Способ обработки р-п переходов полупроводниковых приборов

Способ обработки р-п переходов полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 803l» 21g 11рр № 152034

СССР б 1Ч

ОПИСАНИЕ ИЗОБ»ЕТЕЯИ»» .

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Подписная группа № 97

В. В. Русаков, А. Ф. Волков и В. В. Батавин

СПОСОБ ОБРАБОТКИ р-и ПЕРЕХОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЬ!Х

ПРИБОРОВ

Заявлено 16 марта 1962 г. за № 769224/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений» № 23 за 1962 г.

В известных способах обработки р-и переходов полупроводниковых приборов защитную окисную пленку на их поверхности создают путем анодного оксидирования при использовании в качестве электролита дистиллированной воды.

В описываемом. способе придание защитной окисной пленке гидрофобных свойств и повышение надежности защиты поверхности р-и переходов достигается тем, что после создания окисной пленки ее подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 †8 в течение 10 — 20 мин.

Для осуществления предлагаемого способа после травления полупроводникового прибора в травителе СР-8 или в смеси плавиковой и азотной кислот производится промывка в циркулирующем потоке деионизированной воды с удельным сопротивлением о=12 лгол и анодное оксидирование обычным порядком. Затем производится сушка в вакууме (10 мм рт. ст.) при температуре 120 в течение одного часа н кратковременная термообработка в инертном газе или вакууме при температуре 600 †8 в течение 10 — 20 мин. № 152034

Предмет изобретения

Редактор Е. Г. Манежева Техред Т. П. Курилко Корректор Г. Кудрявцева

Объем 0,18 пад. л.

Цена 4 коп.

Формат бум. 70 Q 108 /и

Тираж 1150

ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, М. Черкасский пер., д, 2/6.

Поди. к печ. 15/XII — 62 r

3ак. 3652/9

Типография, пр. Сапунова, 2.

Способ обработки р-и переходов полупроводниковых приборов путем создания защитной окисной пленки на их поверхности в результате анодного оксидирования, отличающийся тем, что, с целью придания защитной окисной пленке гидрофобных свойств для повышения надежности защиты поверхности р-п переходов, пленку подвергают термической обработке в атмосфере инертного газа или вакууме при температуре 600 — 800 в течение 10 — 20 мин.