой диафрагмы локализует поле в небольшой области пространства, непосредственно примыкающего к отверстию диафрагмы 8. Размеры плоской части образца должны быть несколько {на 15 — 20%) больше диаметра отверстия диафрагмы, в этом случае области образца, расположенные вне отверстия диафрагмы 8, не,вносят реакцию в индуктор 2, и, следовательно, колебания размеров образцов не сказываются на результатах измерений № 151400

Таким образом, применение диафрагмы позволяет увеличить диаметр катушки-индуктора и сделать ее размеры вполне соизмеримымп с размерами измеряемого кристалла.

Предмет изобретения

Устройство для бесконтактных измерений удельного сопротивления малогабаритных кристаллов низкоомных полупроводниковых материалов, работающее на принципе наведения з образце вихревых токов, содержащее генератор высокочастотных колебаний и индуктор, который размещается вблизи плоской части измеряемого образца, о т л и ч а ющеес я тем, что, с целью снижения влияния размеров образца на рсзультаты измерений удельного сопротивления, между индуктором и образцом помещена проводящая диафрагма, локализующая поле в облас. ти пространства, прилегающего к отверстию диафрагмы.

Редактvp Н. С. Кутафина Техред T. П. Курилко Корректор Г. Куцривцева

Г1оди. к rre«. 10.Х 62 т. Формат бум 70Х 108 /, Объем 0,18 изд. л.

Заи. 10496 Тираж 1150 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.

Типографии НБТН, Москва, Петровка, 14.