Корпус интегральной схемы

Корпус интегральной схемы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к интегральным схемам в корпусах с мощностью рассеивания более 1,5 Вт, металлические выводы которых расположены с двух противоположных сторон от продольной оси корпуса. Цель - повышение надежности путем устранения обрыва и микротрещин. Корпус содержит расположенный вдоль продольной оси корпуса металлический теплоотвод, на котором установлен металлический кристаллодержатель с полупроводниковым кристаллом, электрически соединенным с металлическими выводами, лежащими на металлическом теплоотводе изолированно от него, а полупроводниковый кристалл, его электрические соединения с металлическими выводами и металлический теплоотвод соединены со слоем пластмассы, из которого выступают друг против друга с двух противоположных сторон от продольной оси металлического теплоотвода металлические выводы, причем слой пластмассы разделен на три участка прямоугольной формы перпендикулярными продольной оси корпуса канавками глубиной до металлических выводов, расположенными с двух противоположных сторон от полупроводникового кристалла вне зоны его электрических соединений между выступающими друг против друга из участков слоя пластмассы соседними металлическими выводами, причем канавки размещены между теми из соседних металлических выводов, которые наименее удалены от зоны электрических соединений. Изобретение позволяет повысить надежность интегральных схем за счет исключения микротрещин в герметизирующем слое пластмассы. 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

А1 (l9) (И1 (51)4 Н 01 ?, 23/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCKOMY С8ИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И О П.(РЫТИЯМ

ОРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4108737/24-25 (221 19.08.86 (46) 30.10.89. Бюл. В 40 (72) В.И, Гончаров.и Л.В, Томашпольский (53) 621,382 (088.8) (56) Арский В.Н. Обзоры по электронной технике. Сер. 7, выпуск I(767)y раздел "Корпус", с. 12-18. — И.:

ЦНИИ "Электроника", 1981..

Патент США У 4012768, кл. Н 01 Ь 23/28, 1977. (54) КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕИ1 (57) Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к интегральным схемам в корпусах с мощностью рассеивания более 1,5 Вт,металлические выводы которых расположены с двух противоположных сторон от продольной оси корпуса, Цель — повышение надежности путем устранения обрыва . и микротрещин, Корпус содержит рас" положенный вдоль продольной оси корпуса металлический теплоотвод, на котором установлен металлический кристаллодержатель с полупроводниковым кристаллом, электрически соединенным

Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к микроэлектронике, и может быть использовано при производстве интегральных схем в корпусах с мощностью рассеивания более l 5 Вт, металлические выводы которых выступают с двух противоположных сторон от продольной оси корпуса.

2 с металлическими выводами, лежащими на металлическом теплоотводе изолиро ванно от него, а полупроводниковый кристапл, его электрические соединения с металлическими выводами и металлический теплоотвод соединены со слоем пластмассы, иэ которого выступают друг против друга с двух противоположных сторон от продольной оси металлического теплоотвода металлические выводы, причем слой пластмассы разделен на три участка прямоугольной формы перпендикулярными продольной оси кор- пуса канавками глубиной до метаплических выводов, расположенными с двух противоположных сторон от полупровод- а никового кристалла вне зоны его электрических соединений между выступающими друг против друга из участков слоя пластмассы соседними металлическими выводами, причем канавки размещены между теми из соседних металлических выводов, которые наименее удалены от зоны электрических соединений, Изобретение позволяет повысить надежность интегральных схем за счет исключения микротрещин,в герметизирующем слое пластмассы. 5 ил. 00

Цель изобретения — повышение надежности путем устранения обрыва и микротрещин.

На фиг.l изображен корпус ННТегральной схемы, вид спереди; на фиг.2 — то же, вид сверху; на фиг.3то же, вид саку; на фиг.4 " разрез

А-А на фиг,2; на фиг.5 — разрез Б-Б на фиг.4 °

1518835

Корпус интегральной схемы имеет расположенный вдоль продольной оси корпуса металлический теплоотвод 1, на котором установлен металлический кристаллодержатель 2, выполненный в виде металлического ободка, припаянного к полупроводниковому кристаллу

3 и металлическому теплоотводу l посредством никелевой пористой прокладки 4 и припоя ПОС 2,5, Полупроводниковый кристалл 3 электрически соединен проводниками 5 с металлическими выводами 6, лежащими на металлическом теплоотводе 1 изолированно от него посредством диэлектрической пленки 7.

Полупроводниковый кристалл 3, проволочные проводники 5 заключены в расположенный на теплоотводе I участок герметизирующего слоя 8, отделены двумя канавками 9, перпендикулярными продольной оси корпуса, от участков IO и 11 этого слоя.

Благодаря тому, что канавки 9 выполнены глубиной до металлических выводов 6, образованы три участка 8, I0 и 11 герметиэирующего слоя.

Канавки 9 расположены с двух противоположных полупроводниковому кристаллу 3 сторон за пределами проволочных проводников 5 и между выступающими из слоя 8 и участков 10 и

11 соседними выводами 12 и. 13 и 14 и 15 °

Корпус имеет 40 металлических выводов, расположенных с двух противоположных сторон от продольной оси металлического теплоотвода 1 и корпуса, При увеличении длины корпуса количество канавок, разделяющих герметиэирующий слой пластмассы на отдельные участки, может быть увеличено.

Канавки, перпендикулярные продольной оси корпуса, глубиной до металлических выводов разделяют герметизирующий слой пластмассы по крайней мере на трн отдельных участка, в реэуль тате чего достигается исключение микротрещин в каждом из них, в том числе в участке герметиэирующего слоя пластмассы, соединенного с полупроводниковым кристаллом, его электрическими соединениями с металлическими выводами и металлическим теплоотводом, Расположение каналов между выступающими из участков гсрметизирующего слоя пластмассы соседними выводами надежно закрепляет их в пластмассе.

Изобретение позволит повысить надежность интегральных схем за счет исключения микротрещин в герметизирующем слое пластмассы.

Формул а и з о б р е т е н и я

Корпус интегральной схемы, содержащий расположенный вдоль продольной оси корпуса металлический теплоотвод, на котором установлен металлическ .й кристаллодержатель с полупроводниковым кристаллом, электрически соединенным проводниками с металлическими выводами, лежащими на металлическом теплоотводе изолированно от него, а полупроводниковый кристалл и проводники заключены в расположенный на теплоотводе герметизирующий слой пластмассы, из которого выступают с двух противоположных сторон от продольной оси металлического теплоотвода изолированно от него металлические выводы, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повыщения надежности путем устранения обрыва проводников и микротрещин, 40 герметизирующий слой выполнен в ви де участков, отделенных друг от друга канавками, при этом один из участков расположен в зоне кристалла, включающей соединение кристалла с

45 проводниками, причем канавки расположены с двух противоположных сторон от полупроводникового кристалла эа пределами его электрических соединений между выступающими из участков герметизирующего слоя пластмассы соседними выводами, 1518835

10 rZ У Ц8 19 У 15 11

Фиг.1

Ю 11 УО

Фиг. Я

Фиг, Ч

Составитель В. Скоробогатова техред М.Ходанич Корректор В, Кабаций

Редактор Л. Веселонская

Заказ 6608/54 Тираж 696 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101