Способ измерения параметров вольтамперной характеристики туннельного диода

Способ измерения параметров вольтамперной характеристики туннельного диода

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 6 01 r; 21е, 36о1, СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № .9Á

А. С. Сидоров

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВОЛЪТ-АМПЕРНОЙ

ХАРАКТЕРИСТИКИ ТУННЕЛЪНОГО ДИОДА

Заявлено 2 февраля 1962 г. за № 762727/26-10 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС1

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 22 за 1962 г.

Известны способы построения вольт-амперной характеристики полупроводникового триода, имеющего область отрицательного сопротивления и включенного в режиме диода, а также разбраковки туннельных диодов по экстремальным параметрам.

В большинстве импульсных применений форма вольт-амперчой характеристики туннельного диода не играет существенной воли Важны основные параметры характеристики: координаты макси;иума (U>, 1 ), координаты минимума (Ь, 1в) и напряжение U на диффузионной ветви характеристик, при котором ток диода равен току 1 максимума. По этим параметрам отечественные заводы, а также фирмы США, Японии, Англии производят разбраковку туннельных диодов, Однако точно измерить указанные параметры, особенно напряжения Ь, и Uz, трудно в связи со слабым изменением тока вблизи экстремумов (особенно максимума).

Предлагаемый способ отличается тем, что для увеличения точности измерения напряжения максимума и минимума определяются как границы области самовозбуждения туннельного диода.

На фиг. 1 изображена вольт-амперная характеристика туннельного диода; на фиг. 2 — эквивалентная схема туннельного диода в области отрицательного сопротивления; на фиг. 3 — схема измерения параметров вольт-амперной характеристики туннельного диода по предлагаемому способу.

Способ основан на использовании свойства самого диода генерировать в области отрицательного сопротивления, границы которого определяют экстремальные напряжения туннельного диода.

Условием самовозбуждения диода 1 в области отрицательного сопротивления при данном напряжении Ув(с1,< с1в< с12) является неравенство L > (R, + R) р (Uв) С,, где р (Uo) — дифференциальное отрицательное сопротивление в заданной точке характеристики; С вЂ” емкость № 151724 перехода; L — индуктивность вводов и корпуса диода; R, — сопротивление вводов и обьемное сопротивление диода; R — сопротивление источника, задающего напряжение питания.

С увеличением индуктивности L, например, за счет включения последовательно вне иней индуктивности 2 границы области самовозбуждения расширяются, приближаясь к точкам максимума (U„ lr) и минимума (Uq, 1 ). Так, например, уже при индуктивности в 1 — 2 игн максимальное напряжение на диоде 1, при котором происходит самовозбуждение, отличается от напряжения минимума не более чем на 2 мв, а минимальное- — oT напряжения максимума не более чем на 1,2 мкв, т. с погрешность измерения равна <-0,8%. Эти данные относятся к германиевому диоду с током lr —— 1 ма и емкостью C=100 пф. Для диодов с большими токами точность измерений выше.

При увеличении напряжения на диоде 1 до границы самовозбуждения, определяемого по вольтметру 8 переменного тока, достигается значение напряжения U максимума. При уменьшении напряжения на диоде 1 (опускание вниз по диффузионной ветви) до границы самовозбуждения получается напряжение Uq.

Экстремальные токи 1, и 12 определяются однозначно как функции известных параметров Г< и Uq. Напряжение Uq определяется однозначно для данного значения тока 1, максимума диода. Таким образом, точное измерение двух параметров туннельного диода (напряжения Ur максимума и напряжения Ug минимума) позволяет повысить точность измерения трех других параметров характеристики (Uq, Ir и 1р).

Предмет изобретения

Способ измерения параметров вольт-амперной характеристики туннельного диода, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности измерения, напряжения максимума и минимума определяются как границы области самовозбуждения туннельного диода. № 151724 !

1

1 с

J о па 3 -uz Р

Составители оппсаиия Ю. И. Тесиек

Редактор Н. Л. Корчеико Техред А. А. Камышинкова Корректор И. А. Шпыиева

Поди. к печ. 22.XI-62 г. Формат бум. 70Х 108 /м Объем 0,26 изд. л.

Рак 11016 Тираж 1150 Цена 4 коп.

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр М. Черкасский пер., д. 2/6, Типография ЦБТИ, Москва, Петровка, 14